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公开(公告)号：CN111761516A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010661659.7
申请日：2020-07-10
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
IPC分类号： B24B53/017 , B24B57/02
摘要： 本发明涉及硅片研磨设备修正加工领域，具体涉及一种硅片研磨盘修正设备及其修正工艺，包括的上研磨盘系统、下研磨盘系统以及若干设置于所述上研磨盘系统和下研磨盘系统之间的修整轮，修整轮上的中心缺口处设置有回喷系统，通过在修正轮上设置回喷机构，利用回喷机构将上研磨盘系统与下研磨盘系统吸引之间的研磨液进行回收再喷洒利用，充分保证上研磨盘系统与下研磨盘系统之间研磨液的分布均匀，提高研磨效果的同时，减少研磨液的使用，解决现有研磨修正设备精度低、效率差及污染重的技术问题。
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公开(公告)号：CN114619370A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210377924.8
申请日：2022-04-12
申请人： 浙江工业大学 , 浙江中晶科技股份有限公司
IPC分类号： B24B53/065
摘要： 本发明涉及一种硅片倒角砂轮修整装置，属于砂轮修整技术领域，它包括工作台和间隔设于工作台上的工件放置机构和修整机构，所述工件放置机构至少包括竖直向上延伸的放置转轴和用于驱动放置转轴自转的第一驱动件，所述放置转轴顶部形成有供砂轮套装于放置转轴上的固定部，所述放置转轴上设有位于固定部下方的对槽辅助部，所述修整机构至少包括能上下升降且能沿放置转轴的径向水平移动的移动部，所述移动部上固定有上下间隔设置的砂轮修整器和对槽检测部。本发明能够有效防止修整时砂轮修整器损坏砂轮槽槽壁上的磨粒结构，延长砂轮的使用寿命下降，同时能够保证修整的效果，从而保证砂轮后续倒角加工的质量。
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公开(公告)号：CN111761516B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202010661659.7
申请日：2020-07-10
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
IPC分类号： B24B53/017 , B24B57/02
摘要： 本发明涉及硅片研磨设备修正加工领域，具体涉及一种硅片研磨盘修正设备及其修正工艺，包括的上研磨盘系统、下研磨盘系统以及若干设置于所述上研磨盘系统和下研磨盘系统之间的修整轮，修整轮上的中心缺口处设置有回喷系统，通过在修正轮上设置回喷机构，利用回喷机构将上研磨盘系统与下研磨盘系统吸引之间的研磨液进行回收再喷洒利用，充分保证上研磨盘系统与下研磨盘系统之间研磨液的分布均匀，提高研磨效果的同时，减少研磨液的使用，解决现有研磨修正设备精度低、效率差及污染重的技术问题。
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公开(公告)号：CN114619370B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210377924.8
申请日：2022-04-12
申请人： 浙江工业大学 , 浙江中晶科技股份有限公司
IPC分类号： B24B53/065
摘要： 本发明涉及一种硅片倒角砂轮修整装置，属于砂轮修整技术领域，它包括工作台和间隔设于工作台上的工件放置机构和修整机构，所述工件放置机构至少包括竖直向上延伸的放置转轴和用于驱动放置转轴自转的第一驱动件，所述放置转轴顶部形成有供砂轮套装于放置转轴上的固定部，所述放置转轴上设有位于固定部下方的对槽辅助部，所述修整机构至少包括能上下升降且能沿放置转轴的径向水平移动的移动部，所述移动部上固定有上下间隔设置的砂轮修整器和对槽检测部。本发明能够有效防止修整时砂轮修整器损坏砂轮槽槽壁上的磨粒结构，延长砂轮的使用寿命下降，同时能够保证修整的效果，从而保证砂轮后续倒角加工的质量。
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公开(公告)号：CN114917797A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210630676.3
申请日：2022-06-06
申请人： 浙江工业大学 , 浙江中晶科技股份有限公司
IPC分类号： B01F27/90 , B01F23/80 , B01F23/70 , B01D36/02 , B01D33/48 , B01D33/04 , B24B57/00 , B24B57/02
摘要： 本发明属于硅片磨削加工技术领域，具体涉及一种硅片研磨料浆循环装置，包括：粗过滤器，用于对硅片研磨料浆进行粗过滤；料浆收集桶，用于收集经过粗过滤的硅片研磨料浆；皮带式过滤机构，用于对料浆收集桶内的硅片研磨料浆进行精过滤；料浆输出桶，用于收集经过精过滤的硅片研磨料浆；其中，料浆输出桶具有料浆输出口，用于输出硅片研磨料浆以对硅片进行研磨加工。本发明的硅片研磨料浆循环装置，将过滤环节分解为粗过滤与精过滤两道工序，其中，精过滤环节设计的皮带式过滤机构，使得过滤网通过皮带式的转动进行循环，不停更新进行过滤的滤孔，减少堵塞的问题发生。
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公开(公告)号：CN111761505B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010662139.8
申请日：2020-07-10
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种硅片双面磨削设备及其生产工艺，包括上下研磨盘系统、装载待磨削硅片的下行星盘、设置于上研磨盘系统上的喷扫除屑系统，该喷扫除屑系统包括对应下行星盘设置的上行星盘机构、与上行星盘机构连通设置的供液装置以及驱动上行星盘机构自转的上传动组件，上行星盘机构公转至相对应的下行星盘上方时触发出液，清洗液在自转离心作用下呈花洒状喷出将磨削杂质由下行星盘的中心向外圈喷除并清扫，再配合下研磨盘系统上设置的排屑挤出系统将杂质混合液挤出转移并过滤回收处理，自动供液的同时通过巧妙设计出液方式将磨削杂质同步及时清除，解决了现有技术中存在的磨削杂质无法及时清除、硅片成品品质差、良率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN111607359B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202010441370.4
申请日：2020-05-22
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种新型氧化锆复合磨料的制备工艺及研磨液，先制备氧化锆复合磨料有机前驱溶胶；再对有机前驱溶胶的造粒；然后烧结，获得氧化锆复合磨料。本发明制备的氧化锆复合磨料由无数微小的氧化锆颗粒通过晶界处的硼铝酸盐熔体粘接而成，虽宏观尺寸较大，在研磨硅片过程中氧化锆复合磨料沿玻璃结合界面断裂，磨料的磨损为微量破碎式磨损，在磨削的过程中不断地破损产生大量的、新的、细小的磨削刃，该复合磨料，具有很高的自锐性，磨削效率比氧化铝磨料提高30%以上；另外，被研磨物体表面为大量细小的研磨痕，研磨后的工件的表面粗糙度值更低，而且使用过程中可以提供稳定一致的磨削量，能够有效地兼顾磨削效率和被磨削工件的表面质量。
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公开(公告)号：CN111761505A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010662139.8
申请日：2020-07-10
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种硅片双面磨削设备及其生产工艺，包括上下研磨盘系统、装载待磨削硅片的下行星盘、设置于上研磨盘系统上的喷扫除屑系统，该喷扫除屑系统包括对应下行星盘设置的上行星盘机构、与上行星盘机构连通设置的供液装置以及驱动上行星盘机构自转的上传动组件，上行星盘机构公转至相对应的下行星盘上方时触发出液，清洗液在自转离心作用下呈花洒状喷出将磨削杂质由下行星盘的中心向外圈喷除并清扫，再配合下研磨盘系统上设置的排屑挤出系统将杂质混合液挤出转移并过滤回收处理，自动供液的同时通过巧妙设计出液方式将磨削杂质同步及时清除，解决了现有技术中存在的磨削杂质无法及时清除、硅片成品品质差、良率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN111607359A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010441370.4
申请日：2020-05-22
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种新型氧化锆复合磨料的制备工艺及研磨液，先制备氧化锆复合磨料有机前驱溶胶；再对有机前驱溶胶的造粒；然后烧结，获得氧化锆复合磨料。本发明制备的氧化锆复合磨料由无数微小的氧化锆颗粒通过晶界处的硼铝酸盐熔体粘接而成，虽宏观尺寸较大，在研磨硅片过程中氧化锆复合磨料沿玻璃结合界面断裂，磨料的磨损为微量破碎式磨损，在磨削的过程中不断地破损产生大量的、新的、细小的磨削刃，该复合磨料，具有很高的自锐性，磨削效率比氧化铝磨料提高30%以上；另外，被研磨物体表面为大量细小的研磨痕，研磨后的工件的表面粗糙度值更低，而且使用过程中可以提供稳定一致的磨削量，能够有效地兼顾磨削效率和被磨削工件的表面质量。
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公开(公告)号：CN215472273U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202122058302.2
申请日：2021-08-30
申请人： 浙江中晶科技股份有限公司
摘要： 本实用新型提供一种硅棒晶向角度调节装置，包括：底座，以及安装于所述底座上并用于承载晶棒的载台，还包括：安装于所述底座上的调节机构；通过在底座上转动安装用于粘接晶棒的载台，并在底座上设置与载台偏心铰接的调节机构，通过手动转动调节机构以带动载台进行水平转动，配合刻度实现载台安装角度的精准微调，进而实现晶棒粘接角度的微量可调，满足切割后硅片晶向度数的严格要求，操作简化的同时精度大大提高，解决了现有技术中晶棒粘接角度调节不便、精确度差、无法满足切割要求等技术问题。
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