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公开(公告)号：CN109085486A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810857477.X
申请日：2018-07-31
申请人： 浙江大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种半导体-绝缘体界面态密度和俘获截面的测试方法，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长绝缘体薄膜，接着在绝缘体薄膜表面生长金属薄膜，进而制得金属-绝缘体-半导体结构的MIS器件；(2)对上述MIS器件在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷Nit的瞬态电容；(3)对上述电荷Nit关于时间t求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；(4)在不同的电荷密度下，作ln(ep/T2)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。利用本发明，可以获取俘获截面与界面态密度随能级位置的分布，应用广泛。
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公开(公告)号：CN108728895A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810688398.0
申请日：2018-06-28
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，所述坩埚的底座内表面设有氮化硅涂层和阻挡层，所述阻挡层为表面通过等离子体增强化学气相沉积法沉积有Si3N4薄膜的太阳能级单晶硅基片。通过本发明提供的使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚铸造的准单晶硅铸锭底部红区宽度可限制到约5mm左右，铸锭的少子寿命大于2μs；有效提高了准单晶硅锭的利用率。将本发明提供的准单晶锭切割成硅片，硅片中的杂质浓度较低，硅片的少子寿命较高，制成电池后的效率较高，其平均转换效率为18～18.5％。
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公开(公告)号：CN117303719A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311039666.3
申请日：2023-08-17
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种高纯不透明石英玻璃锭及其制备方法，高纯原料置于真空电熔炉内，电熔炉抽真空至气压不大于10‑4bar；电熔炉内升温，将高纯原料加热至1850～2100℃并保温20～45h，使高纯原料完全熔融，形成石英玻璃熔体，同时通入保护气体，维持电熔炉内气压为0.8～2bar；电熔炉内降温，将石英玻璃熔体降温至1000～1200℃，降温时间为3～10小时，使石英玻璃熔体完全凝固同时避免晶化；电熔炉内继续降温，将完全凝固的石英玻璃降温至600～950℃并保温0.5～10h，同时对电熔炉内抽真空并通入保护气体至电熔炉内气压为0.05～0.8bar，通过负压、保护气体气氛下的热处理使石英玻璃中的气泡生长至所需尺寸和密度。
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公开(公告)号：CN111564523A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010235305.6
申请日：2020-03-30
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/04
摘要： 本发明公开了一种抑制多晶硅太阳电池在高温下光致衰减的方法，包括：(1)将导电金属板放置在加热设备上，温度设置成120～200℃；(2)待导电金属板的温度稳定后，将多晶硅太阳电池放置在导电金属板上，反向连接恒流电压源，然后打开恒流电压源，调节电压为1～2V，进行反向偏压处理5～15分钟；(3)待反向偏压处理完后，取下电池，将加热设备的温度设置成200～320℃；(4)待导电金属板的温度稳定后，将多晶硅太阳电池放置在导电金属板上，正向连接恒压电流源；然后打开恒压电流源，调节电流为10～20A，进行正向大电流处理，10～20分钟后得到所需的多晶硅太阳电池。本发明方法的处理时间短，可以有效抑制PERC结构多晶硅太阳电池在较高温度下的光致衰减。
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公开(公告)号：CN109085486B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810857477.X
申请日：2018-07-31
申请人： 浙江大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种半导体‑绝缘体界面态密度和俘获截面的测试方法，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长绝缘体薄膜，接着在绝缘体薄膜表面生长金属薄膜，进而制得金属‑绝缘体‑半导体结构的MIS器件；(2)对上述MIS器件在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷Nit的瞬态电容；(3)对上述电荷Nit关于时间t求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；(4)在不同的电荷密度下，作ln(ep/T2)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。利用本发明，可以获取俘获截面与界面态密度随能级位置的分布，应用广泛。
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公开(公告)号：CN114540950A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210020225.8
申请日：2022-01-10
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种降低炉压生长n型直拉单晶硅的方法，包括以下步骤：(1)将多晶硅料和n型掺杂剂置于石英坩埚中，在氩气气氛下加热至稳定的熔硅；(2)在稳定的熔硅中引入籽晶，随后经缩颈、放肩后，进入等径生长阶段；(3)在等径生长的全阶段或者中后期阶段，保持拉晶速率不变，降低单晶炉内氩气气压，提高炉内真空度到适当值并保持至直拉单晶硅生长完成。本发明通过全阶段降压生长或局部阶段降压生长单晶硅棒，提高n型直拉单晶硅轴向电阻率的方法中，炉内真空度可以通过程序控制，方便快捷；能够减少氩气的使用量，降低气体使用成本；直拉单晶硅的轴向电阻率均匀性得到明显改善，显著提高了硅棒的利用率。
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公开(公告)号：CN113964222A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111201762.4
申请日：2021-10-15
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种低漏电的晶体硅太阳能电池片、电池组件及其制备方法，属于太阳能电池领域；制备过程中，采用经过清洗和制绒的p型或n型硅片，在硅片正面的中线区域设置pn结阻挡层，在硅片正面的剩余区域设置pn结；所述硅片正面的中线区域与激光切割划片的区域对应。本发明中，pn结阻挡层将该区域内的p区和n区分隔开，从而避免了激光划片后裸露的pn结区引起的漏电，从而经过切割后可以获得更高转换效率的小片电池及更高输出功率的太阳能电池组件。
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公开(公告)号：CN114540950B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210020225.8
申请日：2022-01-10
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种降低炉压生长n型直拉单晶硅的方法，包括以下步骤：(1)将多晶硅料和n型掺杂剂置于石英坩埚中，在氩气气氛下加热至稳定的熔硅；(2)在稳定的熔硅中引入籽晶，随后经缩颈、放肩后，进入等径生长阶段；(3)在等径生长的全阶段或者中后期阶段，保持拉晶速率不变，降低单晶炉内氩气气压，提高炉内真空度到适当值并保持至直拉单晶硅生长完成。本发明通过全阶段降压生长或局部阶段降压生长单晶硅棒，提高n型直拉单晶硅轴向电阻率的方法中，炉内真空度可以通过程序控制，方便快捷；能够减少氩气的使用量，降低气体使用成本；直拉单晶硅的轴向电阻率均匀性得到明显改善，显著提高了硅棒的利用率。
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公开(公告)号：CN113964223A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111201864.6
申请日：2021-10-15
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种抑制切割边缘漏电的晶体硅太阳能电池片、电池组件及其制备方法，制备过程中，采用经过清洗和制绒的p型或n型硅片，在硅片正面形成pn结之后，在将要进行激光划片的硅片中线附近区域内先形成一层掺杂类型与硅片基体相同的扩散前驱体层，然后通过退火、激光处理、电流注入或离子注入等方式将该区域覆盖的发射极的掺杂类型转变为与硅片基体相同，最后经过电池工艺形成电池片。利用本发明，获得的半片电池的切割边缘将不存在pn结，避免了切割边缘pn结漏电引起的电学性能损失，从而可以获得更高转换效率的半片电池及更高输出功率的太阳能电池组件。
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公开(公告)号：CN113644157A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110912849.6
申请日：2021-08-10
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种高效铸造类单晶硅双面太阳电池结构及其制备方法，其中电池结构包括双面抛光、制绒的铸造类单晶硅片，所述铸造类单晶硅片作为基底和光吸收层；铸造类单晶硅片的正面依次为重掺杂扩散薄层、第一透明导电玻璃和第一金属电极，铸造类单晶硅片的背面依次为本征非晶硅薄膜、重掺杂非晶硅薄膜、第二透明导电玻璃和第二金属电极。本发明通过高温扩散吸杂工艺和异质结构的结合，可以有效降低铸造类单晶硅片中的金属杂质沾污，实现更高的开路电压，从而获得更高的转换效率。
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