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公开(公告)号：CN113604779B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202110891246.2
申请日：2021-08-04
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提拱了一种有序手性分子链制备方法及SiC器件衬底，包括如下步骤：清洗SiC单晶衬底，以去除所述SiC单晶衬底表面杂质；将SiC单晶衬底置于真空度为1.0×10‑10mbar～3.0×10‑10mbar的制备腔内，通过直流加热方式对SiC单晶衬底进行加热除气；随后将SiC单晶衬底在900℃和1400℃下循环加热90min；然后切断直流加热，使SiC单晶衬底温度降至室温，从而使SiC单晶衬底表面均匀地形成有双层石墨烯；向制备腔内热蒸发2,2’‑二苯乙炔基‑4,4’‑二溴联苯分子，使其在低温的SiC单晶衬底的双层石墨烯表面进行手性分离与自组装，当制备腔内真空度上升至1.0×10‑9mbar～3.0×10‑9mbar时，开始沉积分子，沉积一段时间分子后，可以制得大面积有序手性分子链。
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公开(公告)号：CN115219740A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210969461.4
申请日：2022-08-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，具体为一种Ni与SiC接触界面性质的表征方法。通过将所述Ni/SiC层放入真空制备腔中进行加热，模拟导致Ni/SiC层发生失灵的温度；再将所述Ni/SiC层断开形成断面后，使用所述扫描探针显微镜的探针对所述接触界面区域进行表征。实现了对Ni与SiC界面性质的表征，可以获得Ni与SiC界面处及界面附近的形貌图，并可以实现对其电学性质进行测量。解决了扫描探针显微镜无法表征界面性质的难题，同时也可以在微观水平上观察Ni与SiC界面处的性质随温度的变化，对理解金属半导体接触具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN117303355A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311338476.1
申请日：2023-10-16
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C01B32/188 , C01B32/184
Abstract: 本发明涉及半导体薄膜技术领域，提供了一种利用循环加热制备石墨烯的方法，通过在真空或者具有保护气氛的环境下，对碳化硅衬底进行多次循环加热，其中，每次加热的过程为：先以第一温度加热第一预定时间，使得位于碳化硅衬底表面的硅原子升华，而剩下的碳原子在碳化硅表面发生迁移聚集；再以第二温度加热第二预定时间，使得在碳化硅表面发生迁移聚集的碳原子进一步发生反应形成石墨烯；最终使得所述碳化硅衬底表面的硅原子充分升华、碳原子充分反应形成石墨烯，从而获得大面积且质量好的石墨烯。
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公开(公告)号：CN113604779A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110891246.2
申请日：2021-08-04
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提拱了一种有序手性分子链制备方法及SiC器件衬底，包括如下步骤：清洗SiC单晶衬底，以去除所述SiC单晶衬底表面杂质；将SiC单晶衬底置于真空度为1.0×10‑10mbar～3.0×10‑10mbar的制备腔内，通过直流加热方式对SiC单晶衬底进行加热除气；随后将SiC单晶衬底在900℃和1400℃下循环加热90min；然后切断直流加热，使SiC单晶衬底温度降至室温，从而使SiC单晶衬底表面均匀地形成有双层石墨烯；向制备腔内热蒸发2,2’‑二苯乙炔基‑4,4’‑二溴联苯分子，使其在低温的SiC单晶衬底的双层石墨烯表面进行手性分离与自组装，当制备腔内真空度上升至1.0×10‑9mbar～3.0×10‑9mbar时，开始沉积分子，沉积一段时间分子后，可以制得大面积有序手性分子链。
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