公开(公告)号：CN111916564B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202010353670.7

申请日：2020-04-29

申请人： 佳能株式会社

发明人： 山田直树 ,  盐原悟 ,  髙谷格 ,  镰谷淳

IPC分类号： H10K50/155 ,  H10K50/14 ,  H10K59/12

摘要： 本公开涉及有机发光装置以及包括该有机发光装置的设备和移动物体。一种有机发光装置依次包括第一电极、第一电荷传输层、与第一电荷传输层接触的第二电荷传输层、与第二电荷传输层接触的发光层以及第二电极，其中，第一电荷传输层包括第一材料和第二材料，第二电荷传输层包括第二材料和第三材料，以及发光层包括第三材料和第四材料。

公开(公告)号：CN118271293A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410372655.5

申请日：2019-09-11

申请人： 环球展览公司

发明人： 马斌 ,  王婷芝 ,  瓦季姆·阿达莫维奇

IPC分类号： C07D403/14 ,  C07D405/14 ,  C07D409/14 ,  C07D487/04 ,  C07D209/86 ,  H10K85/60 ,  H10K50/14 ,  H10K50/18

摘要： 本申请涉及有机电致发光材料和装置。公开了由第一化合物形成的新型组合物，其中所述第一化合物选自式I#imgabs0#和式II#imgabs1#

公开(公告)号：CN110783462B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201910681001.X

申请日：2019-07-26

申请人： 诺瓦尔德股份有限公司

发明人： 马库斯·赫默特 ,  斯特芬·维尔曼 ,  托马斯·罗泽诺

IPC分类号： H10K85/30 ,  C07F1/02 ,  C09K11/06 ,  G09G3/3208 ,  H10K30/84 ,  H10K30/86 ,  H10K50/17 ,  H10K50/15 ,  H10K50/14 ,  H10K30/50 ,  H10K10/40

摘要： 本发明涉及一种电子器件、显示装置、其制备方法和化合物。具体地，本发明涉及一种电子器件、包含其的显示装置、其制备方法和化合物，所述电子器件包含空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴产生层，其中所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述空穴产生层中的至少一者包含配位络合物，所述配位络合物包含至少一个正电性原子M和至少一个由下式(I)表示的阴离子甲基化物配体L，其中A1、A2和A3独立地选自(i)部分或完全卤化的C4至C30脂族或脂环族叔烃基，(ii)C6至C30芳基，(iii)C2至C30杂芳基，(iv)H，(v)CN，(vi)C2至C30酰基，(vii)C1至C30磺酰基，和(viii)C2至C30磷酰基，条件是A1、A2和A3中只有一个可以是H。#imgabs0#

公开(公告)号：CN117946065A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311409838.1

申请日：2023-10-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 川上祥子 ,  梶山一辉

IPC分类号： C07D333/50 ,  C07D307/77 ,  H10K50/14 ,  H10K50/15 ,  H10K85/60

摘要： 提供一种空穴传输性和耐热性良好的有机化合物、发光器件及电子设备。提供一种由下述通式(G1)表示的有机化合物。在通式(G1)中，X表示硫原子或氧原子，Ar2是由下述通式(G1‑1)表示的基，Ar1表示碳原子数为6至30的芳基或碳原子数为2至30的杂芳基。R1至R16以及R21至R29中的至少一个表示卤素、腈基、烯基、乙烯基、炔基、乙炔基、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至10的环烷基、碳原子数为1至6的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为3至10的烷基硅基、碳原子数为6至30的芳基和碳原子数为2至30的杂芳基中的任一个。#imgabs0#

公开(公告)号：CN112236434B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201980036725.7

申请日：2019-07-03

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 金明坤 ,  洪玩杓 ,  琴水井 ,  李东勋 ,  金东宪

IPC分类号： C07F5/02 ,  C09K11/06 ,  H10K50/11 ,  H10K50/14 ,  H10K50/17 ,  H10K50/12 ,  H10K85/60

摘要： 本说明书涉及由式1表示的化合物和包含其的有机发光器件。

公开(公告)号：CN117501828A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202280000830.7

申请日：2022-04-21

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 孙海雁 ,  张晓晋 ,  王丹 ,  王斯琦

IPC分类号： H10K50/11 ,  H10K50/14 ,  H10K101/40 ,  H10K101/30 ,  H10K101/10

摘要： 提供一种有机发光器件和显示装置。有机发光器件包括发光层(500)，包括第一主体材料、第二主体材料、至少一种辅助材料和至少一种掺杂材料；第一主体材料与第二主体材料形成第一复合传输材料；辅助材料与第二主体材料形成第二复合传输材料；S1(A)>S1(CH)>S1(C)；T1(A)>T1(CH)>T1(C)；S1(A)为主体材料的最低单重态能量，S1(CH)为复合传输材料的最低单重态能量，S1(C)为掺杂材料的最低单重态能量；T1(A)为主体材料的最低三重态能量，T1(CH)为复合传输材料的最低三重态能量，T1(C)为掺杂材料的最低三重态能量。有助于抑制德克斯特能量转移，减少能量损失，进而提升器件效率。

公开(公告)号：CN117320486A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311531651.9

申请日：2023-11-16

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

发明人： 郭远征 ,  王彦强

IPC分类号： H10K59/12 ,  H10K59/121 ,  H10K59/122 ,  H10K59/38 ,  H10K59/80 ,  H10K50/14 ,  H10K71/00 ,  H10K71/10 ,  G09F9/33

摘要： 本发明提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于提升显示面板的强度。所述显示面板包括：衬底基板，以及均设置于所述衬底基板上的驱动电路层和像素界定层，驱动电路层位于像素界定层和衬底基板之间，像素界定层限定出多个像素开口区；显示面板还包括：隔离柱和发光功能层，隔离柱位于相邻的像素开口区之间，隔离柱的侧面具有突出部，突出部沿平行于衬底基板的方向突出于隔离柱的顶表面，突出部与隔离柱的底表面之间具有凹口，底表面位于顶表面与衬底基板之间；发光功能层包括载流子传输层，载流子传输层的至少部分位于像素开口区内，载流子传输层在凹口处断开。

公开(公告)号：CN117222242A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311325418.5

申请日：2023-10-13

申请人： 南方科技大学 ,  深圳技术大学

发明人： 王恺 ,  叶泰康 ,  孙小卫 ,  吴丹

IPC分类号： H10K50/115 ,  H10K50/14 ,  H10K50/85

摘要： 本申请属于发光二极管技术领域，尤其涉及基于超表面谐振腔的全彩色量子点发光二极管及制备方法和显示器件；本申请提供的基于超表面谐振腔的全彩色量子点发光二极管利用顶电极上表面的超表面结构与金属电极形成谐振腔实现对特定光波长的选择出射，从而实现全彩化的QLED，采用超表面进行相位调控将竖直方向上的物理厚度差异转化为水平方向上的尺度差异，替代了传统的法布里‑珀罗腔的引入相位调节层的复杂设置，从而解决现有技术中光学谐振腔需引入相位调节层导致结构复杂的技术问题。

公开(公告)号：CN117121652A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280022156.2

申请日：2022-03-16

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 菅野裕太 ,  首藤圭介

IPC分类号： H10K50/14

摘要： 包含电荷传输性物质、掺杂剂物质、用例如由下述式(S1)表示的、具有导电性官能团的硅烷偶联剂表面处理的金属氧化物纳米粒子和溶剂的电荷传输性清漆形成透明性和电特性优异的电荷传输性薄膜。(式中，R表示碳原子数1～10的烷基，A1表示单键或碳原子数1～10的亚烷基，A2表示单键或除亚烷基以外的2价的连接基团，A3表示具有导电性官能团的1价的有机基团。)

公开(公告)号：CN112689639B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201980059615.2

申请日：2019-11-08

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 许东旭 ,  洪性佶 ,  许瀞午 ,  车龙范 ,  韩美连 ,  李在卓 ,  梁正勋

IPC分类号： C07D493/04 ,  C07D495/04 ,  H10K85/60 ,  H10K50/11 ,  H10K50/14 ,  H10K50/17

摘要： 本发明提供了化合物和包含其的有机发光器件。