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公开(公告)号：CN107565033A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610525274.1
申请日：2016-07-01
申请人： 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种氧化镍薄膜及其制备方法、功能材料、薄膜结构的制作方法及电致发光器件。该氧化镍薄膜包括：氧化镍膜层；具有吸电子基团的有机分子，该有机分子连接设置在氧化镍膜层表面上。该有机分子利用吸电子基团与氧化镍薄膜表面的羟基自由基形成化学键稳定连接，且由于该具有吸电子基团的有机分子的存在，相当于在氧化镍表面建立起一个反向氧化镍的电场，进而提高了氧化镍薄膜的表面功函数。进而将本申请具有高表面功函数的氧化镍薄膜应用到QLED器件和OLED器件时，使得空穴注入率提高，进而可以避免使用对器件有损害的PEDOT：PSS，从而提高了器件的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN107565033B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201610525274.1
申请日：2016-07-01
申请人： 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种氧化镍薄膜及其制备方法、功能材料、薄膜结构的制作方法及电致发光器件。该氧化镍薄膜包括：氧化镍膜层；具有吸电子基团的有机分子，该有机分子连接设置在氧化镍膜层表面上。该有机分子利用吸电子基团与氧化镍薄膜表面的羟基自由基形成化学键稳定连接，且由于该具有吸电子基团的有机分子的存在，相当于在氧化镍表面建立起一个反向氧化镍的电场，进而提高了氧化镍薄膜的表面功函数。进而将本申请具有高表面功函数的氧化镍薄膜应用到QLED器件和OLED器件时，使得空穴注入率提高，进而可以避免使用对器件有损害的PEDOT：PSS，从而提高了器件的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN106271046B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201610871505.4
申请日：2016-09-30
申请人： 纳晶科技股份有限公司
发明人： 陈超
IPC分类号： B23K26/06 , B23K26/362 , B23K26/067 , B23K26/064 , B23K101/40
摘要： 本发明公开了一种激光刻蚀方法和装置、衬底电极及电致发光器件。该激光刻蚀方法包括利用激光束对待刻蚀对象进行刻蚀的步骤，待刻蚀对象上设有至少一个待刻蚀区域，激光束包括用于使待刻蚀区域内的导电材料气化的主激光束，以及用于降低待刻蚀区域边缘对应空间内的温度下降速率的辅助激光束。本发明在刻蚀步骤中采用两种类型的激光束：主激光束能使待刻蚀区域内的导电材料气化，而辅助激光束用于提高待刻蚀区域边缘对应空间内的温度，从而降低待刻蚀区域边缘对应空间内的温度下降速率，防止气化的导电材料在从待刻蚀区域对应空间向外扩散的过程中因待刻蚀区域边缘对应空间内温度过低而发生沉积，避免在待刻蚀对象表面形成凸起。
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公开(公告)号：CN106129083B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610526184.4
申请日：2016-06-30
申请人： 纳晶科技股份有限公司
发明人： 陈超
摘要： 本发明公开了一种量子点转印方法，该方法包括：a：准备至少两枚印章，每枚印章的印模面上均设置有具有单一发光波长的量子点膜，不同印章上的量子点膜具有不同的发光波长；b：将设置有量子点膜的印章一一与过渡基板对准并相接触，使各量子点膜逐一转印到过渡基板上；c：将具有量子点膜的过渡基板与电致发光器件的导电基板对准并相接触，使量子点膜转印到电致发光器件的导电基板上。本发明的量子点转印方法中，大部分转印工序都发生在印章和过渡基板之间，当印章和过渡基板之间发生转印错误时，只需更换成本较低的过渡基板即可，不仅大大降低了导电基板上发生转印出错的几率，而且大大降低导电基板的报废率，节约企业成本。
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公开(公告)号：CN105449112B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201610018596.7
申请日：2016-01-12
申请人： 纳晶科技股份有限公司
IPC分类号： H01L51/50
摘要： 本申请提供了一种量子点电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置。该量子点电致发光器件包括依次设置的第一电极、第一功能层、第一电荷调节层、量子点发光层、第二电荷调节层、第二功能层与第二电极，其中，第一电荷调节层与第二电荷调节层的材料各自独立地选自禁带宽度Eg≥5eV的绝缘材料，且第一电荷调节层与第二电荷调节层的厚度均在1～30nm内。该器件的发光效率较高，且器件亮度的半衰期寿命较长。
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公开(公告)号：CN106271046A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610871505.4
申请日：2016-09-30
申请人： 纳晶科技股份有限公司
发明人： 陈超
IPC分类号： B23K26/06 , B23K26/362 , B23K26/067 , B23K26/064 , B23K101/40
摘要： 本发明公开了一种激光刻蚀方法和装置、衬底电极及电致发光器件。该激光刻蚀方法包括利用激光束对待刻蚀对象进行刻蚀的步骤，待刻蚀对象上设有至少一个待刻蚀区域，激光束包括用于使待刻蚀区域内的导电材料气化的主激光束，以及用于降低待刻蚀区域边缘对应空间内的温度下降速率的辅助激光束。本发明在刻蚀步骤中采用两种类型的激光束：主激光束能使待刻蚀区域内的导电材料气化，而辅助激光束用于提高待刻蚀区域边缘对应空间内的温度，从而降低待刻蚀区域边缘对应空间内的温度下降速率，防止气化的导电材料在从待刻蚀区域对应空间向外扩散的过程中因待刻蚀区域边缘对应空间内温度过低而发生沉积，避免在待刻蚀对象表面形成凸起。
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公开(公告)号：CN106206979A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610528821.1
申请日：2016-06-30
申请人： 纳晶科技股份有限公司
CPC分类号： H01L51/5268 , H01L51/502 , H05B33/12
摘要： 本申请提供了一种电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置。该电致发光器件包括第一电极、发光层、第二电极与至少一个膜层，其中，发光层设置在第一电极的表面上；第二电极设置在发光层的远离第一电极的表面上，各膜层设置在第一电极与发光层之间，和/或设置在第二电极与发光层之间，其中，至少一个膜层包括主体与分散在主体中的散射颗粒，散射颗粒包括核与壳，壳包裹设置在核外部，形成核的材料为金属，形成壳的材料为无机半导体材料，主体具有导电性。该电致发光器件的出光率较高。
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公开(公告)号：CN106129083A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610526184.4
申请日：2016-06-30
申请人： 纳晶科技股份有限公司
发明人： 陈超
摘要： 本发明公开了一种量子点转印方法，该方法包括：a：准备至少两枚印章，每枚印章的印模面上均设置有具有单一发光波长的量子点膜，不同印章上的量子点膜具有不同的发光波长；b：将设置有量子点膜的印章一一与过渡基板对准并相接触，使各量子点膜逐一转印到过渡基板上；c：将具有量子点膜的过渡基板与电致发光器件的导电基板对准并相接触，使量子点膜转印到电致发光器件的导电基板上。本发明的量子点转印方法中，大部分转印工序都发生在印章和过渡基板之间，当印章和过渡基板之间发生转印错误时，只需更换成本较低的过渡基板即可，不仅大大降低了导电基板上发生转印出错的几率，而且大大降低导电基板的报废率，节约企业成本。
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公开(公告)号：CN110970579A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811163003.1
申请日：2018-09-30
申请人： 纳晶科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种氧化锌纳米晶电子传输层及其制备方法、电子器件。其中氧化锌电子传输层的制备方法为：氧化锌纳米晶溶液涂覆完成后，于湿度大于0％的环境中静置一段时间。在本发明中，涂覆完氧化锌纳米晶溶液后，进行退火处理前，先将氧化锌纳米晶涂层在具有一定湿度的环境中静置一段时间，氧化锌纳米晶膜在水汽作用下缓慢结晶，有利于提升膜层的导电率，强化电子注入，从而有利于降低相关电子器件的开启电压；氧化锌纳米晶膜在水汽作用下缓慢结晶，还有利于加强电子传输层与相邻功能层之间的界面结合力，从而有利于提高相关电子器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN105977393B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610368075.4
申请日：2016-05-27
申请人： 纳晶科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种电致发光器件及其制作方法。该电致发光器件包括具有透射性的第一电极层、具有反射性的第二电极层以及设置在第一电极层和第二电极层之间的发光层，还包括与所述第二电极层相邻的第二电极层接触层，所述第二电极层与所述第二电极层接触层之间的接触面是粗糙面。本发明直接将电致发光器件中的第二电极层与第二电极层接触层之间的接触面(即反射面)设置成粗糙面，粗糙面上布满无数的凹陷和凸起，无论是凹陷还是凸起，表面等离子体波都只在其轮廓线的切线方向传播，这就使得表面等离子体波的传播受到限制，表面等离子体波的传播距离被大大缩短，从而有效降低反射光能量衰减程度。
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