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公开(公告)号：CN118551165B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411030119.3
申请日：2024-07-30
申请人： 深圳安培龙科技股份有限公司
IPC分类号： G06F18/10 , G06F17/14 , G06F18/213 , G06F18/2134 , G06F18/22 , G01L5/1627 , G01L5/165
摘要： 本发明涉及数据去噪技术领域，具体涉及一种六维力传感器测量数据智能处理方法。获取了力和力矩的电信号数据，首先分析了电信号数据间的波动相似性以及与预期值的偏差，综合表征了耦合性误差。接着，对电信号数据进行分解，通过分量信号的相似性确定分解特征值，以表征噪声情况。考虑到机械臂正常振动的影响，计算了运动波动参数，并结合分解特征值得到噪声程度值，用于量化每个电信号的真正噪声干扰。综合噪声程度值和耦合性误差，自适应的去除了每个电信号数据中的噪声和耦合性误差，提高了六维力传感器数据的准确性和可靠性，为机械臂的精确控制提供了高质量数据支持。
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公开(公告)号：CN112729629A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011579837.8
申请日：2020-12-28
申请人： 深圳安培龙科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及传感器领域，尤指一种MEMS硅应变片及其加工方法。本技术方案通过用化学机械抛光工艺生产的硅片片厚度仅有10‑50um，能很好的解决在制作柔性压力传感器时存在的芯片底层硅片过厚导致的传感器芯片的灵敏度不足的问题；而且在硅片表面设置有氮化硅保护层可以有效地保护硅片上的P型压阻条。
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公开(公告)号：CN117990254B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410397846.7
申请日：2024-04-03
申请人： 深圳安培龙科技股份有限公司
IPC分类号： G01L5/1627 , G01L1/22 , B41M1/12 , B24C1/06
摘要： 本发明属于传感器技术领域，公开了一种基于玻璃微熔工艺的六维力传感器制备方法：S1步骤：对弹性梁的表面进行喷丸处理；S2步骤：对弹性梁的表面进行酸洗；S3步骤：使用丝网印刷技术将玻璃粉印刷到弹性梁的表面；S4步骤：对弹性梁表面的玻璃粉进行预加热，将玻璃粉加热成半熔状态；S5步骤：将应变片放在玻璃粉上，对玻璃粉继续加热，使应变片嵌入玻璃粉中；S6步骤：使用金丝键合工艺，将硅应变片连接形成惠斯通电桥；将高温熔化的玻璃粉作为黏合剂，让外壳与硅应变片结合，能最大程度消除传感器泄漏的隐患，并且能够兼容各种气体和液体等；解决了因为现有技术造成应变片厚度不统一，胶的熔点较低的问题。
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公开(公告)号：CN118067296A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410467428.0
申请日：2024-04-18
申请人： 深圳安培龙科技股份有限公司
IPC分类号： G01L5/1627 , B23K26/38 , B23K26/60 , B23K26/70 , H01C13/02 , H01C17/242
摘要： 本发明属于传感器技术领域，具体涉及一种低应力六维力传感器及其制备方法；公开了一种低应力六维力传感器，包括中心承载台和外壳，所述中心承载台和所述外壳之间设置有弹性梁和过载保护梁，所述弹性梁上设有应变片，所述应变片的电阻布局为垂直分布；应变片电阻布局采用电阻互相垂直的结构。应变片由两个互相垂直的电阻构成，两个电阻于端点处垂直，在交叉结构上以90°的角度串联电阻；使得应变片具有以下优势：敏感区域易于调整、对扭矩的敏感性高，对力矩载荷和轴向载荷和径向载荷不敏感、减少串扰误差。
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公开(公告)号：CN114216519B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210157966.0
申请日：2022-02-21
申请人： 深圳安培龙科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种温压一体的传感器封装结构，包括固连于金属组件，金属组件的底部向外延伸出一封闭式流体通道和一开口式流体通道，于开口式流体通道向上延伸的端口上方固连有一块金属板，MEMS压力芯片通过玻璃粉高温烧结之后固连于金属板上，柔性电路板安装于金属板的上方，ASIC调理芯片固连于柔性电路板上，封闭式流体通道向外延伸出一段距离，其端口底部内设置有温度传感器元件，并使用导线连接温度传感器元件至柔性电路板上，实现电连接；MEMS压力芯片通过金丝键合的方式与柔性电路板实现电性连接。适应于传感器封装技术领域。
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公开(公告)号：CN114216519A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202210157966.0
申请日：2022-02-21
申请人： 深圳安培龙科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种温压一体的传感器封装结构，包括固连于金属组件，金属组件的底部向外延伸出一封闭式流体通道和一开口式流体通道，于开口式流体通道向上延伸的端口上方固连有一块金属板，MEMS压力芯片通过玻璃粉高温烧结之后固连于金属板上，柔性电路板安装于金属板的上方，ASIC调理芯片固连于柔性电路板上，封闭式流体通道向外延伸出一段距离，其端口底部内设置有温度传感器元件，并使用导线连接温度传感器元件至柔性电路板上，实现电连接；MEMS压力芯片通过金丝键合的方式与柔性电路板实现电性连接。适应于传感器封装技术领域。
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公开(公告)号：CN112665775A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011509872.2
申请日：2020-12-18
申请人： 深圳安培龙科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种新型的压差传感器及其封装方法，该新型封装主要是由三部分组成，即上层塑料外壳、中间层的陶瓷基板和下层塑料外壳，所述的上层塑料外壳连接于陶瓷基板正上方与陶瓷基板形成一个空腔，在空腔内部陶瓷基板中心焊接有一个硅基压力传感器，下层塑料外壳位于陶瓷基板正下方，上层塑料外壳及下层塑料外壳外径均略小于陶瓷基板外径，陶瓷基板边沿设计有电信号接口，所述上层塑料外壳顶部开设有一个进气孔，所述进气孔用于连接待测气体。本发明通过使用与压力传感器温度系数更加接近的陶瓷基板作为固定压力传感器基座，可以有效解决由于固定基座和传感器的温度系数相差较大而引起的温度漂移的问题。
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公开(公告)号：CN118656759B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411124261.4
申请日：2024-08-16
申请人： 深圳安培龙科技股份有限公司
IPC分类号： G06F18/2433 , G06F17/18 , G01L25/00
摘要： 本申请涉及六维力传感器稳定性测试技术领域，具体涉及基于数据分析的六维力传感器稳定性测试方法，该方法包括：采集六维力传感器在各维度的输出数据；确定各维度各周期的数据异常度；筛选各维度出现异常波动的周期；筛选各维度由传感器不稳定所导致数据波动的周期，记为第二异常周期；基于所有维度下的第二异常周期数量、各维度第二异常周期之间的间隔时长，以及出现第二异常周期的维度数量，确定六维力传感器的稳定程度。本申请旨在提高六维力传感器的稳定性测试结果的准确度。
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公开(公告)号：CN118656759A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411124261.4
申请日：2024-08-16
申请人： 深圳安培龙科技股份有限公司
IPC分类号： G06F18/2433 , G06F17/18 , G01L25/00
摘要： 本申请涉及六维力传感器稳定性测试技术领域，具体涉及基于数据分析的六维力传感器稳定性测试方法，该方法包括：采集六维力传感器在各维度的输出数据；确定各维度各周期的数据异常度；筛选各维度出现异常波动的周期；筛选各维度由传感器不稳定所导致数据波动的周期，记为第二异常周期；基于所有维度下的第二异常周期数量、各维度第二异常周期之间的间隔时长，以及出现第二异常周期的维度数量，确定六维力传感器的稳定程度。本申请旨在提高六维力传感器的稳定性测试结果的准确度。
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公开(公告)号：CN117268624A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311227073.X
申请日：2023-09-22
申请人： 深圳安培龙科技股份有限公司
摘要： 本申请属于压力传感器技术领域，提供一种硅压阻式压力传感芯片及其制备方法，硅压阻式压力传感芯片包括锥形晶圆层、硅弹性膜片、二氧化硅绝缘层、封盖晶圆层、压力敏感单晶硅和欧姆接触金属层；所述硅弹性膜片设置于所述锥形晶圆层的上方；所述二氧化硅绝缘层安装于所述硅弹性膜片的上方；所述封盖晶圆层设置于所述二氧化硅绝缘层，且所述封盖晶圆层与所述二氧化硅绝缘层之间具有参考压力腔；所述压力敏感单晶硅安装于所述二氧化硅绝缘层；所述欧姆接触金属层安装于所述二氧化硅绝缘。本申请克服现有压力传感器存在寿命不长、不耐高温、在高温下工作漏电流情况严重等问题。
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