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公开(公告)号：CN120076380A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510210677.6
申请日：2025-02-25
Applicant: 河南工程学院
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，公开了一种场效应晶体管及其制造方法，用以解决二维材料场效应晶体管制造过程中对二维材料表面的破坏和在界面聚合物残留的问题。本发明提出了一种场效应晶体管，其包括由下往上设置的基底，电极，栅介质层和沟道层。其中，栅介质层和沟道层分别为ZrSe2薄膜和MoS2薄膜，分别通过干法转移ZrSe2，MoS2二维材料制成。二维材料ZrSe2位于叉指电极中间（栅极），且不与旁边两条电极接触；二维材料MoS2与两边的电极（源极和漏极）接触，与中间的ZrSe2接触，且不与栅极接触，MoS2作为载流子传输的沟道。本发明提出了一种通过在预先制造好的源极、漏极、栅极上面转移栅氧层二维材料、载流子传输层二维材料的方法，相较于传统的方法，避免了对二维材料表面的破坏和界面聚合物残留等问题。
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公开(公告)号：CN116317201A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310232400.4
申请日：2023-03-10
Applicant: 河南工程学院
IPC: H02J50/12 , H02M1/088 , H02M7/5387 , H02M5/16
Abstract: 本发明提出了一种非接触供电系统拓扑结构优化及频率匹配方法，其步骤为：构建拓扑结构优化的非接触供电电路：在单相全桥逆变器上加上辅助桥臂构成三相逆变器，一个原边线圈与副边线圈相耦合；根据基尔霍夫定律和变压器原理计算复合谐振网络阻抗；利用复合谐振网络阻抗求解复合谐振网络频率；将原边电路看作是带通滤波器，求解原边电路的固有谐振频率；将副边电路看作是低通滤波器，求解副边电路的固有谐振频率；限定各个频率，使三相逆变器的开关管处于软开关工作状态。本发明在轻载阶段用升频方法使轻载效率提升约3~5%，且简化了电路结构轻载效率提高约3%。本发明在开关频率范围内和变频过程中均具有强鲁棒性的自然软开关切换能力。
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公开(公告)号：CN107104184A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710484315.1
申请日：2017-06-23
Applicant: 河南工程学院
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1641
Abstract: 本发明公开了一种溶胶凝胶薄膜柔性阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器包括底层电极，设于底层电极上表面的存储介质层，设于存储介质层上表面的顶层电极，所述底层电极由透明导电氧化物薄膜构成，存储介质层为深紫外光线处理的金属氧化物溶胶凝胶薄膜，顶层电极为金属铝层，所述的溶胶凝胶薄膜柔性阻变存储器的制备方法为：1、底层电极的制备；2、在底层电极上制备AlOx溶胶凝胶薄膜；3、在室温条件下，用深紫外光线处理AlOx溶胶凝胶薄膜得到存储介质层；4、顶层电极的制备；使用本发明制备的柔性阻变存储器电阻开关性能良好，经过连续弯曲之后，器件仍能够保持电阻开关特征。
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公开(公告)号：CN118541019A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410345063.4
申请日：2024-03-25
Applicant: 河南工程学院
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料异质结的忆阻器及制备方法，包括由下往上顺次设置的基底、电极和二维材料异质结，二维材料异质结包括由下往上顺次设置的二维材料ZrSe2和二维材料Graphene；电极为两个相对的条状探测电极和与条状探测电极衔接并外拓的正方形电极；二维材料ZrSe2的一端与一个条状探测电极相连接，另一端在相对的两个条状探测电极的间隙中间；二维材料Graphene的一端与ZrSe2接触，另一端与另一个条状探测电极接触；本发明通过全干法机械转移二维材料Graphene和二维材料ZrSe2形成二维材料制备异质结，解决现有技术中利用二维材料制备异质结忆阻器技术存在制备复杂成本高的问题。
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公开(公告)号：CN115806105A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211450400.3
申请日：2022-11-19
Applicant: 河南工程学院
Abstract: 本发明公开了一种智能送药小车，包括车体、储药机构、出料机构和驱动机构，通过在车体内设置相互联动的储药机构、出料机构、驱动机构、触头和控制器形成送药小车,触头通过与控制器配合的方式带动驱动机构运行，驱动机构带动驱动件向右运动，驱动件通过挤压连接件的方式将推板向外推出，传动板通过与传动块配合的方式带动转盘转动，转盘将药品转动到出药筒下方，活动块通过与挡板配合的方式对储药盘进行输送，采用双转盘的结构进行药品储存和输送，容量大，药房的药品装填更加方便，能够将不同的药品输送到相对应的病床，实现了送药小车的智能送药。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107464484A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710750160.1
申请日：2017-08-28
Applicant: 河南工程学院
IPC: G09B23/18
CPC classification number: G09B23/186
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式系统教学仪器，涉及教学设备领域。该仪器包括：移动平台、书写装置、显示支撑板、摄像装置和嵌入式教学板；书写板和显示支撑板底部均通过依次设置的转筒和挡板设置在移动平台上；显示支撑板上固定有显示屏；摄像装置包括：支撑杆和摄像头；嵌入式教学板设置在移动平台顶面上；嵌入式教学板包括：基本电路单元、接插口和扩展电路单元；嵌入式芯片的引脚通过导线延伸至接插口底部。本发明通过设置嵌入式基本电路单元，且将基本电路单元和扩展电路单元分开设置，在基本电路单元的基础上扩展硬件电路和应用控制类软件程序的设计，由于其设计思路明确，操作简化，从而可以提高学习效率高，也便于教学讲解。
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公开(公告)号：CN107240642A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710484292.4
申请日：2017-06-23
Applicant: 河南工程学院
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种互补型阻变存储器及其制备方法，包括：底层导电氧化物电极，设于底层导电氧化物电极上表面的CuO存储介质层，设于CuO存储介质层上表面的ZrO存储介质层，设于ZrO存储介质层上表面的。方法如下：采用直流磁控溅射在Si衬底上制备导电氧化物薄膜，采用磁控溅射在导电氧化物薄膜上表面制备CuO存储介质层，采用磁控溅射在CuO存储介质层上表面制备ZrO存储介质层，采用磁控溅射在ZrO存储介质层的上表面制备W电极，本发明是互补型阻变存储器结构，该结构在不需要额外使用二极管或者三极管的情况下解决十字交叉阵列阻变存储器的串扰问题，具有电路简单的特点。
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公开(公告)号：CN119757859A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510107736.7
申请日：2025-01-23
Applicant: 河南工程学院
IPC: G01R23/16
Abstract: 本发明涉及信号测量技术领域，具体涉及一种周期信号测量装置，包括外壳、串口屏、控制器和多个加固组件，外壳具有多个通道端口，串口屏设置于外壳的一侧，控制器设置于外壳的内部；加固组件包括两个夹持板、升降单元和收紧单元，外壳具有凹槽，凹槽位于通道端口的下方，收紧单元设置于凹槽的内部，使用时，将探头插入在通道端口上，探头检测周期信号波形，然后经过控制器处理，从串口屏显示，以便工作人员观察，同时升降单元带动夹持板上移，夹持板将探头夹紧，然后收紧单元使其向通道端口方向收紧，由此可对探头进行夹紧抵持，避免松动，大大提高使用稳定性，避免接触不良和松动导致信号测量的准确性。
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公开(公告)号：CN114005931A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111087734.4
申请日：2021-09-16
Applicant: 河南工程学院
Abstract: 本发明专利公开了一种操作电压可调控的阻变存储器及制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极，阻变层是掺杂有W的Ta2O5薄膜，其厚度为40‑120nm，顶电极和底电极分别为金属W和Pt，衬底材料为Ti/SiO2/Si；本发明通过W元素对Ta2O5掺杂，通过掺杂改变Ta2O5中氧空位的形成能和扩散势垒能，进而改变氧空位扩散激活能，实现对氧空位的扩散激活能的调控，进而对器件的操作电压进行调控，达到控制RRAM器件操作电压的目的。
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公开(公告)号：CN116539977A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310269732.X
申请日：2023-03-20
Applicant: 河南工程学院
IPC: G01R31/00 , G01R19/00 , G01R19/165
Abstract: 本发明涉及充电桩检测技术领域，且公开了一种基于物联网的充电桩检测系统及其方法，包括信息采集模块，还包括输入电流波动性分析模块、输入电压波动性分析模块、输出电流稳定性分析模块、输出电压稳定性分析模块、综合评估模块以及预警模块，通过设有综合评估模块以及预警模块，有利于对充电桩每天每次的电气性能数据进行统计与计算，使电气性能指标数据更加精准，减少了数据偶然性与误差性，进而对充电桩的电气性能评估更加准确，从而根据评估结果对维护人员进行预警，对充电桩及时进行维护保养，使工作人员无需在充电桩故障后才对其检测维修，减少了诸多维修与替换费用，延长了充电桩的使用寿命。
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