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公开(公告)号：CN118154439A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410291779.0
申请日：2024-03-13
Applicant: 深圳新益昌科技股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶元MAP图更新方法、更新装置、电子设备及存储介质，该方法包括获取多个晶元的多张晶元图像，每张晶元图像包含多个晶元中的部分晶元的部分晶元图像；根据多张晶元图像生成当前晶元MAP图，当前晶元MAP图包含多个晶元的当前晶元图像，当前晶元图像标识有不良晶元图像；基于当前晶元MAP图，对多个晶元的初始晶元MAP图进行更新，得到目标晶元MAP图，初始晶元MAP图包含多个晶元的初始晶元图像，目标晶元MAP图基于不良晶元图像对初始晶元图像进行更新得到。本方法实现了基于实时获取到包含不良晶元图像的当前晶元MAP图对初始晶元MAP图进行更新，可提高封装产品的产品合格率。
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公开(公告)号：CN115083958B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210576439.3
申请日：2022-05-25
Applicant: 深圳新益昌科技股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，提供了一种吸取晶圆的方法，包括：接收用户输入的区域划分规则；根据区域划分规则将晶环划分为多个区域，多个区域包括第一区域和第二区域，第二区域与第一区域相邻；从第一区域的预设位置开始按照第一路径吸取第一区域内的晶圆；当第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当第一区域内第一路径相邻位置存在未被吸取的晶圆时，按照第二路径吸取未被吸取的晶圆；当第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当第一区域内第一路径相邻位置不存在未被吸取的晶圆时，按照第三路径吸取第二区域内的晶圆，第三路径的起始位置位于与第一区域相邻的边上。该方法能够在不遗漏晶圆的情况下实现分开吸取晶环上不同区域晶圆的目的。
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公开(公告)号：CN115831814A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211463691.X
申请日：2022-11-22
Applicant: 深圳新益昌科技股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，提供一种晶圆搜索方法、系统、终端设备及可读存储介质，其方法包括：当确定晶圆吸取机构吸取所述第一晶圆区域的最后一个晶圆后，在所述最后一个晶圆周围生成第一预设数量的第一特征点位；根据所述第一特征点位中的目标特征点位的位置以及两个所述目标特征点之间的距离生成第二预设数量的第二特征点位，所述目标特征点位位于所述载体的边缘区域；根据第一搜索路径和第二搜索路径搜索所述第二晶圆区域，所述第一搜索路径是连接所述第一特征点位所得到的，所述第二搜索路径是连接所述第二特征点位所得到的。实施本申请，可自动搜索多区域分布的晶圆，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN113627117A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110813363.7
申请日：2021-07-19
Applicant: 深圳新益昌科技股份有限公司
Inventor： 周赞
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F115/12
Abstract: 本申请适用于固晶路径规划领域，尤其涉及一种固晶路径规划方法、装置、终端设备及可读存储介质。本申请通过获取第一图像和获取第二图像，第一图像中包含固晶点的信息，第二图像为印刷电路板对应的图像；根据第一图像确定第二图像中固晶点的位置；基于第二图像中固晶点的位置，规划印刷电路板上的固晶路径。即本申请不管印刷电路板为规则的阵列式结构，还是不规则结构，均可以根据包含固晶点的信息的第一图像，准确确定第二图像中固晶点的位置，从而可以根据第二图像中固晶点的位置，准确规则固晶路径。
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公开(公告)号：CN115170661B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210783354.2
申请日：2022-07-05
Applicant: 深圳新益昌科技股份有限公司
Abstract: 本申请适用于晶圆识别的技术领域，提供了一种生成搜索路径的方法、装置、终端设备以及存储介质，其方法包括确定晶圆处理区域的关键坐标点，晶圆处理区域内包含多个目标对象块；生成以关键坐标点为中心的至少一个特征点组，特征点组包括多个特征点；根据各个特征点组在晶圆处理区域中构成搜索路径，搜索路径用于获得晶圆处理区域内所有目标对象块的位置信息。本申请能够提高生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115831814B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202211463691.X
申请日：2022-11-22
Applicant: 深圳新益昌科技股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，提供一种晶圆搜索方法、系统、终端设备及可读存储介质，其方法包括：当确定晶圆吸取机构吸取所述第一晶圆区域的最后一个晶圆后，在所述最后一个晶圆周围生成第一预设数量的第一特征点位；根据所述第一特征点位中的目标特征点位的位置以及两个所述目标特征点之间的距离生成第二预设数量的第二特征点位，所述目标特征点位位于所述载体的边缘区域；根据第一搜索路径和第二搜索路径搜索所述第二晶圆区域，所述第一搜索路径是连接所述第一特征点位所得到的，所述第二搜索路径是连接所述第二特征点位所得到的。实施本申请，可自动搜索多区域分布的晶圆，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN118080290A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410282462.0
申请日：2024-03-12
Applicant: 深圳新益昌科技股份有限公司
Abstract: 本申请适用于点胶技术领域，提供一种点胶调压方法、装置、电子设备及存储介质。点胶调压方法包括：获取若干个点胶样本的目标物理参数；根据目标物理参数与预设的标准物理参数，对点胶气压进行调整。通过本点胶调压方法可以实现在点胶过程中自动对点胶气压进行调整，无需通过人工对点胶气压进行调整，因此能够提高点胶效率。
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公开(公告)号：CN115083958A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210576439.3
申请日：2022-05-25
Applicant: 深圳新益昌科技股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，提供了一种吸取晶圆的方法，包括：接收用户输入的区域划分规则；根据区域划分规则将晶环划分为多个区域，多个区域包括第一区域和第二区域，第二区域与第一区域相邻；从第一区域的预设位置开始按照第一路径吸取第一区域内的晶圆；当第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当第一区域内第一路径相邻位置存在未被吸取的晶圆时，按照第二路径吸取未被吸取的晶圆；当第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当第一区域内第一路径相邻位置不存在未被吸取的晶圆时，按照第三路径吸取第二区域内的晶圆，第三路径的起始位置位于与第一区域相邻的边上。该方法能够在不遗漏晶圆的情况下实现分开吸取晶环上不同区域晶圆的目的。
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公开(公告)号：CN118136554A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410234260.9
申请日：2024-02-29
Applicant: 深圳新益昌科技股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶元位置纠偏方法、纠偏装置、电子设备及存储介质，晶元位置纠偏方法包括：获取晶元的晶元图像，晶元包括预先标记的基准晶元及多个待吸取晶元；当根据晶元图像确定当前待吸取晶元出现位置偏移时，根据基准晶元对当前待吸取晶元进行位置纠偏。本方法实现了基于预先标记的基准晶元，自动对出现位置偏移的当前待吸取晶元进行位置纠偏，无需人工对当前待吸取晶元进行位置纠偏，提高了对当前待吸取晶元进行位置纠偏的纠偏效率。
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公开(公告)号：CN115170661A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210783354.2
申请日：2022-07-05
Applicant: 深圳新益昌科技股份有限公司
Abstract: 本申请适用于晶圆识别的技术领域，提供了一种生成搜索路径的方法、装置、终端设备以及存储介质，其方法包括确定晶圆处理区域的关键坐标点，晶圆处理区域内包含多个目标对象块；生成以关键坐标点为中心的至少一个特征点组，特征点组包括多个特征点；根据各个特征点组在晶圆处理区域中构成搜索路径，搜索路径用于获得晶圆处理区域内所有目标对象块的位置信息。本申请能够提高生产效率。
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