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公开(公告)号：CN115985777A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310096668.X
申请日：2023-01-18
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/28 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/778
摘要： 本申请公开了一种GaN基HEMT器件的制备方法，包括以下步骤：S1、制备得到外延片；S2、在外延片上刻蚀出台面；S3、在AlGaN层上，蚀刻出第一凹槽和第二凹槽；S4、在第一凹槽上形成源电极，在第二凹槽上形成漏电极，然后在温度为550～600℃下退火1.5～3min；S5、在外延片表面沉积栅介质层；S6、在栅介质层的表面蒸镀得到栅电极。本申请利用HEMT自发极化和压电极化形成的二维电子气先天优势，结合550～600℃相对较低的退火温度和1.5～3min更短的退火时间，实现良好的源电极和漏电极的欧姆接触，同时减少了高温和长时间退火对源电极和漏电极的损伤，也提高HEMT欧姆接触制作的效率。
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公开(公告)号：CN117760200A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311701627.5
申请日：2023-12-12
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
摘要： 本发明属于碳化硅冶炼炉技术领域，提供了一种环保型碳化硅多功能冶炼炉及工艺，包括物料储存台，物料储存台的外侧壁固定连接有中转平台，中转平台的外侧壁的顶端安装有提升平台，提升平台远离中转平台的一端固定连接有进料斗，进料斗的底端固定连接有打碎筒，打碎筒的底端固定连接有转料斗，转料斗的外侧壁安装有冶炼炉主体；本发明通过称重机构的设置，可以方便对所需物料进行称重，配合调整机构和控制机构的设置，可以组合对所需的物料进行精确的配比称重，将所需的物料灌装到需要的重量则停止，提高配比的精准性，保证配比出来的物料较为精准，并且自动配比放料，节省了人工，方便进行使用。
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公开(公告)号：CN116110964A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310110755.6
申请日：2023-01-16
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/335
摘要： 本申请公开了宽栅增强型HEMT器件及其制备方法，其中，宽栅增强型HEMT器件包括：衬底；U‑GaN缓冲层，位于衬底的上表面；P‑GaN层，位于U‑GaN缓冲层的表面；U‑GaN沟道层，位于P‑GaN层的表面；AlGaN势垒层，位于U‑GaN沟道层的表面，具有第一沟槽和第二沟槽；源电极，形成在第一沟槽；漏电极，形成在第二沟槽；栅介质层，位于AlGaN势垒层、源电极以及漏电极的表面；宽栅电极，形成在栅介质层的表面。本申请不采用P‑GaN在上层的结构，而是将P‑GaN放在AlGaN势垒层下方，这样设置可以避免因P‑GaN刻蚀不均匀对AlGaN势垒层所造成的破坏，减少了2DEG的损耗，使器件的电学性能更加稳定；用宽栅电极来覆盖AlGaN势垒层、源电极和漏电极，宽栅电极可以使耗尽的2DEG反型，从而达到开启的效果。
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公开(公告)号：CN117867654A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311837329.9
申请日：2023-12-28
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种碳化硅同质外延材料的制备方法及其生长室，方法包括：S1、刻蚀，S2、导入前体气体，S3、生长S i C薄膜，S4、生成纳米结构，S5、冷却和S6、表征；本发明在S i C薄膜生长过程中，引入NH3分解产生氮掺杂可以改变S i C材料的电学和光学性质，如用于光电器件和功率器件，引入N2作为气相掺杂源，可以改善S i C薄膜的结晶质量和降低缺陷密度，从而提高材料的性能和稳定性，通过引入N2生成氮化碳化硅(S i CN)纳米线可以具备独特的光学和电学性质，适用于纳米尺度电子器件或传感器制造，从而扩展了S i C材料的应用领域。
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公开(公告)号：CN117913042A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311701621.8
申请日：2023-12-12
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/12 , H01L23/49 , H01L23/32 , H01L23/04 , H01L23/10
摘要： 本发明涉及碳化硅半导体技术领域，具体公开了一种碳化硅半导体器件，包括：封装机构，封装机构包括基板、金属封装和上压盖，金属封装两侧面均固定连接有若干焊接针脚，支护机构，支护机构包括开设在基板下表面的回收槽以及插接在回收槽内部的活动转轴，散热机构，散热机构包括固定设置在上压盖上的散热铜板以及弹性铜片，弹性铜片的数量为两个，两个弹性铜片的一端分别与散热铜板的两端相固定连接，弹性铜片一表面开设有若干开槽，开槽贯穿弹性铜片；本发明通过设置支护机构和散热机构可在不影响引脚焊接操作的同时在运输过程中为焊接针脚提供防护，并且可将散热硅脂均匀挤压摊开，能够改善半导体器件的热量导出效果。
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公开(公告)号：CN116666483A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310467240.1
申请日：2023-04-25
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L27/144
摘要： 本申请公开了一种肖特基型异质结光电探测器及制备方法，器件包括：衬底、U型GaN层、绝缘层、金属材料层、源电极以及漏电极；U型GaN层设置在衬底上方；绝缘层设置在U型GaN层上方，绝缘层上形成有多个开孔，开孔使绝缘层上暴露出U型GaN层；金属材料层设置在开孔内，并与U型GaN层接触形成肖特基异质结；源电极设置在U型GaN层上方；漏电极设置在金属材料层上方，漏电极一端堆叠在绝缘层上，另一端堆叠在金属材料层上，漏电极与U型GaN层不接触，漏电极与源电极之间互不相连。金属材料层与U型GaN层接触形成肖特基异质结，器件可以表现出自供电的性能，肖特基异质结可以抑制GaN材料的暗电流，从而使本发明的探测器具有较高的响应度以及光开关比。
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公开(公告)号：CN116092981A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310103787.3
申请日：2023-02-01
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/268 , B23K26/064 , B23K26/70 , B23K101/40
摘要： 本申请公开了一种用于提升晶圆退火质量的激光退火设备，包括：载物台；第一载镜台，具有能够上下和左右移动的第一滑杆；第一反光镜，转动安装在第一滑杆上；第二载镜台，具有能够上下和左右移动的第二滑杆；第二反光镜，转动安装在第二滑杆上；激光装置，用于形成预热激光和退火激光，预热激光的功率小于退火激光的功率。本申请操作时，可实现当前区域的退火与下一区域的预热同时进行，大幅降低了晶圆表面的热应力形变，同时提升了退火效率。本申请载物台为固定装置，晶圆置于其上，且两者固定不动，避免或大幅减少了现有退火设备中因晶圆运动所产生的一些影响退火质量的杂质。
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公开(公告)号：CN115799380A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211654194.8
申请日：2022-12-22
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/18
摘要： 本申请公开了外延结构、增强型HEMT结构的紫外光电探测器及其制备方法，其中，外延结构，包括：衬底，具有第一表面和第二表面；U‑GaN缓冲层，位于衬底的第一表面；P‑GaN层，位于U‑GaN缓冲层的表面；N‑GaN沟道层，位于P‑GaN层的表面；AlGaN势垒层，位于N‑GaN沟道层的表面。本申请外延结构，P‑GaN层在N‑GaN沟道层下方，AlGaN势垒层在最上端，避免了由于P‑GaN层刻蚀深度把控不准确而对AlGaN势垒层产生破坏，进而影响了2DEG的问题，本申请的外延结构提升了器件的可靠性与稳定性。
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