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公开(公告)号：CN118275836B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410691987.X
申请日：2024-05-31
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司 , 国机传感科技有限公司
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本发明公开一种应用于油浸式变压器的弧光传感器及测量方法，涉及紫外光测量技术领域，该弧光传感器集成了包括声波接收探头、温度探头、光敏元件和压力芯体的采集组件以及电路板，采集组件用于采集油侵式变压器内部弧光发生过程中的声波、光谱信息、介质的温度和压力，电路板用于根据声波、光谱信息、介质的温度和压力，计算电弧损失能量和电弧总能量，能够克服现有技术对变压器内部产生的弧光能量测量精度不高的问题，由于本发明的弧光传感器可以计算出高压电弧在变压器油传输过程中被介质吸收的能量损耗，因而能够精确地测量出电弧所释放的总能量，适用于监测电力系统中高压变压器内部放电现象及电弧能量等指标。
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公开(公告)号：CN118275836A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410691987.X
申请日：2024-05-31
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司 , 国机传感科技有限公司
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本发明公开一种应用于油浸式变压器的弧光传感器及测量方法，涉及紫外光测量技术领域，该弧光传感器集成了包括声波接收探头、温度探头、光敏元件和压力芯体的采集组件以及电路板，采集组件用于采集油侵式变压器内部弧光发生过程中的声波、光谱信息、介质的温度和压力，电路板用于根据声波、光谱信息、介质的温度和压力，计算电弧损失能量和电弧总能量，能够克服现有技术对变压器内部产生的弧光能量测量精度不高的问题，由于本发明的弧光传感器可以计算出高压电弧在变压器油传输过程中被介质吸收的能量损耗，因而能够精确地测量出电弧所释放的总能量，适用于监测电力系统中高压变压器内部放电现象及电弧能量等指标。
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公开(公告)号：CN116499372B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310796642.6
申请日：2023-07-03
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司 , 国机传感科技有限公司 , 沈阳国仪检测技术有限公司
IPC分类号： G01B11/02
摘要： 本发明公开一种金属波纹管膨胀节几何尺寸测量系统及测量方法，涉及金属波纹管膨胀节几何尺寸测量领域，该系统包括：转台用于放置待测金属波纹管膨胀节；运动机构用于带动光栅尺和激光传感器产生竖直方向的位移和水平方向的位移；可编程控制器用于接收上位主机发送的测量信号并根据测量信号控制运动机构按照预设方式运转以及带动转台按照预设规则进行转动，并控制光栅尺发出高频脉冲信号，以及接收高频脉冲信号，并将高频脉冲信号发送至上位主机；上位主机用于向激光传感器发送测量信号，并接收激光传感器返回的测量数据，以及根据测量数据和高频脉冲信号计算待测金属波纹管膨胀节的几何尺寸。本发明能够提高金属波纹管膨胀节几何尺寸的测量精度。
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公开(公告)号：CN116499372A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310796642.6
申请日：2023-07-03
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司 , 国机传感科技有限公司 , 沈阳国仪检测技术有限公司
IPC分类号： G01B11/02
摘要： 本发明公开一种金属波纹管膨胀节几何尺寸测量系统及测量方法，涉及金属波纹管膨胀节几何尺寸测量领域，该系统包括：转台用于放置待测金属波纹管膨胀节；运动机构用于带动光栅尺和激光传感器产生竖直方向的位移和水平方向的位移；可编程控制器用于接收上位主机发送的测量信号并根据测量信号控制运动机构按照预设方式运转以及带动转台按照预设规则进行转动，并控制光栅尺发出高频脉冲信号，以及接收高频脉冲信号，并将高频脉冲信号发送至上位主机；上位主机用于向激光传感器发送测量信号，并接收激光传感器返回的测量数据，以及根据测量数据和高频脉冲信号计算待测金属波纹管膨胀节的几何尺寸。本发明能够提高金属波纹管膨胀节几何尺寸的测量精度。
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公开(公告)号：CN212844142U
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202022051739.9
申请日：2020-09-18
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
IPC分类号： G01L23/08
摘要： 本实用新型属压力传感器领域，尤其涉及一种应用于PSP压敏涂料校准的动态压力传感器，包括外壳（1）、高温导线（2）、外环（3）、引线转接座（4）、螺纹接口（5）、芯片引线座（7）、SOI压力敏感芯片（8）及挡板（9）；外环（3）的一端与外壳（1）的一端固定套接；外环（3）的另一端与螺纹接口（5）的螺纹端口固定相接；挡板（9）与螺纹接口（5）另一端固定相接；外壳（1）内高温导线（2）的接线端经引线转接座（4）及引线（11）与芯片引线座（7）相接；所述芯片引线座（7）与SOI压力敏感芯片（8）无引线封装。本实用新型稳定性好，耐腐蚀，参数匹配度高。
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公开(公告)号：CN218545980U
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202222842578.4
申请日：2022-10-27
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司
发明人： 李颖 , 任向阳 , 张治国 , 刘宏伟 , 祝永峰 , 贾文博 , 李永清 , 何方 , 张娜 , 李昌振 , 王卉如 , 钱薪竹 , 周聪 , 肖文英 , 刘柏汇 , 白雪松 , 关维冰 , 尹萍
IPC分类号： G01L9/02
摘要： 本实用新型公开了一种SIC压力敏感器件，其特征在于：包括敏感芯片及衬底玻璃，所述敏感芯片包括n‑p‑n型SIC材料的基体，所述基体由上至下包括器件层、过渡层、SIC衬底；在敏感芯片的器件层上方设置有SI面，在SIC衬底下方设置有C面；在器件层上设置有由器件层加工而成的四个敏感电阻、封接区、连接区，四个敏感电阻连接后构成惠斯通电桥；敏感电阻与过渡层之间通过PN结隔离；在封接区上设置有金属电极，金属电极通过封接区、连接区与敏感电阻相连接；在SIC衬底上设置有压力敏感膜片和凹形敏感芯片杯体；敏感芯片通过SI面或C面与衬底玻璃封接配合。本实用新型结构稳定性好，适用范围广，还具有高精度、高稳定，高可靠、适用各种恶劣环境使用的特点。
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