一种抛光设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118977196A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411472540.X

    申请日:2024-10-21

    摘要: 本申请涉及半导体抛光技术领域,尤其是涉及一种抛光设备,包括设备主体,所述设备主体包括:抛光盘;布设机构,所述布设机构用于抛光盘上布设抛光垫,所述布设机构包括:载体,所述载体具有一承载面,所述承载面用于承载抛光垫,所述承载面上至少具有一连接部,所述连接部用于可拆卸连接抛光垫,以使抛光垫可贴合于所述承载面上;所述承载面可与所述抛光盘抵压配合,以使所述抛光垫与所述抛光盘形成一受力段。解决了如何提高抛光垫粘贴品质的技术问题,达到有效提高抛光垫粘贴品质的技术效果。

    一种抛光设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118977195A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411471850.X

    申请日:2024-10-21

    摘要: 本申请涉及半导体抛光技术领域,尤其是涉及一种抛光设备,包括:设备主体,设备主体用于硅片抛光,设备主体具有加工室;过滤机构,过滤机构用于对去除设备主体内部的颗粒物,过滤机构包括:净化室,净化室连接于加工室上,净化室和加工室至少部分连通;第一过滤组件,第一过滤组件连接于净化室和加工室之间,第一过滤组件可沿第一方向送风并过滤,第一方向是指加工室到净化室的方向;以及第二过滤组件,第二过滤组件连接于净化室和加工室之间,第二过滤组件可沿第二方向送风并过滤,第二方向是指净化室到加工室的方向;使得在加工室和净化室之间形成循环气流。

    电池片的加工装置及其加工方法

    公开(公告)号:CN118969913A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411450402.1

    申请日:2024-10-16

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/05 B23K37/04

    摘要: 本申请公开了一种电池片的加工装置及其加工方法,该加工装置包括载体和压具组件;载体具有用于承载导电连接件和电池片的承载面。压具组件至少部分作用于电池片上,以使得电池片固定于承载面上,并使得电池片能够与承载面上的导电连接件接触;该加工方法包括导电连接件绕卷于载体的承载面上;电池片放置于载体的承载面上;压具组件作用于电池片,以使电池片固定于承载面上,并使得电池片能够与承载面上的导电连接件接触。通过上述设置,可以简化载体结构,提高载体的加工和维护效率。

    抛光机及抛光状态监测方法

    公开(公告)号:CN118305711B

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410727790.7

    申请日:2024-06-06

    摘要: 本发明提供了一种抛光机及抛光状态监测方法,属于晶片抛光技术领域,解决了现有技术抛光机停机次数多的问题。本发明的抛光机包括抛光盘,抛光盘上设有抛光垫,用于抛光晶片;抛光头,抛光头设置于抛光盘上方,抛光头包括:软基垫和本体,软基垫设置于抛光头底部,软基垫用于吸附晶片,本体设置于软基垫上方远离抛光垫的一侧,本体与软基垫之间形成一空腔;以及检测组件,包括磁场发生器和磁场检测器。本申请通过在抛光盘上设置磁场发生器以形成磁场,并利用磁场的磁吸力与抛光头内的磁场检测器相配合,从而快速检测晶片状态为正常运行或飞片,便于及时执行相应的抛光控制策略,可延长抛光机的使用寿命,减少停机次数。

    抛光液供给装置及供给方法

    公开(公告)号:CN118143860B

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410569081.0

    申请日:2024-05-09

    IPC分类号: B24B57/02 B24B37/005

    摘要: 本发明提供了一种抛光液供给装置及供给方法,属于晶圆抛光技术领域,解决了现有技术容易产生检测死角从而泄漏结晶物的问题。本发明的抛光液供给装置包括壳体、第一供给模块、堵塞检测模块以及碎晶模块,堵塞检测模块包括筛选单元和流量监测单元,流量监测单元设置于所述壳体内,用于获取所述壳体内抛光液的流量信息以确定所述筛选单元的堵塞状态;所述碎晶模块设置于所述筛选单元外侧,作用于所述筛选单元,且基于所述筛选单元的堵塞状态,以对所述筛选单元上的结晶物执行相应的碎晶操作。本发明通过双向的冲刷引导使得冲落的结晶物最终集中于筛选单元上,以便于流量监测单元的监测感知,且有利于后续碎晶装置的集中碎晶操作。

    一种抛光设备及方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118305713A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410737627.9

    申请日:2024-06-07

    摘要: 本申请涉及半导体加工领域,尤其是涉及一种抛光设备及方法,抛光设备包括:上料室,所述上料室用于抛片上料;加工室,所述加工室用于抛片加工,所述加工室与所述上料室连通;下料室,所述下料室用于抛片下料,所述下料室与所述加工室连通;以及传动机构,所述传动机构设置于所述上料室与所述加工室之间、所述加工室与所述下料室之间,所述传动机构用于所述上料室向所述加工室输入抛片、所述加工室向所述下料室输出抛片;其中,所述上料室设置有第一气压,所述加工室与所述下料室设置有第二气压,所述第一气压大于所述第二气压。解决了CMP设备空间内的颗粒污染的技术问题,达到降低CMP设备空间内的颗粒污染的技术效果。

    载台调平方法、储存介质、虚拟装置及测量设备

    公开(公告)号:CN118263177A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410359394.3

    申请日:2024-03-27

    摘要: 本发明涉及晶圆测试技术领域,具体公开了一种载台调平方法、储存介质、虚拟装置及测量设备,该载台调平方法包括S100、控制升降件或第二驱动件以使得第二驱动件抵接干涉仪,获取载台位置;S200、基于载台位置判断载台是否位于干涉仪的测量范围,确定第一检测结果;S300、基于第一检测结果获取载台姿态;S400、基于载台姿态判断载台是否水平,确定第二检测结果;S500、基于第二检测结果计算各第二驱动件的收缩量;S600、基于收缩量,调节各个第二驱动件收缩,以使得在弹性件的作用下将载台局部抬升并达到水平状态;S700、完成载台的调平工作。上述设置不会由于机械间隙的存在而引入位置偏移,从而有利于保证晶圆测量精度。