公开(公告)号：CN107516699A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201710478555.0

申请日：2017-06-22

申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司

发明人： 李智勇 ,  张宇 ,  张向飞 ,  刘坚

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

摘要： 一种高亮LED芯片的制备方法，属于发光二极管芯片制备技术领域，在衬底上依次外延制备缓冲层、N-GaN、MQW及P-GaN，其中，P-GaN周期性开孔，厚度为30～70nm；在P-GaN表面用电子束蒸发或磁控溅射制备ITO；利用掩膜刻蚀方法使ITO和/或P-GaN开孔；使用E-gun在ITO、P-GaN表面沉积金属纳米颗粒层，金属纳米颗粒层覆盖率为5％-30％，厚度约1.5-3nm，再经过600度30min热处理，金属纳米颗粒层自组装成5-80nm的Au、Ag合金材料的纳米颗粒，即得高亮LED芯片。本发明制备得到的LED芯片的出光能力得到大幅提升，实现一种高亮LED芯片的制备。