-
公开(公告)号：CN111761505B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010662139.8
申请日：2020-07-10
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种硅片双面磨削设备及其生产工艺，包括上下研磨盘系统、装载待磨削硅片的下行星盘、设置于上研磨盘系统上的喷扫除屑系统，该喷扫除屑系统包括对应下行星盘设置的上行星盘机构、与上行星盘机构连通设置的供液装置以及驱动上行星盘机构自转的上传动组件，上行星盘机构公转至相对应的下行星盘上方时触发出液，清洗液在自转离心作用下呈花洒状喷出将磨削杂质由下行星盘的中心向外圈喷除并清扫，再配合下研磨盘系统上设置的排屑挤出系统将杂质混合液挤出转移并过滤回收处理，自动供液的同时通过巧妙设计出液方式将磨削杂质同步及时清除，解决了现有技术中存在的磨削杂质无法及时清除、硅片成品品质差、良率低的技术问题。
-
公开(公告)号：CN109909898B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910269267.3
申请日：2019-04-04
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
摘要： 本发明涉一种半导体材料研磨用CeO2磨盘及其制备工艺，该制备工艺包括如下步骤：步骤一、采用高温熔炼法制备CeO2磨盘成型料；步骤二、CeO2磨盘的成型；步骤三、CeO2磨盘成型坯体的固化；步骤四、CeO2磨盘的烧结；以及步骤五、CeO2磨盘的加工。本发明具有如下有益效果：磨盘中的CeO2磨料是在磨盘烧结过程中，从母体玻璃相中原位析出的，CeO2磨料尺寸细小均匀，磨料在磨盘中的分布不存在团聚现象；磨盘中CeO2磨料的粘结相为玻璃相，与树脂CeO2磨盘相比，弹性模量高，在平面研磨单晶硅片时，不易产生弹性变形，研磨出的硅片的直线度好，直线度误差可低于1μm/cm；磨盘中的玻璃相为特殊配方的软质玻璃相，在研磨硅片过程中不会划伤硅片表面，加工后硅片的表面质量好。
-
公开(公告)号：CN111761516B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202010661659.7
申请日：2020-07-10
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
IPC分类号： B24B53/017 , B24B57/02
摘要： 本发明涉及硅片研磨设备修正加工领域，具体涉及一种硅片研磨盘修正设备及其修正工艺，包括的上研磨盘系统、下研磨盘系统以及若干设置于所述上研磨盘系统和下研磨盘系统之间的修整轮，修整轮上的中心缺口处设置有回喷系统，通过在修正轮上设置回喷机构，利用回喷机构将上研磨盘系统与下研磨盘系统吸引之间的研磨液进行回收再喷洒利用，充分保证上研磨盘系统与下研磨盘系统之间研磨液的分布均匀，提高研磨效果的同时，减少研磨液的使用，解决现有研磨修正设备精度低、效率差及污染重的技术问题。
-
公开(公告)号：CN111607359B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202010441370.4
申请日：2020-05-22
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种新型氧化锆复合磨料的制备工艺及研磨液，先制备氧化锆复合磨料有机前驱溶胶；再对有机前驱溶胶的造粒；然后烧结，获得氧化锆复合磨料。本发明制备的氧化锆复合磨料由无数微小的氧化锆颗粒通过晶界处的硼铝酸盐熔体粘接而成，虽宏观尺寸较大，在研磨硅片过程中氧化锆复合磨料沿玻璃结合界面断裂，磨料的磨损为微量破碎式磨损，在磨削的过程中不断地破损产生大量的、新的、细小的磨削刃，该复合磨料，具有很高的自锐性，磨削效率比氧化铝磨料提高30%以上；另外，被研磨物体表面为大量细小的研磨痕，研磨后的工件的表面粗糙度值更低，而且使用过程中可以提供稳定一致的磨削量，能够有效地兼顾磨削效率和被磨削工件的表面质量。
-
公开(公告)号：CN111761505A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010662139.8
申请日：2020-07-10
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种硅片双面磨削设备及其生产工艺，包括上下研磨盘系统、装载待磨削硅片的下行星盘、设置于上研磨盘系统上的喷扫除屑系统，该喷扫除屑系统包括对应下行星盘设置的上行星盘机构、与上行星盘机构连通设置的供液装置以及驱动上行星盘机构自转的上传动组件，上行星盘机构公转至相对应的下行星盘上方时触发出液，清洗液在自转离心作用下呈花洒状喷出将磨削杂质由下行星盘的中心向外圈喷除并清扫，再配合下研磨盘系统上设置的排屑挤出系统将杂质混合液挤出转移并过滤回收处理，自动供液的同时通过巧妙设计出液方式将磨削杂质同步及时清除，解决了现有技术中存在的磨削杂质无法及时清除、硅片成品品质差、良率低的技术问题。
-
公开(公告)号：CN111607359A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010441370.4
申请日：2020-05-22
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种新型氧化锆复合磨料的制备工艺及研磨液，先制备氧化锆复合磨料有机前驱溶胶；再对有机前驱溶胶的造粒；然后烧结，获得氧化锆复合磨料。本发明制备的氧化锆复合磨料由无数微小的氧化锆颗粒通过晶界处的硼铝酸盐熔体粘接而成，虽宏观尺寸较大，在研磨硅片过程中氧化锆复合磨料沿玻璃结合界面断裂，磨料的磨损为微量破碎式磨损，在磨削的过程中不断地破损产生大量的、新的、细小的磨削刃，该复合磨料，具有很高的自锐性，磨削效率比氧化铝磨料提高30%以上；另外，被研磨物体表面为大量细小的研磨痕，研磨后的工件的表面粗糙度值更低，而且使用过程中可以提供稳定一致的磨削量，能够有效地兼顾磨削效率和被磨削工件的表面质量。
-
公开(公告)号：CN108515470A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810538590.1
申请日：2018-05-30
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
IPC分类号： B24D18/00
摘要： 本发明公开了一种金刚石复合磨盘的制备工艺，该方法包括以下步骤：(1)将金刚石磨料进行表面改性；(2)用不饱和聚酯树脂粘结磨料制备金刚石磨盘；(3)除去硫酸镁，获得多孔不饱和聚酯树脂金刚石磨盘；(4)真空加热条件下浸渍制备金刚石复合磨盘。在磨削过程中磨盘对单晶硅片既有机械磨除作用也有化学反应去除作用，磨削效率比现行机械研磨法提高一倍以上。
-
公开(公告)号：CN109909898A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910269267.3
申请日：2019-04-04
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
摘要： 本发明涉一种半导体材料研磨用CeO2磨盘及其制备工艺，该制备工艺包括如下步骤：步骤一、采用高温熔炼法制备CeO2磨盘成型料；步骤二、CeO2磨盘的成型；步骤三、CeO2磨盘成型坯体的固化；步骤四、CeO2磨盘的烧结；以及步骤五、CeO2磨盘的加工。本发明具有如下有益效果：磨盘中的CeO2磨料是在磨盘烧结过程中，从母体玻璃相中原位析出的，CeO2磨料尺寸细小均匀，磨料在磨盘中的分布不存在团聚现象；磨盘中CeO2磨料的粘结相为玻璃相，与树脂CeO2磨盘相比，弹性模量高，在平面研磨单晶硅片时，不易产生弹性变形，研磨出的硅片的直线度好，直线度误差可低于1μm/cm；磨盘中的玻璃相为特殊配方的软质玻璃相，在研磨硅片过程中不会划伤硅片表面，加工后硅片的表面质量好。
-
公开(公告)号：CN111761516A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010661659.7
申请日：2020-07-10
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
IPC分类号： B24B53/017 , B24B57/02
摘要： 本发明涉及硅片研磨设备修正加工领域，具体涉及一种硅片研磨盘修正设备及其修正工艺，包括的上研磨盘系统、下研磨盘系统以及若干设置于所述上研磨盘系统和下研磨盘系统之间的修整轮，修整轮上的中心缺口处设置有回喷系统，通过在修正轮上设置回喷机构，利用回喷机构将上研磨盘系统与下研磨盘系统吸引之间的研磨液进行回收再喷洒利用，充分保证上研磨盘系统与下研磨盘系统之间研磨液的分布均匀，提高研磨效果的同时，减少研磨液的使用，解决现有研磨修正设备精度低、效率差及污染重的技术问题。
-
公开(公告)号：CN108515470B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201810538590.1
申请日：2018-05-30
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
IPC分类号： B24D18/00
摘要： 本发明公开了一种金刚石复合磨盘的制备工艺，该方法包括以下步骤：(1)将金刚石磨料进行表面改性；(2)用不饱和聚酯树脂粘结磨料制备金刚石磨盘；(3)除去硫酸镁，获得多孔不饱和聚酯树脂金刚石磨盘；(4)真空加热条件下浸渍制备金刚石复合磨盘。在磨削过程中磨盘对单晶硅片既有机械磨除作用也有化学反应去除作用，磨削效率比现行机械研磨法提高一倍以上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
11 条记录 (耗时 0.049 秒)