公开(公告)号：CN114899098A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210358289.9

申请日：2022-04-07

申请人： 清华大学 ,  国网湖北省电力有限公司

发明人： 吴锦鹏 ,  曾嵘 ,  刘佳鹏 ,  杨晨 ,  李晓钊 ,  尚再轩 ,  余占清 ,  赵彪

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供一种半导体器件表面金属电极选择性去除的方法和装置，所述半导体器件表面金属电极选择性去除的方法包括：把电源（A），阳极探针（E）、阴极探针（D）、电解液（H）和半导体芯片（J）上的金属电极（I）搭建成电解回路。本发明原理简单，通过简单的电路结构即可实现，且成本低，无需采用刻蚀等需要贵重设备的去除手段；无需制作掩模版，广泛适用于对目标区域不同的半导体芯片批量进行表面金属去除；避免了多次光刻中光刻胶质量问题对半导体芯片上目标区域之外的部分产生影响。本发明提出的半导体器件表面金属电极选择性去除的装置可结合自动探针台等辅助机械装置，实现自动定位和去除，可操作性强，适用于批量生产。

公开(公告)号：CN114062885B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202210048574.0

申请日：2022-01-17

申请人： 清华大学

发明人： 吴锦鹏 ,  曾嵘 ,  刘佳鹏 ,  尚再轩 ,  赵彪 ,  余占清 ,  周文鹏

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01J5/48

摘要： 本发明公开了一种半导体器件热分布的测试装置，包括：外部测试回路、压接组件和红外热像仪；所述外部测试回路与压接组件电性连接；所述红外热像仪通过支架设置在压接组件上方；所述外部测试回路，用于进行阻断耐压测试、浪涌测试和关断瞬态测试；所述压接组件，用于为半导体器件提供压力，使半导体器件与外部测试回路电性连接；所述红外热像仪，用于观测半导体器件内部的红外信息。本发明的测试装置为非接触式测量。在阻断耐压、浪涌的工况下，该测试装置可用于半导体器件的筛选以及故障原因分析。对于瞬态的半导体器件开关过程，该测试装置可以反映半导体器件内部电流的瞬态过程，可以用于研究半导体器件的内部物理过程和物理机理。

公开(公告)号：CN114062885A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202210048574.0

申请日：2022-01-17

申请人： 清华大学

发明人： 吴锦鹏 ,  曾嵘 ,  刘佳鹏 ,  尚再轩 ,  赵彪 ,  余占清 ,  周文鹏

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01J5/48

摘要： 本发明公开了一种半导体器件热分布的测试装置，包括：外部测试回路、压接组件和红外热像仪；所述外部测试回路与压接组件电性连接；所述红外热像仪通过支架设置在压接组件上方；所述外部测试回路，用于进行阻断耐压测试、浪涌测试和关断瞬态测试；所述压接组件，用于为半导体器件提供压力，使半导体器件与外部测试回路电性连接；所述红外热像仪，用于观测半导体器件内部的红外信息。本发明的测试装置为非接触式测量。在阻断耐压、浪涌的工况下，该测试装置可用于半导体器件的筛选以及故障原因分析。对于瞬态的半导体器件开关过程，该测试装置可以反映半导体器件内部电流的瞬态过程，可以用于研究半导体器件的内部物理过程和物理机理。