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公开(公告)号:CN119100396A
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202411442481.1
申请日:2024-10-16
Applicant: 河南省科学院碳基复合材料研究院
IPC: C01B32/984
Abstract: 本发明涉及纳米技术领域,公开了一种快速制备超长SiC纳米线的方法,一、原料预处理:将硅源与碳源混合均匀然后,湿化处理得到具有湿度混合粉体;二、超长SiC纳米线制备:将湿度的混合粉体放置于碳载体容器内,然后焦耳加热得到超长SiC纳米线。本发明与现有技术相比的优点在于:设备简单、能耗低、制备周期短,原材料廉价易得、工艺简单、烧结温度低,所得SiC纳米线直径<300nm,长径比远高于100:1。本发明有利于推动超长SiC纳米线在复合材料、光电子器件、电磁屏蔽以及高温防护材料等多功能领域的应用发展。
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公开(公告)号:CN119976853A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202510153752.X
申请日:2025-02-12
Applicant: 河南省科学院碳基复合材料研究院
IPC: C01B32/991 , B82Y40/00 , C30B29/36 , C30B29/62 , C30B1/10
Abstract: 本发明公开了一种快速制备纳米碳化硼短切晶须的方法,具体包括以下步骤:1)材料清洗与烘干;2)样品制备与铺展;3)加热处理与晶须制备。本发明与现有技术相比的优点在于:本发明使用硼粉和石墨纸作为原材料制备纳米碳化硼短切晶须,通过焦耳加热技术实现快速升温加热、样品温度均匀、设备简单易操作等优点,实现快速制备纳米碳化硼短切晶须。通过将硼粉均匀铺展在石墨纸表面增加两者的接触面积,使反应充分进行;而焦耳加热技术的快速升温、均衡保温特性,为快速制备纳米碳化硼短切晶须提供重要保障。本发明所获得的纳米碳化硼短切晶须尺寸均匀、操作简便、工艺过程耗时短、成本低,可实现纳米碳化硼短切晶须的快速制备。
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公开(公告)号:CN119079999A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202411442479.4
申请日:2024-10-16
Applicant: 河南省科学院碳基复合材料研究院
IPC: C01B32/97 , C01B32/984
Abstract: 本发明涉及纳米技术领域,公开了一种快速制备纳米级短支晶SiC的方法,包括以下步骤:将硅源与碳源混合得到混合粉体,将其装入带有电极的容器中,并置于焦耳加热炉的样品架上;通过开启真空泵达到一定真空度后,利用焦耳热对坯料进行分步加热,最终冷却至室温,获得纳米级短支晶SiC。本发明与现有技术相比的优点在于:通过焦耳热的快速升温与降温特性,显著缩短了SiC的形核和生长时间,能在数秒至数十秒内完成相应过程,相较于传统电炉加热大大提高了效率。通过调整热循环次数,能够精确控制短支晶SiC的长径比,且产物直径为纳米级。该工艺不仅简便、成本低廉,还适用于大规模生产,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN119954515A
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202510153669.2
申请日:2025-02-12
Applicant: 河南省科学院碳基复合材料研究院
IPC: C04B35/563 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种亚微米碳化硼颗粒的焦耳加热快速制备方法,具体包括以下步骤:1)原料混合;2)样品装载与真空处理;3)加热反应与样品制备。本发明与现有技术相比的优点在于:利用焦耳加热技术的特点,通过快速升温并对原材料硼源和碳源均匀加热,实现亚微米碳化硼颗粒的制备。选用石墨烯和碳纳米管作为碳源,增加与硼源的接触面积,同时通过球磨将两者混合均匀,保证硼源和碳源之间充分接触、反应。此外,焦耳加热技术的升温速度快、样品加热区温度均匀的优势,保障亚微米碳化硼颗粒的快速制备。本发明所提供的亚微米碳化硼颗粒的制备方法耗时短、能耗低,可实现亚微米碳化硼颗粒的快速制备。
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公开(公告)号:CN119100391A
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202411442480.7
申请日:2024-10-16
Applicant: 河南省科学院碳基复合材料研究院
IPC: C01B32/97 , C01B32/984
Abstract: 本发明涉及纳米技术领域,公开了一种快速制备小直径纳米级SiC短纤维的方法,包括以下步骤:将硅粉和无定型碳混合均匀然后置于碳载体容器内;然后将盛有粉体的碳载体放置于样品架上,抽真空然后充入保护气体;随后调节电压加热至目标温度,保温一段时间,随后待其冷却,得到所述的小直径纳米级SiC短纤维。本发明与现有技术相比的优点在于:原材料廉价易得,在极短时间内实现小直径、表面光滑的SiC短纤维的制备。本发明的技术方案不仅大幅缩短了制备时间,降低了能耗和设备成本。所得到的小直径纳米级SiC短纤维表面光滑,直径小于500nm,具有显著的尺寸均匀性,有望应用于高性能复合材料等领域。
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