公开(公告)号：CN113257300A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110619747.5

申请日：2021-06-03

申请人： 清华大学

发明人： 李学清 ,  何西榆 ,  吴珏键 ,  行志阳 ,  刘勇攀 ,  杨华中

IPC分类号： G11C11/22 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

摘要： 本公开涉及一种基于铁电电容的存储装置，包括用于向存储单元写入数据或从存储单元读取数据的控制单元和以阵列方式布置的多个存储单元，存储单元包括外部接口、第一开关、晶体管、第一电容及第二电容，第一电容和第二电容中的至少一个是铁电电容；第一开关的第一端口与第一字线相连，第二端口与位线相连，第三端口与第一电容的一端相连；晶体管的栅极与第一电容的另一端及第二电容的一端相连，源极与第一读取端相连，漏极与第二读取端相连，第二电容的另一端与第二字线相连。本公开基于铁电电容的滞回特性保持或改变存储单元中铁电电容的极化状态，利用控制单元向存储单元写入或读取数据，能实现对于数据的非破坏性读取以及更高的写操作寿命。

公开(公告)号：CN113257300B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202110619747.5

申请日：2021-06-03

申请人： 清华大学

发明人： 李学清 ,  何西榆 ,  吴珏键 ,  行志阳 ,  刘勇攀 ,  杨华中

IPC分类号： G11C11/22 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

摘要： 本公开涉及一种基于铁电电容的存储装置，包括用于向存储单元写入数据或从存储单元读取数据的控制单元和以阵列方式布置的多个存储单元，存储单元包括外部接口、第一开关、晶体管、第一电容及第二电容，第一电容和第二电容中的至少一个是铁电电容；第一开关的第一端口与第一字线相连，第二端口与位线相连，第三端口与第一电容的一端相连；晶体管的栅极与第一电容的另一端及第二电容的一端相连，源极与第一读取端相连，漏极与第二读取端相连，第二电容的另一端与第二字线相连。本公开基于铁电电容的滞回特性保持或改变存储单元中铁电电容的极化状态，利用控制单元向存储单元写入或读取数据，能实现对于数据的非破坏性读取以及更高的写操作寿命。