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公开(公告)号：CN113471369A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010242291.0
申请日：2020-03-31
申请人： 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光器件的制备方法及发光器件，该发光器件的制备方法包括：准备钙钛矿前体液，准备发光器件的功能基板，将钙钛矿前体液覆盖于功能基板的上表面，得到钙钛矿前体液态层，对钙钛矿前体液态层进行加热，从而形成包括纳米片的钙钛矿发光层；钙钛矿前体液包括至少一芳香族化合物，调节该芳香族化合物在钙钛矿前体液中的摩尔比例从而调节钙钛矿发光层中纳米片的平行于功能基板的水平偶极比例，使得水平偶极比例为大于67％。
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公开(公告)号：CN110484233B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201810285557.2
申请日：2018-04-03
申请人： 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种氧化锌纳米晶体、氧化锌纳米晶体组合物、其制备方法和电致发光器件。该氧化锌纳米晶体包括氧化锌纳米晶主体和表面配体，该表面配体包括一种或多种巯基醇配体，巯基醇配体具有如下结构式：‑S‑R‑OH，其中，R代表直链烷基链或支链烷基链。S元素与Zn元素的配位能力要强于O元素，因此，选择巯基醇来对氧化锌纳米晶表面Zn元素初始的羧酸根和氢氧根进行配体交换，最终形成表面为Zn‑S‑ROH的氧化锌纳米晶。纳米晶经过配体交换后有效解决了由于羧酸根和氢氧根容易脱落或配位不完全导致的表面缺陷发光，同时改进了氧化锌纳米晶膜的电学性质，进而解决了电致发光器件中的延时发光问题。
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公开(公告)号：CN110911570B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201811089200.3
申请日：2018-09-18
申请人： 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种量子点发光器件及其制备方法。该制备方法包括：提供量子点发光器件的含纳米晶层的待加工件；采用有机酸对含纳米晶层的待加工件进行酸处理，得到量子点发光器件。通过对含纳米晶层的待加工件进行酸处理，一方面酸与纳米晶表面的氢氧根离子配体(目前的纳米晶由于合成工艺的原因，其表面通常带氢氧根离子配体)反应，形成酸根离子配体和生成水，从而大幅减少或消除纳米晶表面的氢氧根离子配体；另一方面，酸可以直接作为氧化物纳米晶的表面配体，减少甚至消除纳米晶表面大量的悬挂键，从而减少了纳米晶表面的缺陷态。这能有效抑制由于氧化物纳米晶与量子点之间淬灭相互作用导致的量子点荧光淬灭，进而提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN110911570A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811089200.3
申请日：2018-09-18
申请人： 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种量子点发光器件及其制备方法。该制备方法包括：提供量子点发光器件的含纳米晶层的待加工件；采用有机酸对含纳米晶层的待加工件进行酸处理，得到量子点发光器件。通过对含纳米晶层的待加工件进行酸处理，一方面酸与纳米晶表面的氢氧根离子配体(目前的纳米晶由于合成工艺的原因，其表面通常带氢氧根离子配体)反应，形成酸根离子配体和生成水，从而大幅减少或消除纳米晶表面的氢氧根离子配体；另一方面，酸可以直接作为氧化物纳米晶的表面配体，减少甚至消除纳米晶表面大量的悬挂键，从而减少了纳米晶表面的缺陷态。这能有效抑制由于氧化物纳米晶与量子点之间淬灭相互作用导致的量子点荧光淬灭，进而提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN107565033A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610525274.1
申请日：2016-07-01
申请人： 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种氧化镍薄膜及其制备方法、功能材料、薄膜结构的制作方法及电致发光器件。该氧化镍薄膜包括：氧化镍膜层；具有吸电子基团的有机分子，该有机分子连接设置在氧化镍膜层表面上。该有机分子利用吸电子基团与氧化镍薄膜表面的羟基自由基形成化学键稳定连接，且由于该具有吸电子基团的有机分子的存在，相当于在氧化镍表面建立起一个反向氧化镍的电场，进而提高了氧化镍薄膜的表面功函数。进而将本申请具有高表面功函数的氧化镍薄膜应用到QLED器件和OLED器件时，使得空穴注入率提高，进而可以避免使用对器件有损害的PEDOT：PSS，从而提高了器件的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN115960339A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111187968.6
申请日：2021-10-12
申请人： 浙江大学 , 东莞伏安光电科技有限公司 , 纳晶科技股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种电荷传输薄膜，电荷传输材料及含其的组合物、电子器件。该电荷传输薄膜包括聚合物的电荷传输材料，电荷传输薄膜的禁带宽度范围为3.0–3.5eV，通过紫外光电子能谱测得电荷传输薄膜的HOMO能级态密度分布的高斯标准偏差为σ，σ小于等于0.3eV。较宽的禁带宽度和低的能量无序度的电荷传输材料或电荷传输薄膜共同实现低的电子泄漏，从而提高了应用电荷传输材料或电荷传输薄膜的电子器件的效率。
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公开(公告)号：CN113471369B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202010242291.0
申请日：2020-03-31
申请人： 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光器件的制备方法及发光器件，该发光器件的制备方法包括：准备钙钛矿前体液，准备发光器件的功能基板，将钙钛矿前体液覆盖于功能基板的上表面，得到钙钛矿前体液态层，对钙钛矿前体液态层进行加热，从而形成包括纳米片的钙钛矿发光层；钙钛矿前体液包括至少一芳香族化合物，调节该芳香族化合物在钙钛矿前体液中的摩尔比例从而调节钙钛矿发光层中纳米片的平行于功能基板的水平偶极比例，使得水平偶极比例为大于67％。
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公开(公告)号：CN107565033B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201610525274.1
申请日：2016-07-01
申请人： 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种氧化镍薄膜及其制备方法、功能材料、薄膜结构的制作方法及电致发光器件。该氧化镍薄膜包括：氧化镍膜层；具有吸电子基团的有机分子，该有机分子连接设置在氧化镍膜层表面上。该有机分子利用吸电子基团与氧化镍薄膜表面的羟基自由基形成化学键稳定连接，且由于该具有吸电子基团的有机分子的存在，相当于在氧化镍表面建立起一个反向氧化镍的电场，进而提高了氧化镍薄膜的表面功函数。进而将本申请具有高表面功函数的氧化镍薄膜应用到QLED器件和OLED器件时，使得空穴注入率提高，进而可以避免使用对器件有损害的PEDOT：PSS，从而提高了器件的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN112111277A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010983758.7
申请日：2018-10-18
申请人： 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种单光子源和QLED。该单光子源和QLED均包括量子点，量子点包括量子点本体和设置在量子点本体外表面的配体，配体包括电化学惰性配体，电化学惰性配体的还原电位大于量子点本体的导带底对应的电位，电化学惰性配体的氧化电位小于量子点本体的价带底对应的电位，电化学惰性配体占量子点本体外表面的所有配体的80％以上。该量子点由于包括电化学惰性配体，使得其发光效率较高，器件较稳定，可靠性较高。
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公开(公告)号：CN110484233A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810285557.2
申请日：2018-04-03
申请人： 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种氧化锌纳米晶体、氧化锌纳米晶体组合物、其制备方法和电致发光器件。该氧化锌纳米晶体包括氧化锌纳米晶主体和表面配体，该表面配体包括一种或多种巯基醇配体，巯基醇配体具有如下结构式：-S-R-OH，其中，R代表直链烷基链或支链烷基链。S元素与Zn元素的配位能力要强于O元素，因此，选择巯基醇来对氧化锌纳米晶表面Zn元素初始的羧酸根和氢氧根进行配体交换，最终形成表面为Zn-S-ROH的氧化锌纳米晶。纳米晶经过配体交换后有效解决了由于羧酸根和氢氧根容易脱落或配位不完全导致的表面缺陷发光，同时改进了氧化锌纳米晶膜的电学性质，进而解决了电致发光器件中的延时发光问题。
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