公开(公告)号：CN104885191B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201380066999.3

申请日：2013-12-11

Applicant: 法国圣戈班玻璃厂

Inventor： S.约斯特 ,  R.莱希纳 ,  T.达利博尔 ,  P.埃雷尔兹

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/36

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0749

Abstract: 本发明涉及制造化合物半导体(2)的方法，其包括下面的步骤：‑制造至少一个前体‑层堆叠体(11)，其由第一前体‑层(5.1)、第二前体‑层(6)和第三前体‑层(5.2)组成，其中在第一阶段中，通过将金属铜、铟和镓沉积到基体(12)上来制造第一前体‑层(5.1)，和在第二阶段中，通过将选自硫和硒的至少一种硫族元素沉积到第一前体‑层(5.1)上来制造第二前体‑层(6)，和在第三阶段中，通过将金属铜、铟和镓沉积到第二前体‑层(6)上来制造第三前体‑层(5.2)；‑在工艺室(13)中如此热处理该至少一个前体‑层堆叠体(11)，以使第一前体‑层(5.1)的金属、第二前体‑层(6)的至少一种硫族元素和第三前体‑层(5.2)的金属反应性转化成化合物半导体(2)。

公开(公告)号：CN104885191A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380066999.3

申请日：2013-12-11

Applicant: 法国圣戈班玻璃厂

Inventor： S.约斯特 ,  R.莱希纳 ,  T.达利博尔 ,  P.埃雷尔兹

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/36

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0749

Abstract: 本发明涉及制造化合物半导体(2)的方法，其包括下面的步骤：-制造至少一个前体-层堆叠体(11)，其由第一前体-层(5.1)、第二前体-层(6)和第三前体-层(5.2)组成，其中在第一阶段中，通过将金属铜、铟和镓沉积到基体(12)上来制造第一前体-层(5.1)，和在第二阶段中，通过将选自硫和硒的至少一种硫族元素沉积到第一前体-层(5.1)上来制造第二前体-层(6)，和在第三阶段中，通过将金属铜、铟和镓沉积到第二前体-层(6)上来制造第三前体-层(5.2)；-在工艺室(13)中如此热处理该至少一个前体-层堆叠体(11)，以使第一前体-层(5.1)的金属、第二前体-层(6)的至少一种硫族元素和第三前体-层(5.2)的金属反应性转化成化合物半导体(2)。