增透减反膜及其制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118859375A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410880325.7

    申请日:2024-07-02

    摘要: 本发明公开了一种增透减反膜及其制备方法,该增透减反膜包括基材层、第二涂布层、第一涂布层、打底层、增透层和匀化层。基材层具有相对设置的第一表面和第二表面;第二涂布层涂布在所述基材层的第二表面;第一涂布层涂布在所述基材层的第一表面;打底层镀设在所述第一涂布层的表面;增透层镀设在所述打底层的表面,用于提高所述增透减反膜的透过率;匀化层镀设在所述增透层的表面,用于提高所述增透层的光学均匀性。本发明的增透减反膜通过镀设匀化层使得增透减反膜的增透层的表面更均匀,从而提高了增透减反膜的光学均匀性。打底层能够提高增透减反膜的附着力及耐磨性。

    低反射高透过AR膜、显示器件及设备

    公开(公告)号:CN117471581A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311546899.2

    申请日:2023-11-20

    IPC分类号: G02B1/115

    摘要: 本发明公开了低反射高透过AR膜、显示器件及设备,其中AR膜包括基材层、打底层、复合结构层、镀氟化镁铌层以及镀二氧化硅层,所述复合结构层为第一镀氟化镁层与第一镀五氧化二铌层的组合,其中相邻的所述镀氟化镁层与镀二氧化硅层的厚度分别为30‑80nm、1‑25nm。本发明通过优化产品的层结构,有效地实现了AR膜产品的耐受性、使用性,具有更好的结构稳定性和使用体验性。

    一种含有SiO2、Ti的HUD膜及其制备工艺

    公开(公告)号:CN118895480A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202410983665.2

    申请日:2024-07-22

    摘要: 本发明公开了一种含有SiO2、Ti的HUD膜及其制备工艺,含有SiO2、Ti的HUD膜包括依次层叠设置的基材层、打底层、TiO2层、金属层以及SiO2层,所述SiO2层通过磁控镀膜溅射工艺形成,所述磁控镀膜溅射工艺中选用的靶材为包括硅和铝的混合靶,轰击所述靶材的反应气体为包括氩气、氮气以及氧气的混合气体。本发明通过设置TiO2层、以及通过包括氩气、氮气以及氧气的混合气体轰击包括硅和铝的混合靶形成SiO2层,使得最终形成的HUD膜耐磨性好,且P光和S光的反射效果好,环测效果好。因此,能够有效地应用于汽车前风挡玻璃,为驾驶员提供清楚完整的驾驶信息,确保驾驶的安全。

    HUD反光膜
    4.
    发明公开
    HUD反光膜 审中-实审

    公开(公告)号:CN118759623A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202411138242.7

    申请日:2024-08-19

    IPC分类号: G02B5/08 G02B1/10 G02B27/01

    摘要: 本发明公开了一种HUD反光膜,其包括基材、第一涂布层、第二涂布层、打底层、镍铬层、混合靶SiO2层和AF层。基材具有相对设置的第一表面和第二表面。第一涂布层,涂布在所述基材的第一表面;第二涂布层涂布在所述基材的第二表面;打底层磁控溅射在所述第一涂布层的表面;镍铬层磁控溅射在所述打底层的表面;混合靶SiO2层磁控溅射在所述镍铬层的表面;AF层湿法涂布在所述混合靶SiO2层的表面;其中,所述HUD反光膜被构成使得P光反射率介于20%‑35%,S光反射率介于10%‑20%,透过率介于22%‑32%。本发明的HUD反光膜采用上述层结构,结构更为简单,有助于提高生产效率,具有较好的光学性能。另外,本发明的HUD反光膜具有更好的耐候性,更好的附着力,能适应不同的使用环境。

    AR膜、元件及设备
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117488262A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311471319.8

    申请日:2023-11-07

    摘要: 本发明公开了AR膜、元件及设备,其中AR膜,包括顺次设置的基材层、打底层、最外层为镀二氧化硅层的复合层、镀氧化铌层,其中,所述复合层为增透的镀氧化钛层与降反的镀二氧化硅层的组合,镀氧化铌层作为放电性调控层其厚度满足:0.1‑10nm。本发明通过优化产品的结构设计,至少在顶层优化型地加镀一层氧化铌,能在作业过程中有效地遮盖住原先因顶层氧化硅放电中产生的波动,从而避免因波动导致镀层形貌厚度等发生变化,从而整体上改善产品的质量和性能,使得产品成型具有更好的性能稳定性。

    低方阻低色差型调光膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN115826271A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211684358.1

    申请日:2022-12-27

    IPC分类号: G02F1/01

    摘要: 本发明公开了低方阻低色差型调光膜及其制备方法,低方阻低色差型调光膜包括包括从下至上依次设置的基材层、绝缘保护层、特定ITO层和常规ITO层,所述特定ITO层的氧化铟和氧化锡的质量比为85~92:15~8,所述常规ITO层的氧化铟和氧化锡的质量比为93~95:7~5,既可在有效降低方阻的同时改善方阻的均匀性,还可保证结晶充分,降低反射率,减少色差痕,提高一次成材率。

    双面镀铜的铜膜复合材料、电子器件及设备

    公开(公告)号:CN117476272A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311513350.3

    申请日:2023-11-14

    IPC分类号: H01B5/14

    摘要: 本发明公开了双面镀铜的铜膜复合材料、电子器件及设备其中复合材料,包括背保层、正保层、基材以及形成于基材两侧的复合结构,复合结构选自:第一结构,由基材向外顺次地设置有打底层、第一黑化层、金属功能层、第二黑化层、第Ⅰ金属层,其中打底层的靶材选自SiO2、Si、MgF2、HfO2、SnO2、Y2O3;第二结构,包括顺次设置的IM‑HC层、打底层、第Ⅰ黑化层、金属功能层、第Ⅱ黑化层、第Ⅰ金属层;所述第一黑化层、第二黑化层中和/或第Ⅰ黑化层、第Ⅱ黑化层中均至少有部分层的靶材为氮氧化铜,其中氮在氧化铜的掺量为0.1‑0.3wt.%。本发明的铜膜复合材料通过从优化复合结构以及镀层组成等多方面出发,从而有效地改善了产品的应用性能,有效防止产品在使用中发生变色、并且由于氧化致使方阻增大。