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公开(公告)号：CN109427598A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811000316.5
申请日：2018-08-30
Applicant: 海成帝爱斯株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/367
Abstract: 一种制造半导体封装衬底的方法及使用所述方法制造的半导体封装衬底。所述方法包括：通过对包含导电材料的基础衬底的上表面进行蚀刻来形成沟槽及柱；使用树脂填充所述沟槽；移除被暴露到所述沟槽的外部的所述树脂，以使所述柱的上表面与所述树脂的上表面处于相同的水平高度；在所述柱的所述上表面及所述树脂的所述上表面的整个区域上形成导电层；以及通过将所述导电层及所述基础衬底的下表面同时图案化来形成包括上部电路配线及下部电路配线的电路配线。使用本发明的方法制造的半导体封装衬底具有快速响应、优异的散热特性。
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