公开(公告)号：CN118448453A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410544056.7

申请日：2024-04-30

申请人： 浤湃半导体(苏州)有限公司

发明人： 杨玉美

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423

摘要： 本发明涉及一种HEMT器件及其制备方法。HEMT器件包括半导体本体、栅电极、源电极和漏电极，半导体本体包括层叠的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、间隔层、势垒层和钝化层，栅电极包括多个分立的埋入部和一个连接顶部；半导体本体上开设有多个栅极凹坑，其包括贯穿钝化层、势垒层、间隔层、沟道层的栅极通孔以及对应栅极通孔形成于沟道层上的栅极凹槽，栅极凹坑的底面低于沟道层中形成的二维电子气的最低处，栅电极的各个埋入部一一对应设置于栅极凹坑中，栅极凹坑的侧壁/栅极凹坑的底面与栅电极的埋入部之间设置有介质层，栅电极的连接顶部在半导体本体之上连接栅电极的各个埋入部。本发明可以增强栅控能力，解决现有技术存在的问题。

公开(公告)号：CN118352355A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410512865.X

申请日：2024-04-26

申请人： 浤湃半导体(苏州)有限公司

发明人： 杨玉美

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/40

摘要： 本发明涉及一种基于GaN的HEMT单元芯片及其制备方法和集成芯片。单元芯片包括衬底、PV层、两个基于GaN的晶体管结构单元、三个内部连接电极、一个外部连接电极和多个场板，两个晶体管结构单元对称排布，两个晶体管结构单元的栅极/源极/漏极通过G端/S端/D端内部连接电极相连接，场板至少包括连接外部连接电极与G端内部连接电极的G端场板、与S端内部连接电极相连接的S端场板。制备方法包括制作芯片A面单元和芯片B面单元、键合和制作接线盘等步骤。集成芯片则包括串联、并联或串并混联的多个前述单元芯片。本发明充分利用GaN材料的高频特性，在耐压和电流两方面可以克服原有性质的限制，性能优异，成本和损耗低。

公开(公告)号：CN118398490A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410546651.4

申请日：2024-05-06

申请人： 浤湃半导体(苏州)有限公司

发明人： 杨玉美

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L21/205

摘要： 本发明涉及一种耐高压低导通电阻GaN HEMT外延片及其制备方法，包括：在衬底上生长AlN膜层，并在载气气氛下处理衬底及AlN膜层，降温并通入高纯NH3生长AlN层，升温关闭高纯NH3，对AlN层进行重结晶，通入TMIn并生长AlN/AlGaN超晶格层，通入TMIn并生长AlGaN层，依次生长GaN层、AlN层以及AlGaN层。本发明通过在生长AlGaN时通入一定量的TMIn的方式，及通过采用新型缓冲层的生长方式，解决了厚膜AlGaN的应力问题，从而实现了高Al组分、高电阻的厚膜AlGaN层，解决GaN HEMT器件的漏电问题。