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公开(公告)号：CN1331256A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN01123292.7
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F20/14 , C09D133/08
CPC分类号： G03F7/091 , C08F220/36 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： 一种具有右式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、一种含有所述有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物、和由其制得抗反射涂层的制备方法。该包含所公开聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波,防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案,并提高生产产率。而且,还能控制K值并且增加疏水性,有助于形成EBR(流珠式除水)。
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公开(公告)号：CN100398571C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN01123292.7
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F20/14 , C09D133/08
CPC分类号： G03F7/091 , C08F220/36 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： 一种具有下式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、一种含有所述有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物、和由其制得抗反射涂层的制备方法。该包含所公开聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案，并提高生产产率。而且，还能控制K值并且增加疏水性，有助于形成EBR(流珠式除水)。
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公开(公告)号：CN1231503C
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN01123291.9
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F22/10 , C09D133/08
CPC分类号： C08F220/36 , C07C251/54 , C08F220/40 , G03F7/091 , Y10S430/111 , C08F2220/281 , C08F216/38
摘要： 式10的一种化合物，一种由式1化合物合成的具有式1结构的有机抗反射聚合物及其制备方法。一种含有以上有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物，以及抗反射涂料的制备方法。含有所公开聚合物的该抗反射涂层消除了由晶片上的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了回射，还解决了由于从该下层衍射和反射的光引起的CD变换问题。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案且产品的产率增加。而且，还能控制K值。
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公开(公告)号：CN1982388B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200610143554.2
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C09D133/08 , G03F7/09
CPC分类号： C08F220/28 , C08F220/18 , C08F220/36 , G03F7/091 , Y10S428/901 , Y10S430/151 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31667
摘要： 包括下式1和下式的有机抗反射聚合物和由该抗反射涂料组合物制备的半导体器件。该包含聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16GDRAM半导体器件的稳定的超微图案，改进生产产率和控制K值。还可以防止由于完成涂覆后不平衡酸度而导致的刻痕。式1式2
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公开(公告)号：CN100344653C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN01123294.3
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F20/10 , C09D133/08
CPC分类号： C08F220/28 , C08F220/18 , C08F220/36 , G03F7/091 , Y10S428/901 , Y10S430/151 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31667
摘要： 下式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、一种包括有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物和由其制得的抗反射涂层的制备方法。该包含聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案，改进生产产率和控制K值。还可以防止由于完成涂覆后不平衡酸度而导致的刻痕。
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公开(公告)号：CN1165072C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01123293.5
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3105 , H01L21/31
摘要： 本发明公开了形成半导体基底的微图样的方法，更具体说是涉及一种防止光致抗蚀图样中产生缺陷(如基蚀或基脚)的方法，该缺陷是由于有机抗反射涂层与光致抗蚀剂之间相互混合而产生的，通过对有机抗反射涂层进行固化处理，如离子注入或电子束固化，使该有机抗反射涂层表面形成碳化层来防止相互混合，从而防止缺陷的产生。
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公开(公告)号：CN1331257A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN01123291.9
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F22/10 , C09D133/08
CPC分类号： C08F220/36 , C07C251/54 , C08F220/40 , G03F7/091 , Y10S430/111 , C08F2220/281 , C08F216/38
摘要： 式10的一种化合物,一种由式1化合物合成的具有式1结构的有机抗反射聚合物及其制备方法。一种含有以上有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物,以及抗反射涂料的制备方法。含有所公开聚合物的该抗反射涂层消除了由晶片上的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波,防止了回射,还解决了由于从该下层衍射和反射的光引起的CD变换问题。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16GDRAM半导体器件的稳定的超微图案且产品的产率增加。而且,还能控制K值。
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公开(公告)号：CN1331255A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN01123296.X
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F20/10 , C09D133/04
CPC分类号： C08F220/36 , G03F7/091
摘要： 右式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、含有该聚合物的抗反射涂料组合物、和由该组合物制得抗反射涂层的方法。含该聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波,防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案,改进生产产率和控制K值。还可以防止涂完后由于不平衡的酸度而导致的刻痕。
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公开(公告)号：CN1982388A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610143554.2
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C09D133/08 , G03F7/09
CPC分类号： C08F220/28 , C08F220/18 , C08F220/36 , G03F7/091 , Y10S428/901 , Y10S430/151 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31667
摘要： 下式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、一种包括有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物和由其制得的抗反射涂层的制备方法。该包含聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案，改进生产产率和控制K值。还可以防止由于完成涂覆后不平衡酸度而导致的刻痕。
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公开(公告)号：CN1974697A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610105643.8
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C09D133/08 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , C08F220/36 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： 一种具有下式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、一种含有所述有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物、和由其制得抗反射涂层的制备方法。该包含所公开聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案，并提高生产产率。而且，还能控制K值并且增加疏水性，有助于形成EBR(流珠式除水)。
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