公开(公告)号：CN118136554A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410234260.9

申请日：2024-02-29

Applicant: 深圳新益昌科技股份有限公司

Inventor： 周赞 ,  王师 ,  郭奇 ,  张攀

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68

Abstract: 本申请公开了一种晶元位置纠偏方法、纠偏装置、电子设备及存储介质，晶元位置纠偏方法包括：获取晶元的晶元图像，晶元包括预先标记的基准晶元及多个待吸取晶元；当根据晶元图像确定当前待吸取晶元出现位置偏移时，根据基准晶元对当前待吸取晶元进行位置纠偏。本方法实现了基于预先标记的基准晶元，自动对出现位置偏移的当前待吸取晶元进行位置纠偏，无需人工对当前待吸取晶元进行位置纠偏，提高了对当前待吸取晶元进行位置纠偏的纠偏效率。

公开(公告)号：CN118154439A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410291779.0

申请日：2024-03-13

Applicant: 深圳新益昌科技股份有限公司

Inventor： 周赞 ,  王师 ,  郭奇 ,  张攀

IPC: G06T5/50 ,  G06T7/11 ,  G06T7/70

Abstract: 本申请公开了一种晶元MAP图更新方法、更新装置、电子设备及存储介质，该方法包括获取多个晶元的多张晶元图像，每张晶元图像包含多个晶元中的部分晶元的部分晶元图像；根据多张晶元图像生成当前晶元MAP图，当前晶元MAP图包含多个晶元的当前晶元图像，当前晶元图像标识有不良晶元图像；基于当前晶元MAP图，对多个晶元的初始晶元MAP图进行更新，得到目标晶元MAP图，初始晶元MAP图包含多个晶元的初始晶元图像，目标晶元MAP图基于不良晶元图像对初始晶元图像进行更新得到。本方法实现了基于实时获取到包含不良晶元图像的当前晶元MAP图对初始晶元MAP图进行更新，可提高封装产品的产品合格率。

公开(公告)号：CN115083958B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202210576439.3

申请日：2022-05-25

Applicant: 深圳新益昌科技股份有限公司

Inventor： 郭奇 ,  周赞 ,  陈旺 ,  王师

IPC: H01L21/67

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，提供了一种吸取晶圆的方法，包括：接收用户输入的区域划分规则；根据区域划分规则将晶环划分为多个区域，多个区域包括第一区域和第二区域，第二区域与第一区域相邻；从第一区域的预设位置开始按照第一路径吸取第一区域内的晶圆；当第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当第一区域内第一路径相邻位置存在未被吸取的晶圆时，按照第二路径吸取未被吸取的晶圆；当第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当第一区域内第一路径相邻位置不存在未被吸取的晶圆时，按照第三路径吸取第二区域内的晶圆，第三路径的起始位置位于与第一区域相邻的边上。该方法能够在不遗漏晶圆的情况下实现分开吸取晶环上不同区域晶圆的目的。

公开(公告)号：CN115083958A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210576439.3

申请日：2022-05-25

Applicant: 深圳新益昌科技股份有限公司

Inventor： 郭奇 ,  周赞 ,  陈旺 ,  王师

IPC: H01L21/67

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，提供了一种吸取晶圆的方法，包括：接收用户输入的区域划分规则；根据区域划分规则将晶环划分为多个区域，多个区域包括第一区域和第二区域，第二区域与第一区域相邻；从第一区域的预设位置开始按照第一路径吸取第一区域内的晶圆；当第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当第一区域内第一路径相邻位置存在未被吸取的晶圆时，按照第二路径吸取未被吸取的晶圆；当第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当第一区域内第一路径相邻位置不存在未被吸取的晶圆时，按照第三路径吸取第二区域内的晶圆，第三路径的起始位置位于与第一区域相邻的边上。该方法能够在不遗漏晶圆的情况下实现分开吸取晶环上不同区域晶圆的目的。