公开(公告)号：CN118173432A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410141196.X

申请日：2024-01-31

申请人： 济南晶正电子科技有限公司

发明人： 殷菲菲 ,  耿兴华 ,  董玉爽 ,  连坤 ,  陈明珠 ,  王金翠

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/20 ,  B32B9/04 ,  B32B33/00

摘要： 本申请提供一种低翘曲的复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜从下至上依次包括支撑层、衬底层和有源层，所述支撑层的材质为金属材料；所述制备方法包括：准备衬底晶圆和供体晶圆；将衬底晶圆与供体晶圆键合得到复合薄膜；对复合薄膜的衬底层进行化学机械抛光，降低衬底层的粗糙度，获得光滑平坦的衬底层；在衬底层上镀一层支撑层。通过复合薄膜的衬底层进行磁控溅射，镀上一层坚硬的金属层作为支撑，以降低晶圆在后续工艺中发生的变形程度，达到降低翘曲的目的。

公开(公告)号：CN117116759A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311146720.4

申请日：2023-09-07

申请人： 济南晶正电子科技有限公司

发明人： 连坤 ,  王金翠 ,  陈明珠 ,  张涛 ,  耿兴华 ,  曹丽娜 ,  殷菲菲 ,  闫青芝 ,  董玉爽

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/762

摘要： 本发明公开了一种衬底外延层表面寄生电导效应的方法，包括以下步骤：在衬底基体上沉积吸杂层，无氧气氛下退火得到衬底基体/吸杂层；对吸杂层进行腐蚀，得到无杂质衬底层。利用这种方法得到的衬底外延层制备复合薄膜的方法为：薄膜基体通过离子注入形成薄膜层、注入层和余质层，将薄膜层和无杂质衬底层的工艺面键合得键合体，对键合体热处理，剥离余质层，得到复合薄膜。本发明通过在衬底层上制备吸杂层，在无氧气氛下退火对衬底层所含杂质以及游离的电荷进行吸附，然后再腐蚀掉吸杂层的方法，使得衬底外延层表面的表面寄生电导效应得到有效抑制，保证衬底层在后续制备复合薄膜或器件时不会产生表面寄生电导效应。

公开(公告)号：CN221294265U

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202323127222.3

申请日：2023-11-20

申请人： 济南晶正电子科技有限公司

发明人： 杜科君 ,  纪鹏飞 ,  胡文 ,  耿兴华

IPC分类号： B65B33/02

摘要： 本申请实施例提供一种贴膜工装，包括支撑机构，放卷机构、收卷机构和贴膜机构；支撑机构支撑于工作台；放卷机构转动设置于支撑机构，放卷机构用于带动膜卷绕放卷机构的转动轴转动；收卷机构转动设置于支撑机构，支撑机构用于收集第一粘贴层；贴膜机构设置于放卷机构和收卷机构的一侧，贴膜机构包括驱动组件和贴膜组件，驱动组件的一端设置于支撑机构，驱动组件的另一端向工作台方向延伸，且贴膜组件转动设置于驱动组件的另一端，粘贴有第一粘贴层的保护膜由放卷机构向贴膜组件和工作台表面之间延伸，且保护膜朝向工作台的一面设置。通过本申请的设置提供了一种简化贴膜工序、节省人力、且贴膜效率高的贴膜工装。