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公开(公告)号：CN119907271A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411850715.6
申请日：2024-12-16
Applicant: 浙江大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 一种平面栅MOSFET结构及其制备方法，属于平面栅MOSFET技术领域，一种平面栅MOSFET结构，包括元胞结构，所述元胞结构包括：N型衬底；N型外延层；P阱区，两个P阱区的顶部皆形成有沟道区；两个P阱区之间形成有JFET区；栅氧层包括第一栅氧区、第二栅氧区和第三栅氧区，第一栅氧区位于沟道区与栅极结构之间，第二栅氧区位于N型区与栅极结构之间，第三栅氧区位于JFET区与栅极结构之间，第二栅氧区的最大厚度大于第一栅氧区的厚度，第三栅氧区的最大厚度大于第一栅氧区的厚度。本申请通过优化MOSFET栅氧的厚度分布，保证沟道处栅氧具有的低界面态密度、高迁移率的导通优势，降低了栅氧泄漏电流，提高了栅氧可靠性，同时也减小了栅氧电容，提高了MOSFET的开关速度。
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公开(公告)号：CN117497497A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311842265.1
申请日：2023-12-29
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/49
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种功率模块液冷散热封装结构。针对现有碳化硅功率模块散热效率较低的不足,本发明采用如下技术方案：一种功率模块液冷散热封装结构，包括DBC陶瓷基板；功率芯片；内铜层，形成流经功率芯片的内冷却通道；外铜层，形成外冷却通道；冷却液，在内冷却通道和外冷却通道流动；引线，一端连接功率芯片，另一端经内铜层、DBC陶瓷基板引出；DBC陶瓷基板、内铜层、功率芯片、外铜层沿厚度方向层叠分布并连接为一个整体。本发明的有益效果是：提高了散热效率，降低了不同面的温度差，提升功率芯片工作可靠性；相比现有的双面水冷散热结构，外铜层可以直接形成封装结构的外表面。
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公开(公告)号：CN117497497B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311842265.1
申请日：2023-12-29
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/49
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种功率模块液冷散热封装结构。针对现有碳化硅功率模块散热效率较低的不足,本发明采用如下技术方案：一种功率模块液冷散热封装结构，包括DBC陶瓷基板；功率芯片；内铜层，形成流经功率芯片的内冷却通道；外铜层，形成外冷却通道；冷却液，在内冷却通道和外冷却通道流动；引线，一端连接功率芯片，另一端经内铜层、DBC陶瓷基板引出；DBC陶瓷基板、内铜层、功率芯片、外铜层沿厚度方向层叠分布并连接为一个整体。本发明的有益效果是：提高了散热效率，降低了不同面的温度差，提升功率芯片工作可靠性；相比现有的双面水冷散热结构，外铜层可以直接形成封装结构的外表面。
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公开(公告)号：CN113884850A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111098043.4
申请日：2021-09-18
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 宋琦华 , 孙明 , 王一帆 , 骆丽 , 王尊 , 刘黎 , 邵先军 , 王少华 , 陈虔 , 曾明全 , 李文燕 , 邓志江 , 张斌 , 林氦 , 郭清 , 陈少华
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体特性参数测试系统及方法，属于半导体特性参数测试技术领域。本发明的一种功率半导体特性参数测试系统，包括功率主回路、双脉冲测试电路、电感阻隔电路。本发明设置辅助功率半导体对待测功率半导体的导通时间以及电路通断进行控制，并在功率半导体两端设置吸收电容，能够有效阻隔母线电容到测试半桥之间的部分寄生电感；同时功率主回路采用叠层母排结构进行设置，通过较小的回路面积大大降低了杂散电感，能够以更低的电压实现高电流承载。进而本发明能够有效减小电压过冲叠加以及开关损耗，同时能有效避免电磁干扰，使得本发明特别适用于对第三代半导体高压SiC功率器件进行高精度的动态特性参数测试。
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公开(公告)号：CN119673887A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510176430.7
申请日：2025-02-18
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种功率模块散热结构，涉及功率模块散热技术领域。现有功率模块散热无法满足毫秒级热冲击的散热要求。本发明提供一种功率模块散热结构，包括：功率模块，功率模块包括芯片及芯片下方的基板，功率模块还包括：位于芯片源极区域上方的上散热部；上散热部的封闭内腔中设置相变材料，上散热部设置热管骨架，热管骨架用于功率模块的散热并用于向所述相变材料传递热量。本发明通过内置相变材料的热管骨架替代常见的金属框架的散热架，可以及时将过流过载时的热量传导至相变材料处，满足瞬时散热需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117450931A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311406142.3
申请日：2023-10-25
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国网(嘉兴)综合能源服务有限公司 , 浙江泰仑电力集团有限责任公司送变电工程分公司 , 国网浙江省电力有限公司温州供电公司
Abstract: 本发明公开了一种避雷器爬电距离检测方法和仪器，属于避雷器检测技术领域。本发明的一种避雷器爬电距离检测方法，通过建立图像获取模型、深度感知模型、容积重建模型、避雷器合成模型、几何距离计算模型，识别和标注避雷器图像中的表面特征和边缘信息，得到避雷器表面信息，进而重建出避雷器的内部结构特征；再耦合避雷器的内部结构特征和避雷器表面信息，生成避雷器三维数字孪生数据；最后根据避雷器三维数字孪生数据，准确检测出避雷器爬电距离，可以有效解决凹凸表面存在的大量噪声和冗余数据问题，使得爬电距离检测效率得到大幅提升，减少了人工的主观随意性和误差，数据精度以及可靠性更高。
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公开(公告)号：CN114414975A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210047622.4
申请日：2022-01-17
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统，包括绘制不同电流等级下碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1、VDTSEP2与结温Tj的关系曲线；根据器件动态温敏电参数值、负载电流I和结温Tj的关系构建解析模型；根据器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的解析模型以及待测工况下动态温敏电参数VDTSEP1和VDTESP2的值，求取器件不同工况在线运行的负载电流I、确定器件在线运行的结温。本发明能间接测量碳化硅MOSFET在任何工况下的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据，有利于保证电力系统的可靠运行。
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公开(公告)号：CN118092547B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410487816.5
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G05D23/30 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘加热控制装置及静电卡盘，涉及半导体技术领域。控制装置包括：控制模块、脉冲宽度调制信号输出模块和脉冲宽度调制隔离驱动模块，脉冲宽度调制信号输出模块包括：信号转化模块，用于确定计数中数和计数周期；寄存器组，第1至n个寄存器与n个加热单元对应，用于存储计数中数，第n+1个寄存器用于存储计数周期；根据计数周期循环计数的计数器；n个比较器，在每一计数周期根据当前计数与计数中数的比较结果生成脉冲宽度调制信号。脉冲宽度调制隔离驱动模块用于发出脉冲宽度调制信号。通过本发明提供的装置，能够单独控制加热单元，保证静电卡盘加热均匀性，实现晶圆整体均热性，提高半导体制造工艺良率。
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公开(公告)号：CN118092547A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410487816.5
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G05D23/30 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘加热控制装置及静电卡盘，涉及半导体技术领域。控制装置包括：控制模块、脉冲宽度调制信号输出模块和脉冲宽度调制隔离驱动模块，脉冲宽度调制信号输出模块包括：信号转化模块，用于确定计数中数和计数周期；寄存器组，第1至n个寄存器与n个加热单元对应，用于存储计数中数，第n+1个寄存器用于存储计数周期；根据计数周期循环计数的计数器；n个比较器，在每一计数周期根据当前计数与计数中数的比较结果生成脉冲宽度调制信号。脉冲宽度调制隔离驱动模块用于发出脉冲宽度调制信号。通过本发明提供的装置，能够单独控制加热单元，保证静电卡盘加热均匀性，实现晶圆整体均热性，提高半导体制造工艺良率。
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公开(公告)号：CN117929955A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211252026.6
申请日：2022-10-13
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种多参量的IGBT结温标定系统，包括电压源、IGBT驱动模块、上位机、数据采集模块、红外热像仪、未填充硅胶的IGBT模块、水冷模块和功率输出模块，本发明解决了现有IGBT结温标定结温系统复杂的问题，从而提高了IGBT结温标定的效率。本发明还公开了一种IGBT结温标定方法，首先上位机向IGBT驱动模块发送驱动信号，功率输出模块输出恒定电流，然后通过控制控流阀使红外热像仪中IGBT芯片的温度不再发生变化，最后记录IGBT的结温及对应的电参数值，从而精确地实现结温标定，本发明提升了IGBT结温监测的准确度，从而提高IGBT结温标定系统的可靠性和标定精度。
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