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公开(公告)号：CN114224307A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111350422.8
申请日：2021-11-15
申请人： 深圳信息职业技术学院
IPC分类号： A61B5/024
摘要： 本申请适用于脉象成像技术领域，提供了一种柔性传感阵列组件、制造方法及脉象监测系统，其中，柔性传感阵列组件包括：接触层、柔性阵列传感层、第一电极层、第二电极层以及封装层，柔性阵列传感层包括多个独立的圆台结构压电单元，第一电极层设于接触层与柔性阵列传感层之间，第一电极层包括多个第一电极组，多个第一电极单元的位置分别与多个独立的圆台结构压电单元的位置一一对应，第二电极层与柔性阵列传感层接触，第二电极层包括多个第二电极组，多个第二电极单元的位置分别与多个独立的圆台结构压电单元的位置一一对应，解决了现有的脉搏成像装置存在脉搏监测误差大，造价昂贵，携带不方便的问题。
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公开(公告)号：CN111276868B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010091078.4
申请日：2020-02-13
申请人： 深圳信息职业技术学院
摘要： 本发明属于激光器技术领域，具体涉及一种量子线激光器及其制备方法。本发明量子线激光器包括：衬底、设置在衬底上的缓冲层、设置在缓冲层上的有源区和设置在有源区上的顶电极；其中，有源区包括N+1层间隔层和N层砷化铟量子线层，且间隔层与砷化铟量子线层交替设置；N为大于等于1的整数。由于本发明在有源区设置的砷化铟量子线尺寸分布不均匀，使砷化铟量子线的能级分布也不均匀，较大尺寸的砷化铟量子线的激发态与较小尺寸的砷化铟量子线的基态发生重叠，使所得量子线激光器具有非常宽的增益谱，在电流注入驱动下，可实现多种波长同时激射的效果。
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公开(公告)号：CN111276869A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010091088.8
申请日：2020-02-13
申请人： 深圳信息职业技术学院
IPC分类号： H01S5/34
摘要： 本发明属于激光器技术领域，具体涉及一种量子点激光器及其制备方法。本发明量子点激光器由下至上依次包括：多孔单晶硅衬底、填充层、下电极、第一超晶格波导层、有源区、第二超晶格波导层、上电极。由于单晶硅衬底与有源区存在晶格失配，使器件的制作和性能都带来不利影响，因此，本发明量子点激光器通过采用多孔单晶硅衬底，利用多孔结构将单晶硅衬底与有源区的晶格失配造成的大量位错缺陷释放掉，从而提升所得量子点激光器的性能。
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公开(公告)号：CN103456602B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201310085910.X
申请日：2013-03-18
申请人： 深圳信息职业技术学院
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种非极性面氮化镓纳米锥材料的制备方法。该非极性面氮化镓纳米锥材料包括依次层叠结合的铝酸锂衬底、氮化镓缓冲层和氮化镓模板层以及生长在所述氮化镓模版层外表面的氮化镓纳米锥。其制备方法包括获取铝酸锂衬底、外延氮化镓缓冲层、外延氮化镓模板层和生长氮化镓纳米锥的步骤。本发明非极性面氮化镓纳米锥材料在氮化镓层外表面生长有氮化镓纳米锥，且该氮化镓纳米锥阵列分布。同时，该无金属杂质污染，晶体质量高。其制备方法直接采用HCl气体辅助生长氮化镓纳米锥，避免了使用催化剂或其它掩膜；另外，根据应用需求可以对氮化镓纳米锥阵列的质量、结构，该方法简单易行，对于退火设备要求不高。
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公开(公告)号：CN117137433B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202310841059.2
申请日：2023-07-10
申请人： 深圳信息职业技术学院
摘要： 本发明适用于光学成像技术领域，提供了一种多波长共聚焦散斑成像系统、方法、存储介质和设备，所述系统包括：第一光源和第二光源，分别用于生成第一波长光线和第二波长光线，第二波长光源的波长短于第一波长光源；光源预处理部，用于将第一光线和第二光线线性极化，转换为第一线性光线和第二线性光线，光源预处理部还用于将第一线性光线和第二线性光线合并为一束；振镜，用于改变第一线性光线与第二线性光线的传播方向；以及成像相机，基于待测目标的反馈信息生成图像，反馈信息由第一线性光线和/或第二线性光线对待测目标进行照射后生成。本方案通过多波长共聚焦的方式提高了成像图像的分辨率和对比度，可获取不同深度组织的血流成像信息。
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公开(公告)号：CN114645336A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210240807.7
申请日：2022-03-10
申请人： 深圳信息职业技术学院
摘要： 本申请属于液晶纤维技术领域，尤其涉及一种聚合物蓝相液晶纤维及其制备方法和应用，本申请通过添加聚合物单体与蓝相液晶进行原位聚合处理和纤维成型处理，制得常温下可存在的固态的聚合物蓝相液晶纤维，实现功能性纤维的制备，本申请提供的聚合物蓝相液晶纤维具有温域范围大，常温下呈固态，具有柔性，具有体积可控、结构紧凑、使用灵活、反射禁带窄、半峰宽的优点，在光纤探头、智能织物、环境检测、矢量位置、以及生物化学样品检测等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113803655A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111057040.6
申请日：2021-09-09
申请人： 深圳信息职业技术学院
IPC分类号： F21S4/24 , F21V31/04 , B29C48/15 , B29L29/00 , F21Y115/10
摘要： 本发明LED防水灯带的制作方法包括如下步骤：1)准备N条LED灯带；2)每两条灯带之间间隔设置有硅胶或者其他透明/非透镜材料和电源线；3)将步骤2)获得的连接灯带传入挤出成型机的挤出模具内；4)对挤出成型机上的挤出模具进行调整，直至挤出的防水灯带调至正常；5)将经过调模挤出成型机挤出的防水灯带进行烘烤，固化成型；6)将固化成型后的防水灯带进行冷却；7)将每两条灯带的之间的硅胶或者其他透明/非透镜材料进行剪切即可获得灯带的堵头；8)将每两条灯带之间的预埋电源线剪切、剥胶、剥线等步骤实现获得防水的接线端；9)对步骤8)获得的防水灯带进行检测并包装；本发明防水性能更高，可达到防水等级IP68。
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公开(公告)号：CN103887228A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410077067.5
申请日：2014-03-04
申请人： 深圳信息职业技术学院
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76895 , H01L21/28 , H01L29/401 , H01L29/66477
摘要： 本发明公开了一种金属与N型锗接触的制备方法与应用。该方法包括:对N型锗衬底进行表面清洗；后在N型锗衬底表面沉积一层厚度为0.3～10nm的N型掺杂的半导体层；再在N型掺杂的半导体层外表面沉积一层金属层。上述金属与N型锗接触的制备方法通过插入特定厚度的N型掺杂的半导体层，不仅有利于削弱费米能级钉扎，降低电子势垒，减小肖特基势垒电阻，且有利于降低隧穿电阻。同时，本发明的N型掺杂的半导体层在降低隧穿电阻的同时，也使隧穿电阻与N型掺杂的半导体层厚度的相关性减弱，降低了在N型掺杂的半导体层的制备工艺中对N型掺杂的半导体层厚度均匀性的限制。
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公开(公告)号：CN103474423A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310105242.2
申请日：2013-03-28
申请人： 深圳信息职业技术学院
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/58 , H01L33/60
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014
摘要： 本发明属于照明技术领域，尤其涉及高光效LED集成光源及LED灯。高光效LED集成光源，包括设置有凹槽和PCB线路的封装基板、置于所述凹槽中的LED芯片和将所述LED芯片灌封于所述凹槽中的荧光胶层，所述LED芯片通过电极引线与相邻LED芯片和基板PCB线路相连接，述凹槽的表面设有反射层，所述荧光胶层的上表面具有一微透镜结构。通过在荧光胶层的上表面设有微透镜结构，减少了全反射，降低了光损耗，所述凹槽表面设有反射层，如此，LED芯片发出的侧向光线，由反射层反射，经荧光胶层的上表面照射出去，大幅提高了集成光源的出光效率。采用上述高光效LED集成光源的灯具，结构紧凑，占据空间小，降低了生产成本，更具有市场竞争力，适用于各照明领域。
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公开(公告)号：CN103456602A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310085910.X
申请日：2013-03-18
申请人： 深圳信息职业技术学院
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种非极性面氮化镓纳米锥材料的制备方法。该非极性面氮化镓纳米锥材料包括依次层叠结合的铝酸锂衬底、氮化镓缓冲层和氮化镓模板层以及生长在所述氮化镓模版层外表面的氮化镓纳米锥。其制备方法包括获取铝酸锂衬底、外延氮化镓缓冲层、外延氮化镓模板层和生长氮化镓纳米锥的步骤。本发明非极性面氮化镓纳米锥材料在氮化镓层外表面生长有氮化镓纳米锥，且该氮化镓纳米锥阵列分布。同时，该无金属杂质污染，晶体质量高。其制备方法直接采用HCl气体辅助生长氮化镓纳米锥，避免了使用催化剂或其它掩膜；另外，根据应用需求可以对氮化镓纳米锥阵列的质量、结构，该方法简单易行，对于退火设备要求不高。
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