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发明公开
一种噪声去嵌方法及装置审中-公开

公开(公告)号：CN118837639A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410839629.9

申请日：2024-06-26

申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司

发明人： 丁旭 , 徐梦园 , 李云锋

IPC分类号： G01R29/26 , G01R31/28

摘要： 本发明公开了一种噪声去嵌方法及装置，属于芯片测量领域。方法包括：获取被测器件的S参数测量值和噪声参数测量值，并获取预设去嵌结构的S参数测量值；获取的测量值均是在S参数校准和噪声校准后测量得到的；根据S参数测量值以及电阻‑电感‑电容负载模型中的已知电阻值，计算负载模型中的等效电容值和等效电感值；负载模型的电路连接方式为：电容与电阻形成并联电路，该并联电路与电感串联；根据负载模型计算负载真实反射系数，并将负载真实反射系数代入去嵌算法中计算得到待去嵌结构的S参数；根据待去嵌结构的S参数以及被测器件的S参数测量值和噪声参数测量值，计算去嵌后被测器件的真实噪声参数。本发明得到的噪声去嵌结果精度更高。