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公开(公告)号：CN106941127A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710279425.4
申请日：2017-04-25
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及LED芯片工艺领域，公开了一种LED倒装芯片的制备方法，包括提供透光衬底；在透光衬底上生长外延层；在各芯片单元区域上刻蚀出N电极沟槽以形成Mesa平台；在Mesa平台之上形成P‑欧姆接触层；在P‑欧姆接触层之上形成反射层；在N电极沟槽上形成N‑欧姆接触层；制作覆盖各N电极沟槽、Mesa平台、反射层以及N‑欧姆接触层的隔离层；图形化隔离层以形成P导电通道和N导电通道；制作分别覆盖各P导电通道和各N导电通道的P焊垫和N焊垫；制作chip。本发明可以同时避开P电极上导电层吸收光和电极焊垫遮光，降低驱动电压及提高光强；减少电压转换时的能量损失，缓解电流积聚，便于光学设计。
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公开(公告)号：CN103413873A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310351270.2
申请日：2013-08-14
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种设置有掺硅GaN层的发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer-缓冲层（2）、N型GaN层（3）、N-SLS层（4）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述N型GaN层（3）包括80个由掺硅GaN层（31）、GaN层（32）构成的层单元（33）叠加构成，本发明有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿的问题。
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公开(公告)号：CN103346222A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310246149.3
申请日：2013-06-20
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
IPC分类号： H01L33/06
摘要： 本发明公开了一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述MQW发光层（5）与N型GaN层（3）之间设置有N—SLS层（4），N—SLS层（4）、MQW发光层（5）构成发光区（7），本发明有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿和发光效率低的问题。
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公开(公告)号：CN107516699A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710478555.0
申请日：2017-06-22
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/32
摘要： 一种高亮LED芯片的制备方法，属于发光二极管芯片制备技术领域，在衬底上依次外延制备缓冲层、N-GaN、MQW及P-GaN，其中，P-GaN周期性开孔，厚度为30～70nm；在P-GaN表面用电子束蒸发或磁控溅射制备ITO；利用掩膜刻蚀方法使ITO和/或P-GaN开孔；使用E-gun在ITO、P-GaN表面沉积金属纳米颗粒层，金属纳米颗粒层覆盖率为5％-30％，厚度约1.5-3nm，再经过600度30min热处理，金属纳米颗粒层自组装成5-80nm的Au、Ag合金材料的纳米颗粒，即得高亮LED芯片。本发明制备得到的LED芯片的出光能力得到大幅提升，实现一种高亮LED芯片的制备。
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公开(公告)号：CN103337567A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310246139.X
申请日：2013-06-20
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
IPC分类号： H01L33/02
摘要： 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、uGaN层（3）、nGaN（4）、MQW发光层（5）以及HT—pGaN层（7），其特征在于：所述MQW发光层（5）与HT—pGaN层（7）之间设置有LT—pGaN层（6），本发明有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿和发光效率低的问题。
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公开(公告)号：CN103325909A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310246239.2
申请日：2013-06-20
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
IPC分类号： H01L33/22
摘要： 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片用衬底，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述蓝宝石衬底层（1）为图形衬底，蓝宝石衬底层（1）上阵列式分布有多个图形凸起（11），图形凸起（11）上包覆有图形凸起掩膜，各图形凸起（11）之间的间隔为1μm，各图形凸起（11）竖截面与蓝宝石衬底层（1）接触长度为2μm，各图形凸起（11）的高度为1.6μm，该技术方案有效解决传统外延片抗静电能力差和发光效率低的问题。
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公开(公告)号：CN103311390A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310246068.3
申请日：2013-06-20
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
IPC分类号： H01L33/06
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片MQS发光层，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（4）以及P型GaN层（5），其特征在于：所述MQW发光层（4）包括GaN超晶格层（41）、InGaN超晶格层（42）,所述GaN超晶格层（41）厚度为11nm,InGaN超晶格层（42）厚度为3nm，该技术方案有效解决传统外延片的MQS发光层在生长过程中的厚度问题，导致发光二极管的亮度通常较低。
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公开(公告)号：CN114242640B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202111574520.X
申请日：2021-12-21
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L25/075
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种Micro LED芯片的转移方法和显示设备。转移方法包括：提供具有多个锡柱的阵列的临时基板，将Micro LED芯片倒置于锡柱顶端，使锡柱卡在Micro LED芯片P型焊盘和N型焊盘之间，并使Micro LED芯片与锡柱完成键合；将Micro LED芯片衬底剥离后采用印章吸附，调节温度，锡柱转化为灰锡后与Micro LED芯片脱离，再将表面吸附有Micro LED芯片的印章转移至目标基板上；锡柱的材料包括白锡和/或锡合金。该方法可减少转移过程中微器件的损伤，且操作难度低，良率高，转移后Micro LED芯片上无残留。
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公开(公告)号：CN107123707A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710278607.X
申请日：2017-04-25
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及LED芯片工艺领域，公开了一种简易倒装高压LED芯片的制备方法，包括在外延层上进行刻蚀形成隔离沟槽和N电极沟槽以形成Mesa平台，深刻蚀隔离沟槽形成隔离道，制作覆盖部分N电极沟槽底部、部分Mesa平台以及相邻两个芯片单元区域之间部分隔离道的电流阻挡层，形成覆盖部分Mesa平台及全部第二电流阻挡层的欧姆接触层，制作覆盖电流阻挡层的电流扩展引线，制作隔离反射层并在其上形成P导电通道和N导电通道，制作焊接用的P焊垫和N焊垫，制作chip。本发明可以同时避开P电极上导电层吸收光和电极焊垫遮光，降低驱动电压及提高光强；减少电压转换时的能量损失，缓解电流积聚，便于光学设计。
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公开(公告)号：CN103413882A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310351307.1
申请日：2013-08-14
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种高光效氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底层（1）、N型GaN层（2）、MQW发光层（3）、P型GaN层（4）、二氧化硅保护层（5）、P电极（6）以及N电极（7），P型GaN层（4）与P电极（6）之间设置有ITO透明导电薄膜（8），其特征在于：所述二氧化硅保护层（5）的厚度为0.07μm，本发明有效解决传统氮化镓基发光二极管芯片的二氧化硅保护层厚度设置不合理，从而导致发光二极管的发光效率差的问题。
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