公开(公告)号：CN109166958B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN201811030998.4

申请日：2018-09-05

Applicant: 河南工程学院

Inventor： 刘少辉 ,  王娇 ,  丁俊 ,  郝好山 ,  赵利敏 ,  夏思怡

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/24 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明提供了一种p‑n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法，采用水热法结合气相法制备p‑n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜，碲化铅层薄膜的厚度为20nm‑300nm，所述的聚吡咯薄膜的厚度20nm‑300nm。该方法制备的碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料具有良好的热电性能，可用于便携式的无线传感器供电，集成电路芯片的制冷，发光二极管和光探测器的制冷等领域，具有简单易行、成本低、方便快速等优点，可规模化生产。

公开(公告)号：CN109166958A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201811030998.4

申请日：2018-09-05

Applicant: 河南工程学院

Inventor： 刘少辉 ,  王娇 ,  丁俊 ,  郝好山 ,  赵利敏 ,  夏思怡

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/24 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明提供了一种p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法，采用水热法结合气相法制备p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜，碲化铅层薄膜的厚度为20nm-300nm，所述的聚吡咯薄膜的厚度20nm-300nm。该方法制备的碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料具有良好的热电性能，可用于便携式的无线传感器供电，集成电路芯片的制冷，发光二极管和光探测器的制冷等领域，具有简单易行、成本低、方便快速等优点，可规模化生产。