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公开(公告)号：CN104536193A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410855530.4
申请日：2014-12-31
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/133516 , G02F1/133514 , G02F1/134309 , G02F2001/134345 , G02F2201/52
摘要： 本发明公开了一种像素结构及显示装置，属于显示技术领域，解决了具有四色像素的彩膜基板的制造过程比较复杂的技术问题。该像素结构，包括四种不同颜色的子像素，其中：第一子像素中设置有第一色阻；第二子像素中设置有第二色阻；第三子像素中设置有第三色阻；第四子像素中设置有所述第一色阻、所述第二色阻、所述第三色阻中的任意两种色阻。本发明可用于液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等显示装置。
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公开(公告)号：CN104375315B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410660260.1
申请日：2014-11-18
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 赵锋
IPC分类号： G02F1/1335 , G02B5/20
CPC分类号： G02B5/201 , G02B5/223 , G02F1/133516 , G02F2001/133519
摘要： 本发明公开了一种彩膜基板、彩色滤光片、显示面板及显示装置，该彩膜基板包括阵列分布的多个像素，每个像素分别至少包括第一子像素、第二子像素、第三子像素及第四子像素；其中，第一子像素涂布第一颜色光阻，第二子像素涂布第二颜色光阻，第三子像素涂布第三颜色光阻；第四子像素中的光阻是由第一颜色光阻、第二颜色光阻及第三颜色光阻中任意两种堆叠而成。通过上述方式，本发明能够增加色域范围，简化生产工艺，提高生产效率，减小成本。
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公开(公告)号：CN106200069A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610670947.2
申请日：2016-08-15
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 赵锋
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1343
摘要： 本发明公开了一种曲面显示面板，该曲面显示面板包括第一曲面基板、第二曲面基板、夹持在第一曲面基板和第二曲面基板之间的液晶层、设置在第一曲面基板上的第一像素单元阵列、设置在第二曲面基板上的第二像素单元阵列，第一像素单元阵列至少包括多个在第一曲面基板的展平状态下沿直线排列的第一像素单元，第二像素单元阵列至少包括多个对应的在第二曲面基板的展平状态下沿直线排列的第二像素单元，第一像素单元阵列和第二像素单元阵列中至少有一者的多个第一像素单元或多个第二像素单元为非等间距分布。通过上述方式，本发明能够避免曲面显示面板漏光或者混色导致的显示效果不佳。
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公开(公告)号：CN104637808B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510060779.0
申请日：2015-02-05
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种解决底切的刻蚀方法，该方法包括：将第一材料层、掩膜层以及金属层置于密封的工艺腔室，其中该第一材料层设置在该金属层上，该掩膜层设置在该第一材料层上，且该掩膜层上设置有刻蚀图案；在该工艺腔室内采用干法刻蚀，在满足预设条件下对该第一材料层进行刻蚀，直至露出该金属层；该预设条件包括：将该工艺腔室的气压设置为50‑70mTorr。与现有在刻蚀沟槽内部形成保护层，以避免后续刻蚀在沟槽底部横向刻蚀形成底切的技术相比，本发明通过控制刻蚀时的气压便可解决底切问题，具有经济实用性，同时对后续工序有更好的兼容性。
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公开(公告)号：CN106019732A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610594132.0
申请日：2016-07-25
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1343
摘要： 本发明公开了一种FFS模式的阵列基板及其制备方法。该阵列基板定义有像素显示区；所述制备方法包括在所述阵列基板的像素显示区外围上形成围绕所述像素显示区的金属层；在所述阵列基板上形成公共电极层；在所述像素显示区外围将所述金属层和所述公共电极层导通；其中，所述金属层与所述公共电极层导通的位置有若干，或所述金属层与所述公共电极层之间相邻的边界连续接触以实现导通。本发明还公开了一种阵列基板。本发明通过像素显示区外围的金属层为所述公共电极层提供公共电压，不需要在像素显示区内制作公共电极线，能够在为公共电极层提供公共电压的同时，不影响液晶显示面板的开口率，提高显示质量。
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公开(公告)号：CN105093758A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510562898.6
申请日：2015-09-07
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 赵锋
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1333
CPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/136286 , G02F1/133345
摘要： 本发明提供了一种液晶显示面板及装置。本发明的液晶显示面板在不同层面设置焊接引线，并针对各层面的焊接引线分别设置单独的薄膜芯片传输信号进行驱动；因此，在面板尺寸确定的情况下，本发明实施例的液晶显示面板可以实现比现有液晶显示面板更多的焊接引线或者焊接引线通路数目，从而实现高分辨率的显示驱动，以及实现更高品质的显示效果。
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公开(公告)号：CN105093658A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510562779.0
申请日：2015-09-07
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 赵锋
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/1339
CPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/1339 , G02F1/133509 , G02F1/13394 , G02F2001/13396
摘要： 本发明提供一种液晶显示面板及装置。本发明的液晶显示面板通过在液晶显示面板的安全区域形成色阻层，减小了安全区域内所述彩膜基板与所述阵列基板之间的间距，使得在液晶显示面板成盒后，安全区域内的支撑柱可以顶到对侧基板，提升液晶显示面板的盒厚稳定性，进而提升画面显示效果。
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公开(公告)号：CN104637808A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510060779.0
申请日：2015-02-05
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种解决底切的刻蚀方法，该方法包括：将第一材料层、掩膜层以及金属层置于密封的工艺腔室，其中该第一材料层设置在该金属层上，该掩膜层设置在该第一材料层上，且该掩膜层上设置有刻蚀图案；在该工艺腔室内采用干法刻蚀，在满足预设条件下对该第一材料层进行刻蚀，直至露出该金属层；该预设条件包括：将该工艺腔室的气压设置为50-70mTorr。与现有在刻蚀沟槽内部形成保护层，以避免后续刻蚀在沟槽底部横向刻蚀形成底切的技术相比，本发明通过控制刻蚀时的气压便可解决底切问题，具有经济实用性，同时对后续工序有更好的兼容性。
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公开(公告)号：CN104503155A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410654606.7
申请日：2014-11-17
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC分类号： G02F1/134309 , G02F1/133345 , G02F1/1337 , G02F1/13378 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2001/133397 , G02F2001/133792 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/40 , G02F1/136 , G02F1/1333 , G02F2001/136295
摘要： 本发明提供一种液晶显示像素结构及其制作方法。该液晶显示像素结构包括：下基板(1)、设于下基板(1)上表面的钝化层(2)、设于钝化层(2)上的像素电极(3)、上基板(4)、及设于上基板(4)下表面的公共电极(5)；每一像素设置多畴；一个像素内，所述钝化层(2)包括至少两种不同深度的沟槽结构，所述像素电极(3)连续不间断的覆盖于所述沟槽结构上，所述不同深度的沟槽结构将一个像素划分成不同区域，实现在同一驱动电压下，一个像素内不同区域的液晶产生不同的偏转角。本发明的液晶显示像素结构，能够显著改善大视角下的色偏现象，并使驱动控制电路简单，像素开口率高。
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公开(公告)号：CN106019732B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201610594132.0
申请日：2016-07-25
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1343
摘要： 本发明公开了一种FFS模式的阵列基板及其制备方法。该阵列基板定义有像素显示区；所述制备方法包括在所述阵列基板的像素显示区外围上形成围绕所述像素显示区的金属层；在所述阵列基板上形成公共电极层；在所述像素显示区外围将所述金属层和所述公共电极层导通；其中，所述金属层与所述公共电极层导通的位置有若干，或所述金属层与所述公共电极层之间相邻的边界连续接触以实现导通。本发明还公开了一种阵列基板。本发明通过像素显示区外围的金属层为所述公共电极层提供公共电压，不需要在像素显示区内制作公共电极线，能够在为公共电极层提供公共电压的同时，不影响液晶显示面板的开口率，提高显示质量。
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