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公开(公告)号：CN115940206A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211737497.6
申请日：2022-12-30
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 清华大学
摘要： 本申请涉及变流器并联技术领域，特别涉及一种并联变流器的低频差模环流抑制方法、装置、设备及介质，其中，并联变流器包括第一变流器和一个台或多台第二变流器，方法包括：获取第一变流器和第二变流器的采集量；根据采集量计算得到对应变流器的第一调制波信号，利用第一变流器的第一调制波信号驱动第一变流器的各桥臂，抑制第一变流器中频率低于预设值的环流；根据第一变流器和第二变流器的并网电流计算差模环流，根据第二变流器的第一调制波信号和差模环流计算得到第二调制波信号，利用第二调制波信号驱动第二变流器的各桥臂，抑制第二变流器的环流。由此，解决了相关技术中多个变流器单元由于调制波不一致而引起的低频环流的问题。
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公开(公告)号：CN116207960A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310075805.1
申请日：2023-01-16
申请人： 清华大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种中点箝位型三电平变换器通用本地保护方法及电路，其包括：在中点箝位型三电平变换器运行在安全开关状态范围前提下，检测到故障信号时，中点箝位型三电平变换器中的四个功率管按照预设的开关关断顺序发出关断控制信号，以使变换器在每个关断瞬态均运行在安全开关状态。根据保护逻辑表达式，在每个功率管的驱动单元上都采用逻辑元件建立本地保护电路，该电路包括一个或门和四个与门。本发明实现了对于中点箝位型三电平变换器中的各个功率管的本地保护，以及对于该保护逻辑电路在不同位置功率管所对应的驱动单元中的通用化。本发明可以在电子电路领域中应用。
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公开(公告)号：CN116095785A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310074304.1
申请日：2023-01-13
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种自组网通信方法、装置、系统及介质，该方法包括：对于自组网中的每个节点，更新与邻居节点之间的通信状态；依据通信状态更新与自组网中其他节点之间的可选传输路径；向邻居节点发送可选传输路径，以便自组网中的每个节点更新自身的路由信息；依据自身节点所处的地理位置确定数据传输模式；从可选传输路径中确定在数据传输模式下与目标节点之间的最优传输路径；依据最优传输路径将采集到的目标数据发送至目标节点，以便目标节点将目标数据通过外网进行上传，能够在无线信号覆盖较差的地区进行可靠组网，并将各监测装置采集到的数据通过组网传输至外网，成本较低且便于实施。
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公开(公告)号：CN112234805B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202011025266.3
申请日：2020-09-25
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路，包括驱动芯片和碳化硅MOS管，所述驱动芯片内部集成驱动电路，所述驱动芯片还集成用于控制所述碳化硅MOS管的源极电压的硅MOS管；所述驱动芯片通过控制所述硅MOS管的导通和关断来实现所述碳化硅MOS管的导通和关断。本发明在SiC MOS的源极串联一个硅MOS管，通过控制硅MOS管的导通和关断即可控制SiC MOS的导通和关断，电路结构简单，避免复杂电路结构对其它器件的影响。通过在SiC MOS的栅极加一个固定的钳位电压，在硅MOS管关断时实现栅极与源极的负压差，采用钳位源级驱动结构实现稳定的负压输出，保证SiC MOS导通和关断的稳定性，提高了系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN112234805A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011025266.3
申请日：2020-09-25
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路，包括驱动芯片和碳化硅MOS管，所述驱动芯片内部集成驱动电路，所述驱动芯片还集成用于控制所述碳化硅MOS管的源极电压的硅MOS管；所述驱动芯片通过控制所述硅MOS管的导通和关断来实现所述碳化硅MOS管的导通和关断。本发明在SiC MOS的源极串联一个硅MOS管，通过控制硅MOS管的导通和关断即可控制SiC MOS的导通和关断，电路结构简单，避免复杂电路结构对其它器件的影响。通过在SiC MOS的栅极加一个固定的钳位电压，在硅MOS管关断时实现栅极与源极的负压差，采用钳位源级驱动结构实现稳定的负压输出，保证SiC MOS导通和关断的稳定性，提高了系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN112187057B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010980785.9
申请日：2020-09-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H02M3/335 , H02M7/487 , H02M7/5387 , H02M1/088
摘要： 本发明实施例提供一种用于二极管箝位混合三电平DAB变流器的控制方法及装置，属于DC‑DC高频隔离变换技术领域。所述方法包括：测量高频电感的电流iL、输入电压vin和输出电压vout；根据输入电压vin、输出电压vout、和高频隔离变压器的变比N来计算电压传输比M；根据输出电压vout、自适应控制器参数计算自适应控制器输出x；根据vin、vout、高频电感的电流iL、变比N计算电容电荷裕量因子δ1,a；根据电压传输比M、自适应控制器输出x、电容电荷裕量因子δ1,a，确定移向控制量；以及根据移向控制量驱动全控开关器件S1～S6和全控开关器件Q1～Q4。通过引入电容电荷裕量因子，实现零电压开通、零电流关断，其能够降低开关损耗与导通损耗，提高能源路由器直流电压转换的效率。
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公开(公告)号：CN112187057A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010980785.9
申请日：2020-09-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H02M3/335 , H02M7/487 , H02M7/5387 , H02M1/088
摘要： 本发明实施例提供一种用于二极管箝位混合三电平DAB变流器的控制方法及装置，属于DC‑DC高频隔离变换技术领域。所述方法包括：测量高频电感的电流iL、输入电压vin和输出电压vout；根据输入电压vin、输出电压vout、和高频隔离变压器的变比N来计算电压传输比M；根据输出电压vout、自适应控制器参数计算自适应控制器输出x；根据vin、vout、高频电感的电流iL、变比N计算电容电荷裕量因子δ1,a；根据电压传输比M、自适应控制器输出x、电容电荷裕量因子δ1,a，确定移向控制量；以及根据移向控制量驱动全控开关器件S1～S6和全控开关器件Q1～Q4。通过引入电容电荷裕量因子，实现零电压开通、零电流关断，其能够降低开关损耗与导通损耗，提高能源路由器直流电压转换的效率。
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公开(公告)号：CN210110784U
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201921136458.4
申请日：2019-07-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/06
摘要： 本实用新型公开了一种高坚固性快恢复二极管，包括：有源区、终端区以及介质层。有源区包括：N-漂移区、N缓冲层、N+阴极区、阴极电极、P缓冲层、P+阳极区、阳极金属电极、内嵌P环及横向电阻区。N缓冲层位于N-漂移区的下方；N+阴极区位于N缓冲层的下方；阴极电极位于N+阴极区的下方；P缓冲层位于N-漂移区的上方；P+阳极区位于P缓冲层的内部；阳极金属电极位于P+阳极区的上方；内嵌P环位于P缓冲层的内部；及横向电阻区位于N-漂移区的上方。终端区包括接触式场环、浮空场环、截止环、场板及终端阴极P+区；以及介质层位于阳极金属电极的上下方特定位置。借此，本实用新型的高坚固性快恢复二极管，大大提高了坚固性。
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