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公开(公告)号：CN118825131A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410924518.8
申请日：2024-07-10
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , B23K37/00 , B23K101/36
摘要： 本申请涉及一种电池片加工工艺，包括：使焊带上具有连接层，所述连接层可导电；提供一载体，载体具有操作面，操作面用于承载焊带和/或电池片，焊带沿操作面绕卷于载体的操作面上；将电池片布置于带焊带的操作面上，使电池片与焊带通过所述连接层粘接；使连接层固化；切割得到具有焊带的电池片。解决了电池片焊接设备结构复杂的技术问题，达到简化电池片焊接设备结构的技术效果。
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公开(公告)号：CN117904719B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410296663.6
申请日：2024-03-15
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种N型SiC外延片及其制备方法。该N型SiC外延片的制备方法，包括以下步骤：将SiC衬底置于外延炉的反应腔室内；先向反应腔室通入硅源气体1s‑30s，然后向反应腔室通入混合气体1s‑30s，循环上述步骤直至形成第一缓冲层，混合气体包括碳源和N2；向反应腔室同时通入硅源气体和混合气体，在第一缓冲层的表面形成第二缓冲层；在第二缓冲层的表面形成外延层并对外延层进行N掺杂，得到N型SiC外延片。该N型SiC外延片的制备方法能够使SiC主要以台阶流动生长模式进行外延生长，很好的避免了三角形缺陷的产生，提高了制得的N型SiC外延片的质量。
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公开(公告)号：CN118308704A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410502450.4
申请日：2024-04-25
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本发明公开了一种反应腔及沉积设备，涉及沉积设备技术领域。该反应腔包括腔侧壁、连通腔、侧通法兰和冷却结构，腔侧壁的两端分别设有第一法兰和第二法兰，连通腔设于腔侧壁的一侧并与反应腔连通，侧通法兰设于连通腔远离腔侧壁的一端。冷却结构包括进液口、出液口、第一冷却通道、第二冷却通道和冷却腔，进液口和出液口设于第一法兰；第一冷却通道设于侧通法兰，进液口通过第一连通管与第一冷却通道的进口连通。第二冷却通道设于第二法兰内，第一冷却通道的出口通过第二连通管与第二冷却通道的进口连通。冷却腔设于腔侧壁内，第二冷却通道的出口与冷却腔的进口连通，冷却腔的出口与出液口连通。
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公开(公告)号：CN118147744A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410271812.3
申请日：2024-03-11
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司
IPC分类号： C30B25/08 , C30B25/14 , C23C16/44 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种用于气相沉积的盖板装置，所述用于气相沉积的盖板装置包括基座组件、吊接组件、连接组件和盖板本体，吊接组件设在基座组件的底部，连接组件与吊接组件相连，且连接组件的顶部与基座组件之间具有间隙，连接组件绕竖直方向的外周面具有凸出的承载部，盖板本体套设在连接组件的外周，并承载在承载部上。本发明的用于气相沉积的盖板装置通过吊接组件将连接组件吊设在基座组件底部，将盖板本体承载在连接组件的承载部上，以避免盖板本体上设有其他部件，从而避免盖板本体在安装过程中受损和破裂，同时，吊接组件使连接组件的顶部与基座组件之间具有间隙，从而确保反应气体和/或冷却气体能够在盖板装置内通过。
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公开(公告)号：CN117469978A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311695434.3
申请日：2023-12-11
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本申请涉及碳化硅高温热处理设备领域，具体提供一种用于碳化硅的高温加热炉。所述用于碳化硅的高温加热炉包括炉壳装置、工艺管、第一加热装置和第二加热装置，工艺管的开口端与炉壳装置相连，工艺管的封闭端位于炉壳装置的炉壳内腔中，第一加热装置的加热端环绕在工艺管的外周，并位于开口端和封闭端之间，第一加热装置的接电端穿设在炉壳装置的侧壁上，第二加热装置的加热端设在封闭端的外侧，第二加热装置的接电端穿设在炉壳装置的一端。本申请用于碳化硅的高温加热炉将第一加热装置穿设在炉壳装置的侧壁上，以避免第一加热装置占用炉壳装置上方的空间，使高温加热炉整体的轴向长度降低，同时降低结构复杂性和拆装难度，并具有较大的接线空间。
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公开(公告)号：CN117132526A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310215410.7
申请日：2023-03-01
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本申请提出了一种基于滑动窗口和TensorRT加速的硅片隐裂检测方法及装置，涉及硅片缺陷检测技术领域，包括：获取原始隐裂硅片成像，对原始隐裂硅片成像进行裁剪与标注以构建数据集；根据数据集对改进的YOLOv5模型进行训练，得到pytorch检测模型；将pytorch检测模型部署到设备端并使用TensorRT进行推理加速，生成tensorrt模型；获取待检测硅片成像，使用滑动窗口对待检测硅片成像进行滑动取图并输入至tensorrt模型进行推理，得到推理结果；对推理结果进行处理并转换回原始成像尺寸，在原始成像尺寸下对推理结果进行再次处理，得到硅片的隐裂检测结果。本申请从数据集、模型、部署方式和检测策略等方面对硅片隐裂检测进行优化，实现高精度、高速度的检测，提高产能和质量，具有高实用性。
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公开(公告)号：CN117071056A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310943416.6
申请日：2023-07-28
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06 , G06Q10/04 , G06F30/20 , G06F18/214 , G06F18/23 , G06F111/04 , G06F119/08
摘要： 本发明提出一种单晶炉收尾控制方法及装置，涉及单晶硅生产技术领域，方法包括：获取单晶炉历史收尾时的历史晶体尾部轮廓直径，以及与历史晶体尾部轮廓直径相关的特征工艺参数；基于历史晶体尾部轮廓直径与特征工艺参数，构建晶体尾部轮廓直径预测模型；预测出实时特征工艺参数对应的实时晶体尾部轮廓直径；基于实时晶体尾部轮廓直径与实时晶体长度，确定单晶炉实时收尾时的最优工艺参数，将最优工艺参数作为单晶炉下一时刻收尾时的目标特征工艺参数，由此，基于晶体尾部轮廓直径预测模型预测的实时晶体尾部轮廓直径，准确确定出单晶炉实时收尾时的最优工艺参数，实现单晶炉收尾工艺的合理性、高效性，提高收尾成功率。
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公开(公告)号：CN116843949A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310645681.6
申请日：2023-06-01
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
IPC分类号： G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06T7/00 , G06T7/246 , G06N3/0464 , G06N3/08
摘要： 本发明涉及单晶硅制备技术领域，尤其涉及一种单晶硅生长变形检测方法、装置、设备及存储介质，包括：获取单晶硅拉制图像集，并对所述单晶硅拉制图像集进行标注处理，得到标注图像集，对所述标注图像集进行特征提取，得到特征图像集，利用所述特征图像集对预训练模型训练，得到训练完成的单晶硅检测模型，利用所述单晶硅检测模型对待检测单晶硅图像集进行检测，得到单晶硅检测结果，对所述单晶硅检测结果中发生形变的单晶硅进行处理，恢复单晶硅制备，基于深度学习卷积神经网络的理论，自动、实时、精准地判断等径晶棒生长是否有扭曲变形的存在，输出变形的程度进行生产操作，提高设备的整体自动化水平。
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公开(公告)号：CN116732615A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310579077.8
申请日：2023-05-19
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本发明提出一种单晶炉熔接控温方法及装置，方法包括：基于单晶炉熔接过程中对应的熔接数据集，构建单晶炉熔接时的温度预测模型，以及预调温和稳温温度曲线库，基于温度预测模型，得到单晶炉在实时预调温和稳温各阶段对应的实时目标温度，并基于预调温和稳温温度曲线库，选取出与实时预调温和稳温各阶段的实时初始状态数据匹配的最优目标温度曲线，以根据最优目标温度曲线构建的实时预调温和稳温各阶段对应的代价函数，求解出调控到实时目标温度所需的目标功率值，进而调控熔接温度，由此，基于实时预调温和稳温阶段各自对应的最优目标温度曲线构建的代价函数，实现实时预调温和稳温阶段目标功率值的精准求解，提升熔接效率和温度的一致性。
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公开(公告)号：CN116555902A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310455057.X
申请日：2023-04-21
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司
IPC分类号： C30B25/02 , C30B25/12 , C30B29/36 , C23C16/54 , C23C16/458 , H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种气相生长装置及其使用方法，所述气相生长装置包括中转室、供料室、装载室和多个反应室，所述中转室内设有用于转运晶圆和托盘的第一机械手，所述供料室具有用于取放所述晶圆的进出口，所述供料室上设有第一阀门，所述第一阀门用于打开或关闭所述进出口。所述供料室与所述中转室之间设有第二阀门，所述第二阀门用于连通或分隔所述供料室和所述中转室，所述装载室与所述中转室连通，所述装载室用于将所述晶圆装载在所述托盘上，所述反应室与所述中转室连通，每个所述反应室与所述中转室之间设有第三阀门，所述第三阀门用于连通或分隔所述反应室和所述中转室。本发明的实施例的气相生长装置具有设备利用率高和空间利用率高等优点。
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