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公开(公告)号：CN103675663B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201310655240.0
申请日：2013-12-05
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 清华大学
IPC: G01R31/327
Abstract: 本发明涉及一种对混合式直流固态断路器的性能测试装置，属于高电压、大电流实验领域。包括整流器、充电电容器组、高速相机、位移传感器、示波器、高压差分探头、分流器等。通过改变电容器的串并联个数改变电容器组的电容值。高速相机与计算机连接，用于拍摄分闸、合闸过程中快速机械开关触头及拉杆的运动过程。位移传感器测量快速机械开关拉杆和触头的运动速度。分流器用于测量流过放电回路、电力电子支路、缓冲器以及限压器的电流。高压差分探头测试每个电力电子器件的串联均压效果。示波器用于显示测试结果。本测试装置满足了混合式直流固态断路器的研制的不同参数要求，为其工作性能分析提供量化依据。
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公开(公告)号：CN104600101A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510054994.X
申请日：2015-02-03
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/744
CPC classification number: H01L29/42308 , H01L29/745
Abstract: 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管芯片的双门极接触环阴极面层结构包括多个同心的阴极环，一个同心门极接触环及多个阴极梳条，多个阴极梳条沿径向排列在每个阴极环的部分区域中，形成一个扇形区域；其特征在于，还包括第二个同心的门极接触环、多个径向门极接触条；其中第一个门极接触环位于内侧的阴极环之间，另一个门极接触环位于外侧的阴极环间或者位于最外环；二个门极接触环之间通过径向的门极接触条相连。本发明采用双门极结构，减小了远端GCT的换流距离，提高了远端GCT的换流速度，避免电流集中分布在远端GCT，提高大直径IGCT的电流关断能力。
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公开(公告)号：CN108448628B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201810339308.7
申请日：2018-04-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种在交直流混合系统中优化配置分布式可再生能源的方法，属于交直流输配电网规划领域，所述方法包括抽取主要变量及目标函数、构建约束条件、最后采用启发式算法进行求解，得到最优解集群。此方法在地区自然资源约束、地区主要负荷约束、交直流电网拓扑约束的基础上进行能源分布配置规划的最优解群的求解，为分布式可再生能源的优化布置提供策略支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109755924A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201711093206.3
申请日：2017-11-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种混合式直流断路器及直流输配电系统的电路拓扑结构，其中，直流输配电系统的电路拓扑结构包括：直流线路、隔离开关和混合式直流断路器；任一条直流线路均通过所述隔离开关与所述混合式直流断路器相连，用于在故障切除后隔离故障线路；任一条直流线路通过所述混合式直流断路器中的环路的连接端分别与相邻的两条直流线路相连，用于承载正常电流；任一条直流线路均通过所述混合式直流断路器中的环路的连接端与所述混合式直流断路器中的并联电路相连，用于双向承载并切断故障电流。
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公开(公告)号：CN109427709A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710776469.8
申请日：2017-09-01
Applicant: 清华大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/48 , H01L25/16
Abstract: 本公开涉及电气器件以及电气装置。提供一种电气器件，包括：其上形成了功率半导体元件的半导体基板，在该基板的表面上布置功率半导体元件的控制电极和第一电流电极；印刷电路板，其上布置有驱动功率半导体元件的驱动模块，驱动模块包括至少一个第一开关元件，第一开关元件包括控制端子和电流端子；第一导电块，置于所述基板和印刷电路板之间，提供到第一电流电极的电连接；一个或多个连接件，与第一导电块电隔离地穿过第一导电块并连接到控制电极的一部分，连接件与相应的第一开关元件关联；一个或多个第一弹簧部件，置于对应的连接件和与对应的连接件关联的第一开关元件之间，使第一开关元件的第一电流端子通过连接件电连接到控制电极的一部分。
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公开(公告)号：CN104617573A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510028735.X
申请日：2015-01-20
Applicant: 清华大学
CPC classification number: H02H7/268
Abstract: 本发明涉及一种自然换流型混合式高压直流断路器，属于直流输配电网络应用的直流断路器领域，该断路器由多个完全相同的高压直流断路器模块通过隔离开关串联而成，其中，所述高压直流断路器模块是基于自然换流式混合直流断路器，所述每个断路器模块由主电流支路、主断路器支路和过电压保护及能量吸收支路及测量控制系统组成,该三条支路相互并联,该测量控制系统分别与三条支路相连,用以控制三条支路的工作时序。本发明的断路器不需要有源器件如充电电容器辅助过零，控制简单，可靠性较高，以满足我国直流输电网和直流配电网对直流断路器的需求。
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公开(公告)号：CN108666983A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710207392.2
申请日：2017-03-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种断路器、断路系统、电力系统以及操作方法。本公开涉及断路器以及包括断路器的断路系统。本公开公开了一种断路器，该断路器包括：可关断电路，包括能够在第一方向上导通和关断的第一支路和能够在与第一方向相反的第二方向上导通和关断的第二支路，所述第一支路和第二支路包括共同的功率开关器件，并分别包括与所述功率开关器件耦接的整流功率二极管，其中所述可关断电路包括第一端子和第二端子；缓冲电路，与所述可关断电路耦接，用于在所述断路器的关断过程中缓冲电能量。
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公开(公告)号：CN105590959B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510947431.3
申请日：2015-12-17
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/745 , H01L21/28 , H01L21/332
Abstract: 本发明涉及一种具有双p基区门阴极结构的门极换流晶闸管及其制备方法，属于半导体集成电路技术领域，该门极换流晶闸管包括一个以上的元胞，每个元胞包括p+发射极、n’缓冲区、n‑衬底、p基区1、p基区2、p+短基区、n+发射极和阳极金属电极、门极金属电极、阴极金属电极；所述p+发射极、n’缓冲区、n‑衬底、p基区1、p基区2、p+短基区、n+发射极依次排布；所述n+发射极和门极表面，该方法采用传统的沟槽工艺或摒弃挖槽工艺，使得门极金属电极和阴极金属电极处于硅片表面的同一平面。本发明的门极换流晶闸管，由于增加了一层p基区，可以保证J3结较大的反向击穿电压，进而提高外接反向电源的电压，从而提高换流速度，增大GCT芯片的关断能力。
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