一种单晶硅拉晶复投检测方法、装置、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN116843950A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310645833.2

    申请日:2023-06-01

    摘要: 本发明涉及直拉硅单晶技术领域,尤其涉及一种单晶硅拉晶复投检测方法、装置、设备及存储介质,包括:获取单晶硅拉制图像集,并对单晶硅拉制图像集进行标注处理,得到标注图像集,对标注图像集进行特征提取,得到特征图像集,利用特征图像集对预训练模型训练,得到训练完成的单晶硅复投检测模型,利用单晶硅复投检测模型对待检测单晶硅图像集进行像素级分割,得到像素分类检测结果,对结果硅料待熔量进行判断处理,若当前未开始投料且待熔料量小于预设值,则进行复投料,否则持续检测是否可投料,若已开始投料,判断投料是否完成,直到工步完成,降低人工成本,保证结果一致性与准确性,提高设备利用率,实现了高效、准确的单晶硅拉晶复投检测。

    一种基于滑动窗口和TensorRT加速的硅片隐裂检测方法及装置

    公开(公告)号:CN117132526A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202310215410.7

    申请日:2023-03-01

    摘要: 本申请提出了一种基于滑动窗口和TensorRT加速的硅片隐裂检测方法及装置,涉及硅片缺陷检测技术领域,包括:获取原始隐裂硅片成像,对原始隐裂硅片成像进行裁剪与标注以构建数据集;根据数据集对改进的YOLOv5模型进行训练,得到pytorch检测模型;将pytorch检测模型部署到设备端并使用TensorRT进行推理加速,生成tensorrt模型;获取待检测硅片成像,使用滑动窗口对待检测硅片成像进行滑动取图并输入至tensorrt模型进行推理,得到推理结果;对推理结果进行处理并转换回原始成像尺寸,在原始成像尺寸下对推理结果进行再次处理,得到硅片的隐裂检测结果。本申请从数据集、模型、部署方式和检测策略等方面对硅片隐裂检测进行优化,实现高精度、高速度的检测,提高产能和质量,具有高实用性。