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公开(公告)号：CN109477936B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201780042757.9
申请日：2017-07-13
申请人： 洛克利光子有限公司
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/43 , G02B6/13 , G02B6/122 , H01L21/762 , H01S5/026 , H01L25/16 , H01S5/343 , G02B6/132 , G02B6/134 , H01L27/12 , G02B6/42 , G02B6/136
摘要： 一种用于使用具有CMOS线和光子线的制造系统制造集成结构的方法，包括以下步骤：在所述光子线中，在硅晶片中制造第一光子部件；将所述晶片从所述光子线转移到所述CMOS线；以及在所述CMOS线中，在所述硅晶片中制造CMOS部件。另外，一种单片集成结构包括其中形成有波导和CMOS部件的硅晶片，其中所述波导结构包括远离所述硅晶片的上表面而延伸的隆脊。还提供一种单片集成结构，所述单片集成结构具有形成于其中的光子部件和CMOS部件，所述光子部件包括宽度为0.5μm至13μm的波导。
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公开(公告)号：CN109564362B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201780038799.5
申请日：2017-11-23
申请人： 洛克利光子有限公司
摘要： 本文公开了一种光电装置以及制造所述光电装置的方法。所述装置包括：衬底；位于所述衬底顶部的外延结晶包层；以及在所述外延结晶包层上方的光学有源区；其中所述外延结晶包层的折射率小于所述光学有源区的折射率，使得所述光电装置的光功率被限制在所述光学有源区。(56)对比文件CN 112074779 A,2020.12.11US 2011170819 A1,2011.07.14WO 2015122022 A1,2015.08.20US 2013195397 A1,2013.08.01JP 2011232567 A,2011.11.17JP 2005300678 A,2005.10.27US 5581396 A,1996.12.03CN 102162137 A,2011.08.24US 2013051727 A1,2013.02.28US 2013182305 A1,2013.07.18刘颂豪等“.硅锗光波导”《.光子学技术与应用》.广东科技出版社,2006,第478-479页.孙桂林 等.“半导体激光器生长新工艺”.《激光与光电子学进展》.1993,(第2期),全文.李亚明;李晶.新型紧凑硅基电光调制器研究.无线电通信技术.2016,(第04期),全文.宋世娇;安俊明;胡雄伟.slot波导包覆层对功率密度的影响.半导体光电.2010,(第05期),全文.赵丽亚;王乐;杨妍;刘克.InP基矩形马赫-曾德高速电光调制器行波电极设计与测试.光子学报.2017,(第05期),全文.
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公开(公告)号：CN109564362A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780038799.5
申请日：2017-11-23
申请人： 洛克利光子有限公司
摘要： 本文公开了一种光电装置以及制造所述光电装置的方法。所述装置包括：衬底；位于所述衬底顶部的外延结晶包层；以及在所述外延结晶包层上方的光学有源区；其中所述外延结晶包层的折射率小于所述光学有源区的折射率，使得所述光电装置的光功率被限制在所述光学有源区。
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公开(公告)号：CN109642985A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780043323.0
申请日：2017-07-13
申请人： 洛克利光子有限公司
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/14 , H01L21/84 , H01L21/762 , G02B6/136 , G02B6/12 , G02B6/30 , G02B6/42 , H01S5/02 , G02B6/13
摘要： 本案提供一种光学模式转换器和由包括双绝缘体上硅层结构的晶片制造所述光学模式转换器的方法。所述方法包括：在DSOI层结构的装置层的部分上提供第一掩膜；向下蚀刻装置层的未遮掩部分至至少上掩埋氧化物层，由此提供腔；蚀刻第一隔离沟槽和第二隔离沟槽至模式转换器层，所述模式转换器层：在上掩埋氧化物层相对于装置层的相对侧上并且介于上掩埋氧化物层与下掩埋氧化物层之间，下掩埋氧化物层在衬底上方；其中第一隔离沟槽和第二隔离沟槽限定锥形波导；用绝缘材料填充第一隔离沟槽和第二隔离沟槽，由此光学隔离锥形波导与剩余的模式转换器层；和再生长装置层的所蚀刻区域。
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公开(公告)号：CN109642985B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201780043323.0
申请日：2017-07-13
申请人： 洛克利光子有限公司
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/14 , H01L21/84 , H01L21/762 , G02B6/136 , G02B6/12 , G02B6/30 , G02B6/42 , H01S5/02 , G02B6/13
摘要： 本案提供一种光学模式转换器和由包括双绝缘体上硅层结构的晶片制造所述光学模式转换器的方法。所述方法包括：在DSOI层结构的装置层的部分上提供第一掩膜；向下蚀刻装置层的未遮掩部分至至少上掩埋氧化物层，由此提供腔；蚀刻第一隔离沟槽和第二隔离沟槽至模式转换器层，所述模式转换器层：在上掩埋氧化物层相对于装置层的相对侧上并且介于上掩埋氧化物层与下掩埋氧化物层之间，下掩埋氧化物层在衬底上方；其中第一隔离沟槽和第二隔离沟槽限定锥形波导；用绝缘材料填充第一隔离沟槽和第二隔离沟槽，由此光学隔离锥形波导与剩余的模式转换器层；和再生长装置层的所蚀刻区域。
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公开(公告)号：CN109477936A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780042757.9
申请日：2017-07-13
申请人： 洛克利光子有限公司
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/43 , G02B6/13 , G02B6/122 , H01L21/762 , H01S5/026 , H01L25/16 , H01S5/343 , G02B6/132 , G02B6/134 , H01L27/12 , G02B6/42 , G02B6/136
CPC分类号： G02B6/12 , G02B6/12004 , G02B6/1223 , G02B6/131 , G02B6/132 , G02B6/1347 , G02B6/136 , G02B6/42 , G02B2006/12038 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/121 , G02B2006/12147 , G02B2006/12152 , G02B2006/12176 , G02B2006/12178 , G02B2006/12195 , H01L21/76224 , H01L21/7624 , H01L21/76264 , H01L21/823821 , H01L21/8258 , H01S5/021 , H01S5/0216
摘要： 一种用于使用具有CMOS线和光子线的制造系统制造集成结构的方法，包括以下步骤：在所述光子线中，在硅晶片中制造第一光子部件；将所述晶片从所述光子线转移到所述CMOS线；以及在所述CMOS线中，在所述硅晶片中制造CMOS部件。另外，一种单片集成结构包括其中形成有波导和CMOS部件的硅晶片，其中所述波导结构包括远离所述硅晶片的上表面而延伸的隆脊。还提供一种单片集成结构，所述单片集成结构具有形成于其中的光子部件和CMOS部件，所述光子部件包括宽度为0.5μm至13μm的波导。
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