公开(公告)号：CN102056069B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN200910110161.5

申请日：2009-10-30

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 高旭 ,  张志军 ,  冯正和 ,  马迪文 ,  李展 ,  阎勇

IPC分类号： H04R29/00

CPC分类号： G01R29/0814 ,  G01R29/0892 ,  H04R25/30

摘要： 本发明涉及一种助听兼容性测试方法，其包括以下步骤：提供一助听兼容性测试一体化探头；提供一待测信号源，并确定一测试区；在所述测试区上均匀画出11条经线和11条纬线以将该测试区分成100个5*5的小区域；利用所述助听兼容性用探头的磁探头和电探头对所述11条经线与11条纬线的所有交点进行测量，并获得各点的磁场参数或电场参数；以及选取所述磁探头与电探头同时获得的磁场参数与电场参数以测试所述待测信号源的助听兼容性。

公开(公告)号：CN101345341B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200710076042.3

申请日：2007-07-13

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 陈文华 ,  王昕 ,  冯正和

IPC分类号： H01Q5/00 ,  H01Q1/36 ,  H01Q13/08

CPC分类号： H01Q9/42 ,  H01Q5/371 ,  H01Q5/385

摘要： 本发明涉及一种多频带天线，其包括一长辐射分支，一短辐射分支，一短路条，一馈电点，一接地部及一连接部，该长辐射分支、短路条及该连接部组成一个倒F形结构以接收低频带信号，该短辐射分支、短路条及该连接部组成另一倒F形结构以接收高频带信号，该多频带天线进一步包括一长寄生条与一短寄生条，该长寄生条与该长辐射分支相配合以扩展该多频带天线接收低频带信号的带宽，该短寄生条与该短辐射分支相配合以扩展该多频带天线接收高频带信号的带宽。

公开(公告)号：CN102056069A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910110161.5

申请日：2009-10-30

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 高旭 ,  张志军 ,  冯正和 ,  马迪文 ,  李展 ,  阎勇

IPC分类号： H04R29/00

CPC分类号： G01R29/0814 ,  G01R29/0892 ,  H04R25/30

摘要： 本发明涉及一种助听兼容性测试方法，其包括以下步骤：提供一助听兼容性测试一体化探头；提供一待测信号源，并确定一测试区；在所述测试区上均匀画出11条经线和11条纬线以将该测试区分成100个5*5的小区域；利用所述助听兼容性用探头的磁探头和电探头对所述11条经线与11条纬线的所有交点进行测量，并获得各点的磁场参数或电场参数；以及选取所述磁探头与电探头同时获得的磁场参数与电场参数以测试所述待测信号源的助听兼容性。

公开(公告)号：CN101499549B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200810066049.1

申请日：2008-02-01

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 陈文华 ,  冯正和 ,  庄品洋

IPC分类号： H01P1/207 ,  C04B41/85 ,  C08J7/04

CPC分类号： H01P1/208

摘要： 一种腔体滤波器，其包括：一屏蔽盒；至少一隔离墙设置于该屏蔽盒内，且该隔离墙上开有一槽孔位于隔离墙顶部；至少两个谐振腔按照预定的顺序设置于该屏蔽盒内，相邻的谐振腔之间通过一隔离墙隔离，每个谐振腔内设置一个谐振子，该谐振子一端固定于屏蔽盒内壁上，另一端延伸至谐振腔内；以及一输入装置和一输出装置，该输入装置和输出装置分别设置于第一级谐振腔与最后一级谐振腔内，且该输入装置和输出装置的一端与屏蔽盒内壁电连接，另一端延伸至谐振腔内；其中，所述谐振子包括一支撑体以及一碳纳米管结构设置于该支撑体表面。

公开(公告)号：CN101499549A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200810066049.1

申请日：2008-02-01

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 陈文华 ,  冯正和 ,  庄品洋

IPC分类号： H01P1/207 ,  C04B41/85 ,  C08J7/04

CPC分类号： H01P1/208

摘要： 一种腔体滤波器，其包括：一屏蔽盒；至少一隔离墙设置于该屏蔽盒内，且该隔离墙上开有一槽孔位于隔离墙顶部；至少两个谐振腔按照预定的顺序设置于该屏蔽盒内，相邻的谐振腔之间通过一隔离墙隔离，每个谐振腔内设置一个谐振子，该谐振子一端固定于屏蔽盒内壁上，另一端延伸至谐振腔内；以及一输入装置和一输出装置，该输入装置和输出装置分别设置于第一级谐振腔与最后一级谐振腔内，且该输入装置和输出装置的一端与屏蔽盒内壁电连接，另一端延伸至谐振腔内；其中，所述谐振子包括一支撑体以及一碳纳米管结构设置于该支撑体表面。

公开(公告)号：CN102056070B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN200910110163.4

申请日：2009-10-30

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 高旭 ,  张志军 ,  冯正和 ,  马迪文 ,  李展 ,  阎勇

IPC分类号： H04R29/00

CPC分类号： H04R25/30

摘要： 本发明涉及一种助听兼容性测试一体化探头，其包括一个电路板以及相互间隔设置于所述电路板上的一磁探头与一电探头。所述磁探头与电探头的几何中心的距离大于或等于10毫米且为5毫米的倍数。

公开(公告)号：CN102055051B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN200910110162.X

申请日：2009-10-30

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 高旭 ,  张志军 ,  冯正和 ,  马迪文 ,  李展 ,  阎勇

IPC分类号： H01P3/02

CPC分类号： H01P3/00

摘要： 本发明涉及一种高阻抗传输线，其包括多个线圈连续排列且电性连接。每个线圈进一步包括相互平行且间隔设置的一第一平行部与一第二平行部。任意两个相邻的线圈中的第一平行部相互电性连接，任意两个相邻的线圈中的第二平行部相互电性连接。

公开(公告)号：CN102056070A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910110163.4

申请日：2009-10-30

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 高旭 ,  张志军 ,  冯正和 ,  马迪文 ,  李展 ,  阎勇

IPC分类号： H04R29/00

CPC分类号： H04R25/30

摘要： 本发明涉及一种助听兼容性测试一体化探头，其包括一个电路板以及相互间隔设置于所述电路板上的一磁探头与一电探头。所述磁探头与电探头的几何中心的距离大于或等于10毫米且为5毫米的倍数。

公开(公告)号：CN101345341A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200710076042.3

申请日：2007-07-13

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 陈文华 ,  王昕 ,  冯正和

IPC分类号： H01Q5/00 ,  H01Q1/36 ,  H01Q13/08

CPC分类号： H01Q9/42 ,  H01Q5/371 ,  H01Q5/385

摘要： 本发明涉及一种多频带天线，其包括一长辐射分支，一短辐射分支，一短路条，一馈电点，一接地部及一连接部，该长辐射分支、短路条及该连接部组成一个倒F形结构以接收低频带信号，该短辐射分支、短路条及该连接部组成另一倒F形结构以接收高频带信号，该多频带天线进一步包括一长寄生条与一短寄生条，该长寄生条与该长辐射分支相配合以扩展该多频带天线接收低频带信号的带宽，该短寄生条与该短辐射分支相配合以扩展该多频带天线接收高频带信号的带宽。

公开(公告)号：CN101471329B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200710125663.6

申请日：2007-12-29

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 陈文华 ,  冯正和 ,  庄品洋

IPC分类号： H01L23/552

CPC分类号： H01L23/552 ,  B82Y30/00 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： 一种半导体封装件，其包括：一基板，且该基板的第一表面设置有多个导电迹线；至少一半导体预封装件设置于该基板上，该半导体预封装件与所述多个导电迹线设置于该基板上的同一表面，且与该多个导电迹线电连接；至少一电磁屏蔽层设置于所述至少一半导体预封装件上；一保护层覆盖于该至少一电磁屏蔽层上，其中，所述的电磁屏蔽层包括一碳纳米管薄膜结构。