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公开(公告)号：CN118887208A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411346453.X
申请日：2024-09-26
申请人： 浙江大学
IPC分类号： G06T7/00 , G06T7/10 , G06V10/26 , G06V10/40 , G06V10/74 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06N3/0455 , G06N3/084
摘要： 本发明公开一种机器学习辅助的晶圆制造工艺评估和异常检测方法，包括：基于领域专家知识构建一个文本提示库，包含对所有可能出现的缺陷的形貌描述，并经CLIP文本编码器得到文本特征向量；定制化图像特征提取，得到原始图像特征和新图像特征；原始图像特征基于少量样本微调后的转换层，得到转换后的原始图像特征，用它和文本特征计算相似度得到缺陷图AF；新图像特征与文本特征进行去冗余特征的相似度计算，得到缺陷图AV；缺陷图AF与AV相加得到最终的缺陷分割图；基于SEM缺陷图像，采用原始图像特征进行缺陷分类，并输出分类结果。本申请方法能够有效减少背景干扰，实现对纳米级晶圆表面缺陷高效且准确的分类分割。
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公开(公告)号：CN118627152A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411103524.3
申请日：2024-08-13
申请人： 浙江大学
IPC分类号： G06F30/10 , G06F30/27 , G06N7/01 , G06F111/06 , G06F111/08
摘要： 本发明公开一种基于蒙特卡洛树搜索的高维微架构设计空间探索方法，包括：构造设计空间；根据蒙特卡洛树搜索与贝叶斯优化结合的方法，动态地评估每个参数重要性，并根据重要性评估的当前结果来选择重要性更高的参数来进行贝叶斯优化，如此迭代直到时间预算耗尽，得到最终的帕累托设计集合。本发明方法通过蒙特卡洛树探索，动态地评估了每个参数的重要性并选择重要性高的参数进行贝叶斯优化，有效避免了高维贝叶斯优化效果差的问题，提高了高维参数设计空间探索的效率。且本方法是一套自动化的算法流程，只需要用户提供相应的可调参数设置以及EDA仿真工具的接口，从而方便用户的使用。
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公开(公告)号：CN118024121B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410435098.7
申请日：2024-04-11
申请人： 浙江大学
IPC分类号： B24B29/04 , B24B41/06 , B24B41/00 , B24B47/12 , B24B47/00 , B24B49/04 , B24B57/02 , B24B1/00
摘要： 本发明涉及一种轴承内外圈非圆滚道柔性控形加工装置及方法，属于轴承抛光领域，该装置包括：轴承夹持驱动机构，用于夹持轴承、驱动轴承上下移动、调整轴承角度及带动轴承旋转；柔性抛光磨头驱动机构，用于安装柔性抛光磨头、水平移动柔性抛光磨头，以及来回摆动柔性抛光磨头；柔性抛光磨头，用于与轴承待加工面接触进而实现待加工面的抛光；喷头，用于向轴承的待加工面喷射水或抛光液；所述柔性抛光磨头包括基体、橡胶套和抛光布，橡胶套固定在基体的前端，抛光布包裹橡胶套的前半部分。加工时，使得柔性抛光工具头接触区域服从赫兹接触理论，能很好地去除轴承周向误差与轴向误差，在满足表面粗糙度与圆度精度要求的同时，能较好的去除中频误差。
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公开(公告)号：CN118096799A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410524258.5
申请日：2024-04-29
申请人： 浙江大学
IPC分类号： G06T7/11 , G06T7/00 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06N3/0455 , G06N3/0895
摘要： 本发明公开了一种混合弱监督的晶圆SEM缺陷分割方法和系统，属于集成电路制造领域。收集晶圆SEM图像数据集并标注标签；采用ROI图像获取模块生成晶圆SEM图像对应的ROI图像，识别晶圆SEM图像中的关键区域；根据关键区域对晶圆SEM图像进行裁剪，得到增强晶圆SEM图像；利用增强晶圆SEM图像扩充初始数据集，利用扩充后的数据集训练基于编码‑解码结构的弱监督分割模块，所述的弱监督分割模块在编码过程中引入晶圆SEM图像对应的ROI图像对编码特征进行注意力调制；采用训练后的弱监督分割模块识别待处理晶圆SEM图像中存在缺陷的像素点。本发明在少量人工标注数据下能够实现对晶圆SEM缺陷图的精细分割。
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公开(公告)号：CN117819473B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410245124.X
申请日：2024-03-05
申请人： 浙江大学
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/3065 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种光电协同催化半导体原子刻蚀的异质工具制备及刻蚀方法，属于半导体材料原子及近原子尺度极端制造领域，该异质工具通过以下方式制备：以纳米级尖端半径的工具为基底，端沉积黏附层；在黏附层外构建均相掺杂异质结构光电催化薄膜或层状界面异质结构光电催化薄膜，进行热处理得到光电协同催化半导体原子刻蚀的异质工具。刻蚀时，通过光纤引入催化光源，辐照至催化工具表面调控其原子刻蚀效果。本发明依靠界面光电协同催化化学反应去除材料，不会产生亚表面缺陷损伤及裂纹，通过构建异质结构光电催化薄膜抑制电子空穴对复合，增加光生载流子寿命，形成新的反应活性位点，提高光电催化反应速率以增强半导体材料原子刻蚀效果。
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公开(公告)号：CN117733663B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202410186779.4
申请日：2024-02-20
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种光电流场驱动团簇催化原子级确定性加工方法，属于超精密加工领域，包括以下步骤：选择具有光催化活性的纳米颗粒作为光催化介质，采用光还原法实现金属纳米颗粒在光催化介质表面的析出，制备光电催化团簇；将其与去离子水混合制备抛光液；利用催化光源照射至工件待加工面、光电催化团簇和柔性工具的耦合区域，同时为工件的导电托盘施加偏压；对柔性工具头施加法向负载并设置转速，产生流体动压力驱动抛光液流动，实现原子级精度的可控去除。本发明通过光电催化团簇中的金属颗粒捕获光生电子，提高光生载流子寿命，通过空间电场抑制电子空穴对复合，形成大量新的反应活性位点，提高限域内光催化反应速率，避免工件表面划伤。
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公开(公告)号：CN116652794B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202310718560.X
申请日：2023-06-16
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明涉及一种七轴六联动结构柔性研抛机床，属于精密抛光领域，其包括基座、研抛机构和工件夹持机构；所述研抛机构包括研抛工具和运动台，运动台通过三轴联动的方式带动研抛工具在基座上进行X、Y轴方向的移动，以及改变研抛工具的角度，研抛工具自带研抛工具主轴；所述工件夹持机构包括立柱和工件夹持单元，工件夹持单元通过C轴夹持工件并通过两轴联动的方式带动工件进行Z轴方向的移动并改变工件的角度；所述运动台、抛工具主轴和工件夹持单元联动。本发明通过研抛机构调整研抛工具的位置和角度，通过工件夹持单元调整工件高度和角度，实现以最小的运动行程进行抛光，实现多种姿态抛光，可对各种异形自由曲面进行研抛。
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公开(公告)号：CN118024121A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410435098.7
申请日：2024-04-11
申请人： 浙江大学
IPC分类号： B24B29/04 , B24B41/06 , B24B41/00 , B24B47/12 , B24B47/00 , B24B49/04 , B24B57/02 , B24B1/00
摘要： 本发明涉及一种轴承内外圈非圆滚道柔性控形加工装置及方法，属于轴承抛光领域，该装置包括：轴承夹持驱动机构，用于夹持轴承、驱动轴承上下移动、调整轴承角度及带动轴承旋转；柔性抛光磨头驱动机构，用于安装柔性抛光磨头、水平移动柔性抛光磨头，以及来回摆动柔性抛光磨头；柔性抛光磨头，用于与轴承待加工面接触进而实现待加工面的抛光；喷头，用于向轴承的待加工面喷射水或抛光液；所述柔性抛光磨头包括基体、橡胶套和抛光布，橡胶套固定在基体的前端，抛光布包裹橡胶套的前半部分。加工时，使得柔性抛光工具头接触区域服从赫兹接触理论，能很好地去除轴承周向误差与轴向误差，在满足表面粗糙度与圆度精度要求的同时，能较好的去除中频误差。
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公开(公告)号：CN116652794A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310718560.X
申请日：2023-06-16
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明涉及一种七轴六联动结构柔性研抛机床，属于精密抛光领域，其包括基座、研抛机构和工件夹持机构；所述研抛机构包括研抛工具和运动台，运动台通过三轴联动的方式带动研抛工具在基座上进行X、Y轴方向的移动，以及改变研抛工具的角度，研抛工具自带研抛工具主轴；所述工件夹持机构包括立柱和工件夹持单元，工件夹持单元通过C轴夹持工件并通过两轴联动的方式带动工件进行Z轴方向的移动并改变工件的角度；所述运动台、抛工具主轴和工件夹持单元联动。本发明通过研抛机构调整研抛工具的位置和角度，通过工件夹持单元调整工件高度和角度，实现以最小的运动行程进行抛光，实现多种姿态抛光，可对各种异形自由曲面进行研抛。
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公开(公告)号：CN116494026A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310682771.2
申请日：2023-06-09
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明涉及一种面向硬脆元件的电化学催化原子级柔性抛光方法，属于超精密加工领域，其将硬脆元件浸没于含催化磨粒的抛光液中，对硬脆元件施加电位，诱导催化磨粒表面原子、抛光液介质原子和硬脆元件表层原子形成化学键；用旋转的柔性工具靠近硬脆元件的抛光面，带动抛光液流动，用流动的抛光液剪切化学键，使硬脆元件抛光面表层原子背键断裂，进而对硬脆元件的抛光面进行抛光。本发明涉及的抛光方法所使用的催化磨粒的催化作用仅影响工件表面的第一层原子，能够获得单原子层的抛光精度，同时可以获得极高的材料去除率，材料去除更加均匀，使用硬度远低于工件的催化磨粒进行非接触式抛光，不依赖机械作用，避免了表面划痕及亚表面损伤等难题。
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