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公开(公告)号：CN114520143B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210413855.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体加工领域，公开了一种抑制双极型退化的碳化硅薄膜外延方法、碳化硅外延片，包括：提供碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有基平面位错；通过化学气相沉积法在所述碳化硅衬底表面形成碳化硅外延层，化学气相沉积法的反应气体包括生长气源和掺杂锗源气体，改变碳化硅外延薄膜中锗杂质的浓度，并促使所述锗杂质替代碳化硅外延层中形成的不全位错核心处硅原子，使锗杂质钉扎硅核心不全位错。本发明在碳化硅薄膜外延过程中掺入锗杂质，由于硅核心处的结构畸变，锗杂质会优先替代硅核心不全位错处的硅原子，通过将锗杂质钉扎基平面位错中硅核心不全位错，抑制硅核心不全位错的滑移，以抑制碳化硅基双极型器件的双极型退化。
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公开(公告)号：CN114093765B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210051840.5
申请日：2022-01-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/324 , H01L21/26 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及碳化硅领域，公开了一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法，通过先对碳化硅薄膜进行热处理，激活碳化硅薄膜中的碳空位和氢杂质，然后利用紫外光照射碳化硅薄膜，控制碳化硅的准费米能级位置，使得氢杂质由负电调整为正电，利用带正电的氢杂质钝化带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级，从而提高碳化硅薄膜少子寿命，且不会额外增加其他的缺陷。
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公开(公告)号：CN114496728A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111654707.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种低缺陷碳化硅外延材料制备方法，涉及碳化硅外延材料的技术领域，向反应室通入氩气和氯化氢与氢气组成混合气体来对碳化硅偏轴衬底进行5～20min的原位刻蚀。氯化氢与氢气的通入使碳化硅偏轴衬底表面Si组分和C组分达到相似的去除速度，从而获得更光滑的衬底表面，氩气的通入使反应室内的温场更均匀的同时，减少了反应室中由氯化氢与氢气刻蚀碳化硅偏轴衬底产生的各项异性，减少了表面刻蚀的不均匀性以及衬底延伸至外延层的表面缺陷，后经缓冲层生长以及外延层生长获得的碳化硅外延材料具有低表面缺陷密度和高均匀性的优点。
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公开(公告)号：CN114093765A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202210051840.5
申请日：2022-01-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/324 , H01L21/26 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及碳化硅领域，公开了一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法，通过先对碳化硅薄膜进行热处理，激活碳化硅薄膜中的碳空位和氢杂质，然后利用紫外光照射碳化硅薄膜，控制碳化硅的准费米能级位置，使得氢杂质由负电调整为正电，利用带正电的氢杂质钝化带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级，从而提高碳化硅薄膜少子寿命，且不会额外增加其他的缺陷。
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公开(公告)号：CN114775046B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210710329.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，公开了一种碳化硅外延层生长方法，通过通入具有第一预定碳源流量的碳源和第一预定硅源流量的硅源，在碳化硅衬底片表面生成第一缓冲层，使得通过对碳硅流量比以及具体通入的碳源流量的调整，促使从碳化硅衬底片延伸出来的贯穿型位错在第一缓冲层的生长过程中转变为层错和基平面位错，并进行横向移动，移出所述晶体的第一缓冲层，从而减少从所述第一缓冲层进入外延层的位错数量，降低外延层中的位错密度，提高了器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114520143A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210413855.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体加工领域，公开了一种抑制双极型退化的碳化硅薄膜外延方法、碳化硅外延片，包括：提供碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有基平面位错；通过化学气相沉积法在所述碳化硅衬底表面形成碳化硅外延层，化学气相沉积法的反应气体包括生长气源和掺杂锗源气体，改变碳化硅外延薄膜中锗杂质的浓度，并促使所述锗杂质替代碳化硅外延层中形成的不全位错核心处硅原子，使锗杂质钉扎硅核心不全位错。本发明在碳化硅薄膜外延过程中掺入锗杂质，由于硅核心处的结构畸变，锗杂质会优先替代硅核心不全位错处的硅原子，通过将锗杂质钉扎基平面位错中硅核心不全位错，抑制硅核心不全位错的滑移，以抑制碳化硅基双极型器件的双极型退化。
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公开(公告)号：CN114775046A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210710329.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，公开了一种碳化硅外延层生长方法，通过通入具有第一预定碳源流量的碳源和第一预定硅源流量的硅源，在碳化硅衬底片表面生成第一缓冲层，使得通过对碳硅流量比以及具体通入的碳源流量的调整，促使从碳化硅衬底片延伸出来的贯穿型位错在第一缓冲层的生长过程中转变为层错和基平面位错，并进行横向移动，移出所述晶体的第一缓冲层，从而减少从所述第一缓冲层进入外延层的位错数量，降低外延层中的位错密度，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN114267629A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111376312.9
申请日：2021-11-19
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/762 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种GaN基器件隔离的方法，在GaN HEMT结构表面需要做器件隔离的区域蒸镀Fe膜，采用脉冲激光加热Fe膜覆盖区域，合理控制激光脉冲能量，加速Fe扩散进入样品并使样品重结晶，从而将Fe并入样品晶格。Fe杂质在GaN基材料中是深能级杂质，在需要隔离的区域掺杂Fe可形成高阻态，从而实现器件隔离的目的。该方法通过高能激光脉冲使样品出现重结晶，在重结晶过程中引入Fe杂质，能够减少隔离区域的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN113539822B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111084970.0
申请日：2021-09-16
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/335 , H01L21/268 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种垂直电流孔径晶体管制备方法及对应器件，涉及垂直电流孔径晶体管制备的技术领域，通过高精度激光进行选区掺杂形成电流阻挡层，激光参数精确可控，相比现有掺杂，对掺杂区域晶格损伤更小，无需高温退火，简化了现有垂直电流孔径晶体管制备工艺，使制得的垂直电流孔径晶体管具有绝缘性能更好的电流阻挡区，最终提升了垂直电流孔径晶体管良率，降低了相应的制造成本。
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公开(公告)号：CN113539822A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202111084970.0
申请日：2021-09-16
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/335 , H01L21/268 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种垂直电流孔径晶体管制备方法及对应器件，涉及垂直电流孔径晶体管制备的技术领域，通过高精度激光进行选区掺杂形成电流阻挡层，激光参数精确可控，相比现有掺杂，对掺杂区域晶格损伤更小，无需高温退火，简化了现有垂直电流孔径晶体管制备工艺，使制得的垂直电流孔径晶体管具有绝缘性能更好的电流阻挡区，最终提升了垂直电流孔径晶体管良率，降低了相应的制造成本。
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