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公开(公告)号：CN117861354A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311837327.X
申请日：2023-12-28
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料加工技术领域，具体公开了一种碳化硅外延工艺用尾气处理设备及其使用方法，包括：处理室、过滤结构、过滤网、弧形刮板、处理结构、燃烧室、加热模块、清理结构、滑板、进气结构和密封结构；本发明气体通过过滤网进行过滤，同时气体会推动弧形刮板转动，弧形刮板会将过滤网上的固体颗粒物刮下，从而便于对尾气中的固体颗粒物进行收集，避免造成预热管及燃烧室内壁严重污染，通过设置处理结构、进气结构和清理结构，在尾气进行燃烧时，不仅可以通过驱动清理结构运动来平衡燃烧室内的气压，避免气体膨胀爆炸，又可以在清理结构运动时对燃烧室进行清理，避免固体颗粒物附着影响气体加热和燃烧，大大提高了气体燃烧的稳定性。
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公开(公告)号：CN117718227A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311741516.7
申请日：2023-12-18
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
摘要： 本发明涉及碳化硅生产技术领域，且公开了一种亚微米碳化硅分级装置及其使用方法，包括安装台，所述安装台上固定连接有分级箱，所述分级箱上转动连接有传动管，所述传动管内开设有传动槽，所述传动槽内滑动连接有传动条，所述传动条的一侧固定连接有进料管，所述进料管上设置有分级机构，该亚微米碳化硅分级装置及其使用方法，通过将亚微米碳化硅粉体通入到进料管内，同时通过传动机构带动传动管、传动条和进料管进行往复转动，使橡胶软管内的亚微米碳化硅粉料在橡胶软管内进行来回移动，同时亚微米碳化硅粉料在离心力的作用下通过筛分网被充分筛分出去，从而实现对亚微米碳化硅进行充分的分级，大大提高了对亚微米碳化硅的分级效率。
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公开(公告)号：CN115939224A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310099904.3
申请日：2023-02-01
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/16
摘要： 本申请公开了4H‑SiC JBS二极管结构及其制备方法，其中，4H‑SiC JBS二极管结构包括：N型SiC衬底；第一金属电极，位于所述N型SiC衬底的背面；N型SiC外延层，位于所述N型SiC衬底的正面，所述N型SiC外延层上方的有源区具有沟槽；二次外延P型材料，位于所述沟槽上；SiO2隔离层，位于所述N型SiC外延层和二次外延P型材料的上方；第二金属电极，位于所述SiO2隔离层的上方。本申请通过生长型二次外延P型材料来代替离子注入形成的P型注入区，避免了由于现有工艺的复杂性和实现难度较大对器件表面造成严重损伤，同时能够精确控制生长厚度和掺杂剂量，二次外延P型材料能与SiC外延层形成PN结，实现耐压结构。
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公开(公告)号：CN116344663A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310316978.8
申请日：2023-03-23
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/112 , H01L31/0304 , H01L31/18
摘要： 本申请公开了一种基于氮化镓的凹栅MOS结构紫外光电探测器，包括：衬底；缓冲层，位于衬底的上表面；第一n+‑GaN层，位于缓冲层的上表面；n‑‑GaN层，位于第一n+‑GaN层的上表面；p‑GaN层，位于n‑‑GaN层的上表面；第二n+‑GaN层，位于p‑GaN层的上表面，p‑GaN层和第二n+‑GaN层上形成有延伸至n‑‑GaN层表面的第一凹口；栅介质层，位于第一n+‑GaN层的上表面、第二n+‑GaN层的上表面以及第一凹口的表面，栅介质层、第二n+‑GaN层以及p‑GaN层形成有第二凹口；漏电极，位于第一n+‑GaN层上；栅电极，位于栅介质层的上表面，与第一凹口相对应；源电极，位于第二凹口处。本申请PN结的存在使其拥有栅压调控其光电特性的能力。通过施加给器件一个正栅压，紫外探测的光暗电流比能够超过106，同时器件具有极快的上升时间τrise和衰减时间τdecay。
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公开(公告)号：CN117929962A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311741512.9
申请日：2023-12-18
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及碳化硅芯片技术领域，具体公开了一种碳化硅芯片抗辐照测试及其预警设备，包括：机体；抗辐照仓门，所述抗辐照仓门铰接在机体的外部；辐照装置，所述辐照装置设置在机体的内侧壁上；触点机构，所述触点机构设置在机体的内部；本发明通过设置的安装板、拉伸座、放置板座和拉伸簧使得通过滑动板与拉伸簧之间的弹性伸缩及滑动机构的设置能够增加滑动板在进行滑动伸缩时的稳定性，进而碳化硅芯片在通过抵合板的抵合夹持，能够对其进行固定夹持操作，随后对限位座的拉伸转动操作，对触点探针能够在待测碳化硅芯片的电机区进行快速通电连接，进而有效增加对碳化硅芯片的快速抗辐照测试操作。
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公开(公告)号：CN117913003A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311701623.7
申请日：2023-12-12
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体制备技术领域，具体公开了一种基于减小蚀刻因子的低成本碳化硅衬底蚀刻治具，包括：底座，所述底座顶部的一侧设置有中空支撑柱，若干放置机构，设置在所述中空支撑柱的外表面，所述放置机构包括固定安装在中空支撑柱外表面的固定环；本发明通过放置机构和限位机构的设置，使若干容置盘之间可以在中空支撑柱上转动，从而使每个容置盘之间相互交错，扩大容置盘之间的空间，使其可以便捷的放入晶盘，同时在每个步骤后，均可以通过控制长条形框长边和宽边与中空支撑柱顶端的接触，即可便捷的对初始位置的容置盘和转动后容置盘进行位置固定，从而保证晶盘稳定程度，提高对晶盘的保护程度。
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公开(公告)号：CN116666483A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310467240.1
申请日：2023-04-25
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L27/144
摘要： 本申请公开了一种肖特基型异质结光电探测器及制备方法，器件包括：衬底、U型GaN层、绝缘层、金属材料层、源电极以及漏电极；U型GaN层设置在衬底上方；绝缘层设置在U型GaN层上方，绝缘层上形成有多个开孔，开孔使绝缘层上暴露出U型GaN层；金属材料层设置在开孔内，并与U型GaN层接触形成肖特基异质结；源电极设置在U型GaN层上方；漏电极设置在金属材料层上方，漏电极一端堆叠在绝缘层上，另一端堆叠在金属材料层上，漏电极与U型GaN层不接触，漏电极与源电极之间互不相连。金属材料层与U型GaN层接触形成肖特基异质结，器件可以表现出自供电的性能，肖特基异质结可以抑制GaN材料的暗电流，从而使本发明的探测器具有较高的响应度以及光开关比。
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