一种周期信号测量装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119757859A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202510107736.7

    申请日:2025-01-23

    Abstract: 本发明涉及信号测量技术领域,具体涉及一种周期信号测量装置,包括外壳、串口屏、控制器和多个加固组件,外壳具有多个通道端口,串口屏设置于外壳的一侧,控制器设置于外壳的内部;加固组件包括两个夹持板、升降单元和收紧单元,外壳具有凹槽,凹槽位于通道端口的下方,收紧单元设置于凹槽的内部,使用时,将探头插入在通道端口上,探头检测周期信号波形,然后经过控制器处理,从串口屏显示,以便工作人员观察,同时升降单元带动夹持板上移,夹持板将探头夹紧,然后收紧单元使其向通道端口方向收紧,由此可对探头进行夹紧抵持,避免松动,大大提高使用稳定性,避免接触不良和松动导致信号测量的准确性。

    一种基于物联网的充电桩检测系统及其方法

    公开(公告)号:CN116539977A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310269732.X

    申请日:2023-03-20

    Abstract: 本发明涉及充电桩检测技术领域,且公开了一种基于物联网的充电桩检测系统及其方法,包括信息采集模块,还包括输入电流波动性分析模块、输入电压波动性分析模块、输出电流稳定性分析模块、输出电压稳定性分析模块、综合评估模块以及预警模块,通过设有综合评估模块以及预警模块,有利于对充电桩每天每次的电气性能数据进行统计与计算,使电气性能指标数据更加精准,减少了数据偶然性与误差性,进而对充电桩的电气性能评估更加准确,从而根据评估结果对维护人员进行预警,对充电桩及时进行维护保养,使工作人员无需在充电桩故障后才对其检测维修,减少了诸多维修与替换费用,延长了充电桩的使用寿命。

    一种碱式氯化铅微纳结构晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN108807986A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201810520316.1

    申请日:2018-05-28

    Abstract: 本发明公开了一种碱式氯化铅微纳结构晶体的制备方法,其制备方法属于微纳米材料制备技术领域。本方法使用去离子水溶解氯化铅,升温条件下加入三乙胺反应,得到碱式氯化铅微纳结构晶体。通过抽滤和烘干得到碱式氯化铅微纳结构晶体的粉末。所制备的碱式氯化铅微纳结构晶体为棒状,长度范围约为300 nm‑1600 nm,厚度范围约为30 nm‑400 nm。其优点是合成过程简单,重复性好,成本低廉,安全环保。基于以上特点,本发明无论是在实验室研究还是工业应用方面都具很高的价值。

    一种场效应晶体管及其制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN120076380A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510210677.6

    申请日:2025-02-25

    Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域,公开了一种场效应晶体管及其制造方法,用以解决二维材料场效应晶体管制造过程中对二维材料表面的破坏和在界面聚合物残留的问题。本发明提出了一种场效应晶体管,其包括由下往上设置的基底,电极,栅介质层和沟道层。其中,栅介质层和沟道层分别为ZrSe2薄膜和MoS2薄膜,分别通过干法转移ZrSe2,MoS2二维材料制成。二维材料ZrSe2位于叉指电极中间(栅极),且不与旁边两条电极接触;二维材料MoS2与两边的电极(源极和漏极)接触,与中间的ZrSe2接触,且不与栅极接触,MoS2作为载流子传输的沟道。本发明提出了一种通过在预先制造好的源极、漏极、栅极上面转移栅氧层二维材料、载流子传输层二维材料的方法,相较于传统的方法,避免了对二维材料表面的破坏和界面聚合物残留等问题。

    一种碱式氯化铅微纳结构晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN108807986B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201810520316.1

    申请日:2018-05-28

    Abstract: 本发明公开了一种碱式氯化铅微纳结构晶体的制备方法,其制备方法属于微纳米材料制备技术领域。本方法使用去离子水溶解氯化铅,升温条件下加入三乙胺反应,得到碱式氯化铅微纳结构晶体。通过抽滤和烘干得到碱式氯化铅微纳结构晶体的粉末。所制备的碱式氯化铅微纳结构晶体为棒状,长度范围约为300 nm‑1600 nm,厚度范围约为30 nm‑400 nm。其优点是合成过程简单,重复性好,成本低廉,安全环保。基于以上特点,本发明无论是在实验室研究还是工业应用方面都具很高的价值。

    一种金属碲化物花状微纳结构的制备方法

    公开(公告)号:CN107601440B

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201710935893.2

    申请日:2017-10-10

    Abstract: 本发明公开了一种金属碲化物花状微纳结构的制备方法,本制备方法属于半导体材料制备技术领域。本方法是用乙二醇溶解亚碲酸钠,聚乙烯吡咯烷酮,乙酸钠,乙二胺和乙酰丙酮锌,并在惰性环境下排除溶液中的氧气,升温得到前驱体。然后分别加入乙酰丙酮铜,乙酰丙酮铋,乙酰丙酮镉,乙酰丙酮铅和乙酰丙酮锑,就可以成功制备出碲化铜,碲化铋,碲化镉,碲化铅和碲化锑的花状微纳结构。制备的碲化铜,碲化铋,碲化镉,碲化铅和碲化锑花状微纳结构的直径为8‑10微米。本方法的优点是合成过程简单,重复性好,安全环保,可节约成本。基于以上特点,本发明在实验室研究和工业应用方面都具有很高的价值。

    一种水合氯氧化铅微纳结构晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN108565439A

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201810520317.6

    申请日:2018-05-28

    Abstract: 本发明公开了一种水合氯氧化铅微纳结构晶体的制备方法,其制备方法属于微纳米材料制备技术领域。本方法用去离子水溶解氯化铅,升温条件下加入三乙胺反应,得到水合氯氧化铅微纳结构晶体。通过抽滤和烘干得到水合氯氧化铅微纳结构晶体的粉末。水合氯氧化铅微纳结构晶体为片状,直径范围约为80 nm-1000 nm,厚度范围约为40 nm-120 nm。其优点是合成过程简单,重复性好,成本低廉,安全环保。基于以上特点,本发明无论是在实验室研究还是工业应用方面都具很高的价值。

    一种ZnTe(en)0.5花状晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN107759476A

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201710935892.8

    申请日:2017-10-10

    CPC classification number: C07C209/68 C07B2200/13 C07C211/10

    Abstract: 本发明提出了一种ZnTe(en)0.5花状晶体的制备方法,步骤如下:将亚碲酸钠、聚乙烯吡咯烷酮、乙酸钠、乙二胺和锌化合物溶于乙二醇中,形成混合溶液,在惰性环境下排除混合溶液中的氧气,加热得到ZnTe(en)0.5花状晶体。本发明方法工序简单,便于操作,使用的溶剂环保,成本低和产量高。制备的ZnTe(en)0.5花状晶体具有单分散性好,质量高,尺寸分布均匀,稳定性好等优点。本方法无论是在实验室合成还是工业合成上都具有巨大的应用价值。

    一种水合氯氧化铅微纳结构晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN108565439B

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201810520317.6

    申请日:2018-05-28

    Abstract: 本发明公开了一种水合氯氧化铅微纳结构晶体的制备方法,其制备方法属于微纳米材料制备技术领域。本方法用去离子水溶解氯化铅,升温条件下加入三乙胺反应,得到水合氯氧化铅微纳结构晶体。通过抽滤和烘干得到水合氯氧化铅微纳结构晶体的粉末。水合氯氧化铅微纳结构晶体为片状,直径范围约为80 nm‑1000 nm,厚度范围约为40 nm‑120 nm。其优点是合成过程简单,重复性好,成本低廉,安全环保。基于以上特点,本发明无论是在实验室研究还是工业应用方面都具很高的价值。

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