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公开(公告)号：CN111172500B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010045208.0
申请日：2020-01-16
申请人： 浙江晶驰光电科技有限公司
摘要： 一种PET镀膜方法、镀膜PET，属于镀膜技术领域。方法包括：步骤S01,在PET基板表面溅镀Ti；步骤S02，在溅镀Ti层的PET基板上进行镀膜。本镀膜PET基于上述方法制备。本发明在PET薄片基本表面镀膜，采用特定的膜层设计，使之与PET表面精密粘结，并达到在400nm～700nm光谱波段平均反射率低于0.15％的吸光作用。
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公开(公告)号：CN110106482A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910524141.6
申请日：2019-06-17
申请人： 浙江晶驰光电科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种镀膜治具及镀膜方法，涉及溅射镀膜技术领域，本发明提供的镀膜治具包括：承载组件和压片组件，承载组件设有外凸圆柱面，压片组件与承载组件可拆卸地连接；当压片组件与承载组件连接时，压片组件抵接外凸圆柱面，且沿外凸圆柱面的圆周方向弯曲；压片组件用于连接可弯曲变形的镀膜基片，并使镀膜基片沿外凸圆柱面的圆周方向弯曲，本发明提供的镀膜治具缓解了使用旋转式溅射镀膜机加工大尺寸镀膜基片的成片率低下的技术问题，能够使镀膜基片的镀膜面由平面转变为圆柱面，有利于降低镀膜散差，提高大尺寸镀膜基片的成片率。
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公开(公告)号：CN110066981B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201910520212.5
申请日：2019-06-17
申请人： 浙江晶驰光电科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种正装基片定位装置及基片装载方法，涉及镀膜技术领域，本发明提供的正装基片定位装置包括：基板、压板和连接件，连接件包括：延伸部和凸台部，延伸部与基板连接，延伸部背离基板的一端连接凸台部；压板上设有第一通槽和镀膜通孔，第一通槽与镀膜通孔间隔设置，连接件插接于第一通槽；第一通槽包括：第一端槽部和第一径槽部，第一端槽部和第一径槽部连通，且分别贯穿压板；第一端槽部的槽宽大于等于凸台部的直径，第一径槽部的槽宽小于凸台部的直径，本发明提供的正装基片定位装置缓解了现有正装基片定位装置拆装镀膜片效率低下的技术问题，降低了拆装镀膜片的操作难度，有利于提高拆装镀膜片的工作效率。
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公开(公告)号：CN115291314A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211057097.0
申请日：2022-08-30
申请人： 浙江晶驰光电科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种接收端滤光片及制备方法、以及组合滤光器，属于镀膜技术领域。它解决了现有制作的接收端滤光片比较单一的问题。本接收端滤光片包括玻璃基底、窄带通膜系以及增透膜系，窄带通膜系包括逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层，以及作为最外层的氧化硅膜层，增透膜系包括逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层，以为作为最外层的氧化硅膜层。本接收端滤光片具有在入射角为0°‑60°的角度范围内，具有重叠高透过率；入射角为0°‑60°的角度范围内，需求截止谱段具有抑制光信号通过作用的优点。
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公开(公告)号：CN111736251B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202010506374.6
申请日：2020-06-05
申请人： 浙江晶驰光电科技有限公司
摘要： 一种中红外透过滤光片及其制备方法，属于镀膜技术领域。滤光片包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的窄带通膜系、以及设于玻璃基底另一侧的长波通膜系；窄带通膜系包括逐层交替沉积的氢氧化硅/氮氢化硅膜层和氧化硅膜层；长波通膜系包括逐层交替沉积的氢氧化硅/氮氢化硅膜层和氧化硅膜层。方法包括：采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧沉积上述窄带通膜系并在玻璃基底另一侧沉积上述长波通膜系。本发明滤光片可在1300‑1400nm谱段具有高透过率，同时在350‑1280nm谱段、1420‑1800nm谱段截止。
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公开(公告)号：CN111736250B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202010440566.1
申请日：2020-05-22
申请人： 浙江晶驰光电科技有限公司
摘要： 一种黑膜窄带滤光片及其制备方法，属于镀膜技术领域。滤光片包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的窄带通膜系、以及设于玻璃基底另一侧的长波通膜系；长波通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氢氧化硅/氮氢化硅膜层和氧化硅膜层；窄带通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢氧化硅/氮氢化硅膜层。方法包括：采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧沉积上述长波通膜系，并在玻璃基底另一侧沉积上述窄带通膜系。本发明在入射角为0°时，934‑962nm谱段具有高透过率，在350‑901nm谱段、1000‑1100nm谱段截止；入射角为30°时，925‑951nm谱段具有高透过率；同时窄带面在入射角为6°时，反射在400‑700波段平均反射低于5％。
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公开(公告)号：CN115166886B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210669995.5
申请日：2022-06-14
申请人： 浙江晶驰光电科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种超低角度偏移效应的红外截止滤光器，属于滤光器技术领域。它解决了现有的近红外窄带滤光片其偏移程度较长的问题。本超低角度偏移效应的红外截止滤光器，包括红外窄带滤光片，其具有NBP膜和LP膜；NBP膜的结构为L(HM)^n L，LP膜的结构为L(HL)^n；H代表1个基本厚度的高折射率膜层，M代表1个基本厚度中折射率膜层，L代表1个基本厚度的低折射率膜层；1个H或1个M或1个L代表该膜层在参考波长处具有1/4光学厚度，n代表H膜层和M膜层叠加后的重复次数，m代表H膜层和L膜层叠加后的重复次数。NBP膜采用了H、M、L三种材料，LP膜采用了H、L两种材料，实现了红外截止滤光器的超低大角度偏移效果。
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公开(公告)号：CN111736252B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010507670.8
申请日：2020-06-05
申请人： 浙江晶驰光电科技有限公司
摘要： 一种近红外透过滤光片及其制备方法，属于镀膜技术领域。滤光片包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的长波通膜系、以及设于玻璃基底另一侧的AR膜系；长波通膜系包括逐层交替沉积的高折射率膜层和中折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；AR膜系包括逐层交替沉积的中折射率膜层和低折射率膜层。方法包括：采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧沉积上述长波通膜系，并采用电子束蒸发方法在玻璃基底另一侧沉积上述AR膜系。本发明可以满足大角度(0‑52°)光谱特性要求，且在可见光/截止波段具有低反射特性(＜4.5％)，可以消除杂反光对光学元件光谱特性的影响。
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公开(公告)号：CN111736252A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010507670.8
申请日：2020-06-05
申请人： 浙江晶驰光电科技有限公司
摘要： 一种近红外透过滤光片及其制备方法，属于镀膜技术领域。滤光片包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的长波通膜系、以及设于玻璃基底另一侧的AR膜系；长波通膜系包括逐层交替沉积的高折射率膜层和中折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；AR膜系包括逐层交替沉积的中折射率膜层和低折射率膜层。方法包括：采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧沉积上述长波通膜系，并采用电子束蒸发方法在玻璃基底另一侧沉积上述AR膜系。本发明可以满足大角度(0-52°)光谱特性要求，且在可见光/截止波段具有低反射特性(＜4.5％)，可以消除杂反光对光学元件光谱特性的影响。
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公开(公告)号：CN111736251A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010506374.6
申请日：2020-06-05
申请人： 浙江晶驰光电科技有限公司
摘要： 一种中红外透过滤光片及其制备方法，属于镀膜技术领域。滤光片包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的窄带通膜系、以及设于玻璃基底另一侧的长波通膜系；窄带通膜系包括逐层交替沉积的氢氧化硅/氮氢化硅膜层和氧化硅膜层；长波通膜系包括逐层交替沉积的氢氧化硅/氮氢化硅膜层和氧化硅膜层。方法包括：采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧沉积上述窄带通膜系并在玻璃基底另一侧沉积上述长波通膜系。本发明滤光片可在1300-1400nm谱段具有高透过率，同时在350-1280nm谱段、1420-1800nm谱段截止。
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