公开(公告)号：CN111462791A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010162766.5

申请日：2020-03-10

申请人： 清华大学

发明人： 李学清 ,  吴珏键 ,  钟宏涛 ,  刘勇攀 ,  杨华中 ,  马啸阳

IPC分类号： G11C7/10 ,  G11C7/24 ,  G11C11/22 ,  G11C11/40

摘要： 本发明公开了一种电路单元及具有其的电路阵列，所述电路单元包括：第一开关，第二开关和数据存储器。所述第一开关包括第一输入端和第一输出端；所述第二开关包括第二输入端和第二输出端；所述数据存储器包括第一端口、第二端口和第三端口，所述第三端口可改变所述数据存储器中的存储数据，所述第三端口和所述存储数据可控制所述第一端口和所述第二端口，所述第一输出端和所述第二输出端均与所述第三端口相连。根据本发明的电路单元一方面可以实现零静态功耗，进而可以更好的存储数据，防止数据丢失；另一方面具有更高的存储密度，从而有利于提升存储带宽。

公开(公告)号：CN118692537A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310282434.4

申请日：2023-03-21

申请人： 清华大学 ,  华为技术有限公司

发明人： 吴珏键 ,  李学清 ,  钟宏涛 ,  马啸阳 ,  李泰昕 ,  王翠翠 ,  莫道春 ,  刘勇攀 ,  杨华中

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/24

摘要： 本公开涉及一种基于铁电电容的非易失内容寻址存储器、电子设备，所述存储器包括：多个存储单元，每个存储单元为：第一开关的第二端、第二开关的第二端分别连接于第一电容的第一端、第二电容的第一端，第一电容的第二端、第三电容的第一端、第一晶体管的栅极均连接于第一节点，第二电容的第二端、第四电容的第一端、第二晶体管的栅极均连接于第二节点，其中，第一电容和第三电容至少有一个是铁电电容，第二电容和第四电容至少有一个是铁电电容；控制单元，用于：输入控制信号以控制存储单元执行目标操作。本公开实施例实现了数据的非破坏性读取，提高了存储器的使用寿命，并且降低了操作的延时和能耗。

公开(公告)号：CN114186291A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111413132.3

申请日：2021-11-25

申请人： 清华大学

发明人： 李学清 ,  郭欣瑞 ,  马啸阳 ,  吴珏键 ,  孙博然 ,  李泰昕 ,  王健丰 ,  刘勇攀 ,  杨华中

IPC分类号： G06F21/75 ,  G11C11/22

摘要： 本申请公开了一种基于铁电晶体管的物理不可克隆函数结构及注册方法、装置，其中，结构包括：阵列电路为通过多个铁电晶体管电路结构单元电气连接构成多行多列的阵列结构，每一行电路结构单元的字线相连，且连接至译码电路，每一列电路结构单元的位线和感测线相连，且位线连接至驱动电路，感测线连接至感测电路；驱动电路用于驱动阵列电路的字线和位线；译码电路用于输入挑战信号，并将输入挑战信号译码为相应的地址；感测电路用于通过利用阵列电路中的铁晶体管极化状态随机翻转特性由输入挑战信号生成输出响应信号数据。本申请的实施例利用铁电晶体管的极化状态的随机性和多样性，实现可重构的物理不可克隆函数，具有低功耗优势。