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公开(公告)号：CN109639293A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811420935.X
申请日：2018-11-27
申请人： 河北东森电子科技有限公司
CPC分类号： H04B1/0483 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F2200/451 , H04B1/036 , H04B2001/0416 , H04B2001/0491
摘要： 本发明公开了一种一体化设计的Ka/Ku双频BUC,包含一个中频信号和参考信号共用输入端口、两个射频输出端口、一个电源输入端口及一个低频控制信号输入端口，该Ka/Ku双频BUC一体集成有Ka、Ku两个频段的上变频单元和功率放大单元，并通过一控制终端实现切换，同时具有共用的散热单元、电源单元及监控单元；其中，该双频BUC中频输入端接收信号，通过控制终端选择Ka频段或Ku频段，对选中的频段进行功率放大，并发送至天线。本发明的小体积Ka/Ku双频BUC，可双频一体交替工作以能确保商用飞机在全球空域飞行，跨越不同地域不同卫星通信频段，能够实现切换自如实时通信。
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公开(公告)号：CN109450391A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811160465.8
申请日：2018-09-30
申请人： 深圳市安芯物联科技有限公司
发明人： 冯玉玲
CPC分类号： H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/451
摘要： 本发明公开了一种射频阻抗匹配方法、控制装置配和匹配器、以及射频设备。该射频阻抗匹配方法包括：根据预设的匹配规则从一组预设阻抗匹配参数中选择一个最佳的阻抗匹配参数，其中，所述一组预设阻抗匹配参数包括若干预设阻抗匹配参数，所述若干预设阻抗匹配参数根据所述射频处理对象的阻抗预设变化范围和史密斯原图进行设置，所述阻抗预设变化范围根据所述射频处理对象的应用进行设置；根据最佳的阻抗匹配参数控制所述阻抗匹配网络选择相应的阻抗接入所述射频源和所述射频处理对象之间。本发明通过对阻抗匹配参数范围的限定，缩小了阻抗匹配的范围，减少了阻抗匹配的次数，有效提高了匹配的效率。
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公开(公告)号：CN109067369A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810737142.4
申请日：2018-07-06
申请人： 京信通信系统(中国)有限公司 , 京信通信系统(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司 , 天津京信通信系统有限公司
CPC分类号： H03F1/3241 , H03F3/213 , H03F3/24 , H03F2200/372
摘要： 本发明涉及一种预失真优化方法，包括如下步骤：采集预失真环路中功率放大器的输入信号和功放反馈信号；根据输入信号和功放反馈信号，进行非线性响应估计，得到估计信号；对估计信号进行除噪处理，得到除噪估计信号；根据除噪估计信号和输入信号进行信号恢复，得到恢复后的功放反馈信号；将采集的所述输入信号和恢复后的所述功放反馈信号输入所述预失真环路中的预失真模块。通过对估计信号进行除噪处理，进而根据得到的除噪估计信号和前述的输入信号恢复得到恢复后的功放反馈信号，最终根据恢复后的功放反馈信号和前述的输入信号进行预失真处理。有效解决了传统的预失真方法中预失真效率较低的问题，大幅提高了预失真的效率。
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公开(公告)号：CN109039291A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810053068.4
申请日：2018-01-19
申请人： 三星电机株式会社
CPC分类号： H04B1/006 , H03H9/0009 , H04B1/0078 , H03F3/24 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/451
摘要： 本发明提供一种功率放大器系统的频带选择开关设备，所述频带选择开关设备包括：第一开关，包括设置在发送输入端子和第一发送接收端子之间的第一串联开关；第二开关，包括设置在所述发送输入端子和第一发送端子之间的第二串联开关；以及第三开关，包括设置在第一接收输出端子和所述第一发送接收端子之间的第三串联开关。第一串联开关包括：第一串联开关电路，包括连接在所述发送输入端子和第一中间节点之间的第一串联开关元件；第二串联开关电路，包括连接在所述第一中间节点和所述第一发送接收端子之间的第二串联开关元件；以及第一分路开关电路，包括连接在所述第一中间节点和接地之间的第一分路开关元件。
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公开(公告)号：CN108933574A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810358206.X
申请日：2018-04-19
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 佐藤秀幸
IPC分类号： H03F3/21
CPC分类号： H03F3/213 , H03F1/083 , H03F1/302 , H03F3/195 , H03F2200/21 , H03F2200/222 , H03F2200/267 , H03F2200/297 , H03F2200/451 , H03G3/3042
摘要： 本发明提供一种能够抑制大信号输入时的增益压缩的功率放大电路。功率放大电路具备：第一放大晶体管，在基极被供给输入信号，并从集电极输出放大了输入信号的第一放大信号；第一偏置电路，向第一放大晶体管的基极供给第一电流或第一电压；第二偏置电路，向第一放大晶体管的基极供给第二电流或第二电压；以及第一电阻元件，串联连接在第一放大晶体管的基极与第一偏置电路之间，第二偏置电路具备：二极管，在阳极被供给电源电压；阻抗电路，设置在二极管的阴极与接地之间；以及第一电容元件，一端与二极管的阴极和阻抗电路的连接点连接，并从另一端向第一放大晶体管的基极供给第二电流或第二电压。
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公开(公告)号：CN108736844A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810939733.X
申请日：2018-08-17
申请人： 成都航天科工微电子系统研究院有限公司 , 南京米乐为微电子科技有限公司
CPC分类号： H03F3/213 , G06F17/5009 , G06F17/5063 , G06F2217/38 , H03F1/0205
摘要： 本发明公开了一种准单片集成氮化镓高功率放大器及组装方法，包括：砷化镓驱动芯片、氮化镓有源管芯芯片、砷化镓无源功率合成芯片、直流偏置以及控制补偿电路和散热片。本发明可以在保证性能的情况下，极大的降低氮化镓功率放大器的成本，提高氮化镓功率放大器的可靠性。
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公开(公告)号：CN108735698A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810261605.4
申请日：2018-03-27
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H01L23/485 , H01L27/06 , H01L21/60
CPC分类号： H03F1/52 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/0274 , H01L21/2654 , H01L21/28575 , H01L21/30612 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76895 , H01L21/76898 , H01L23/291 , H01L23/3121 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/5383 , H01L23/5386 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L25/16 , H01L27/0248 , H01L27/0605 , H01L27/0635 , H01L27/0652 , H01L29/045 , H01L29/0642 , H01L29/0657 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/36 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/452 , H01L29/66204 , H01L29/66318 , H01L29/7371 , H01L29/861 , H01L2224/0221 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0362 , H01L2224/04042 , H01L2224/05025 , H01L2224/05084 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/0518 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/45144 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48463 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/10329 , H01L2924/10337 , H01L2924/13051 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/426 , H03F2200/444
摘要： 本发明提供一种在使用了包含化合物半导体的基板的半导体装置中，能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在包含化合物半导体的基板上形成电路元件。在电路元件上，接合焊盘被配置为与电路元件至少局部重叠。接合焊盘包含第1金属膜以及形成于第1金属膜上的第2金属膜。第2金属膜的金属材料比第1金属膜的金属材料硬。
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公开(公告)号：CN108242919A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711112403.5
申请日：2017-11-13
申请人： 三星电机株式会社
CPC分类号： H03H11/28 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03H7/383 , H03H2001/0085
摘要： 本发明提供一种功率放大器的阻抗匹配电路，所述阻抗匹配电路包括多层基板、微带线、螺旋电感器、第一电容器电路和第二电容器电路。所述多层基板包括功率放大器，所述微带线设置在第一层基板上且连接到所述功率放大器。所述螺旋电感器包括设置在所述第一层基板上且连接到所述微带线的第一螺旋传输线、设置在位于所述第一层基板下面的基板层上且连接到所述第一螺旋传输线的第二螺旋传输线、以及设置在所述第一层基板上且连接到所述第二螺旋传输线的输出垫。所述第一电容器电路设置在所述螺旋电感器的外部，且连接在所述微带线与地之间。第二电容器电路设置在所述螺旋电感器的外部，且连接在所述输出垫与所述地之间。
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公开(公告)号：CN108111135A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710872537.0
申请日：2017-09-25
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H03F1/0205 , H03F1/0261 , H03F1/22 , H03F1/56 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/451 , H03F2200/516 , H03F3/21 , H03F1/0222 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F2200/504
摘要： 本发明提供一种能够抑制电路规模的增大，并且实现最大输出功率的增大的功率放大电路。本发明的功率放大电路包括：第一晶体管；第二晶体管；第一偏置电路，其提供第一偏置电流或电压；第二偏置电路，其提供第二偏置电流或电压；第一电感器；以及第一电容器，对第一晶体管的集电极提供电源电压，第一晶体管的发射极接地，对第一晶体管的基极提供无线频率信号以及第一偏置电流或电压，对第二晶体管的集电极提供电源电压，第二晶体管的发射极通过第一电容器与第一晶体管的集电极连接，并且通过第一电感器接地，对第二晶体管的基极提供第二偏置电流或电压，从第二晶体管的集电极输出将无线频率信号放大后的放大信号。
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公开(公告)号：CN108075736A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201611033624.9
申请日：2016-11-16
申请人： 恩智浦美国有限公司
CPC分类号： H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/451 , H03H7/1758 , H03H7/1775 , H03H7/38
摘要： 本公开涉及阻抗匹配电路。阻抗匹配电路包括谐振电路、第一和第二电容器以及第一至第三电感性电路。谐振电路包括与电容性电路并联连接的第四电感性电路。阻抗匹配电路接收射频功率放大器(RFPA)输出信号，该RFPA输出信号包括分别处于第一频率和第二频率的第一信号和第二信号。谐振电路的谐振频率在第一频率和第二频率之间。谐振电路分别向第一信号和第二信号提供电感性阻抗和电容性阻抗。阻抗匹配电路生成包括第一信号和第二信号的经匹配的RFPA输出信号，其中第二信号处于降低的电压电平。
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