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公开(公告)号：CN111326595A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010277353.1
申请日：2020-04-10
申请人： 温州海旭科技有限公司
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种多晶硅电池片，包括主栅和副栅，所述主栅和副栅呈十字相连接，所述主栅和副栅的下方设有基板，所述基板包括底板、圆槽和焊槽，所述底板位于主栅和副栅的下方，所述底板的上表面等距开设有多个圆槽，每个所述圆槽之间设有焊槽，所述焊槽开设在底板的上表面。该多晶硅电池片，相对于传统技术，具有以下优点：通过多晶硅电池片本体、基板、主栅和副栅之间的配合，当操作人员需要将多个多晶硅电池片本体之间进行连接时，可以将多晶硅电池片本体放置在圆槽的内部，能够对多晶硅电池片本体进行摆正对其作业，需要操作人员的精力有所降低，利于提高装配效率，产品不良的情况有所降低。
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公开(公告)号：CN105839190B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610317130.7
申请日：2016-05-12
申请人： 温州海旭科技有限公司
发明人： 陈德榜
摘要： 本发明公开了一种高温扩散装置，包括炉体，炉体的一端为炉口，另一端为封闭结构，在炉口处设有炉盖，在炉体的内部设有石英舟，在石英舟上均匀放置有硅片，在炉体的上端设有第一工艺进气口、第二工艺进气口和第三工艺进气口，在炉体的下端设有尾气排放口，还包括气体稳流装置，气体稳流装置设置在炉口、炉中或炉尾位置，本发明结构简单，能够提高炉体内气体流动的稳定性，确保了硅片扩散的均匀性，从而确保硅片方块电阻的均匀性。
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公开(公告)号：CN111452239A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010277371.X
申请日：2020-04-10
申请人： 温州海旭科技有限公司
摘要： 本发明涉及多晶硅生产设备领域，特别涉及一种多晶硅棒自动切割清洗装置。包括有晶硅棒自动进料机构、与晶硅棒自动进料构连接的晶硅棒切割机构、设于晶硅棒自动进料机构与晶硅棒切割机构之间的晶硅棒夹持机构、设于晶硅棒切割机构下方的晶硅棒自动清洗机构及与晶硅棒自动清洗机构连接的晶硅棒烘干机构，所述的晶硅棒烘干机构与晶硅棒自动清洗机构连接的另一端处设有晶硅棒接料台。本发明的目的在于提供了一种能够节省人工成本，提高生产效率的多晶硅棒自动切割清洗装置。
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公开(公告)号：CN106756884A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611145208.8
申请日：2016-12-13
申请人： 温州海旭科技有限公司
发明人： 陈德榜
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50
CPC分类号： C23C16/45591 , C23C16/50
摘要： 本发明公开了一种PECVD镀膜装置，包括双层石英管，双层石英管端部设有法兰，双层石英管内腔设有镀膜腔，镀膜腔外壁上固定有感应线圈，法兰上设有第一工艺进气口和第二工艺进气口，且第一工艺进气口、第二工艺进气口连接设置在镀膜腔内部的气体稳流装置，双层石英管一侧和底部均开有通孔，且侧壁的通孔内穿设抽真空管，且抽真空管连通镀膜腔，底部的通孔内穿设有尾气排放管，且尾气排放管连通镀膜腔，本发明结构原理简单，能够提高硅片镀膜的均匀性，且工作效率高。
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公开(公告)号：CN105845536A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610315819.6
申请日：2016-05-12
申请人： 温州海旭科技有限公司
发明人： 陈德榜
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要： 本发明公开了一种等离子高效刻蚀机，包括反应腔体和分子泵，反应腔体的顶端固定设有多个高压气体喷嘴，在反应腔体的底部设有分子泵，在反应腔体的内部设有静电吸附盘、吸附件以及多个气流调节装置，静电吸附盘两端通过吸附件活动安装在反应腔体的内壁，在静电吸附盘的上下端均设置有多个气流调节装置，本发明结构原理简单，采用多个气流调节装置，能够快速调节反应腔内的气流，确保刻蚀的均匀性，同时采用的高压气体喷嘴，能够均匀喷出高压气体，进一步提高刻蚀的均匀性，提高产品合格率。
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公开(公告)号：CN105839190A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610317130.7
申请日：2016-05-12
申请人： 温州海旭科技有限公司
发明人： 陈德榜
摘要： 本发明公开了一种高温扩散装置，包括炉体，炉体的一端为炉口，另一端为封闭结构，在炉口处设有炉盖，在炉体的内部设有石英舟，在石英舟上均匀放置有硅片，在炉体的上端设有第一工艺进气口、第二工艺进气口和第三工艺进气口，在炉体的下端设有尾气排放口，还包括气体稳流装置，气体稳流装置设置在炉口、炉中或炉尾位置，本发明结构简单，能够提高炉体内气体流动的稳定性，确保了硅片扩散的均匀性，从而确保硅片方块电阻的均匀性。
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公开(公告)号：CN107936673B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201711376907.8
申请日：2017-12-19
申请人： 温州海旭科技有限公司
发明人： 陈德榜
IPC分类号： C09D5/18 , C09D169/00 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池片技术领域，尤其是一种太阳能电池片，包括硅基层，所述硅基层的底面设有铝硅层，所述硅基层的上表面设有氮化硅层，所述氮化硅层的上表面开设有若干个细栅线，所述氮化硅层的上表面的上表面安装有主栅线，所述细栅线和主栅线上均涂抹有耐磨涂层。本发明通过在太阳能电池片的表面涂抹耐磨涂层，从而减少外界环境对太阳能电池片的损坏，不仅延长太阳能电池片的使用寿命，还能提高太阳能电池片在长时间使用下的工作效率。
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公开(公告)号：CN106756884B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201611145208.8
申请日：2016-12-13
申请人： 温州海旭科技有限公司
发明人： 陈德榜
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50
摘要： 本发明公开了一种PECVD镀膜装置，包括双层石英管，双层石英管端部设有法兰，双层石英管内腔设有镀膜腔，镀膜腔外壁上固定有感应线圈，法兰上设有第一工艺进气口和第二工艺进气口，且第一工艺进气口、第二工艺进气口连接设置在镀膜腔内部的气体稳流装置，双层石英管一侧和底部均开有通孔，且侧壁的通孔内穿设抽真空管，且抽真空管连通镀膜腔，底部的通孔内穿设有尾气排放管，且尾气排放管连通镀膜腔，本发明结构原理简单，能够提高硅片镀膜的均匀性，且工作效率高。
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公开(公告)号：CN108054244A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711377997.2
申请日：2017-12-19
申请人： 温州海旭科技有限公司
发明人： 陈德榜
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1804
摘要： 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是一种太阳能电池片的制造工艺，包括以下步骤：S1、检测；S2、制绒；S3、扩散制结；S4、去磷硅玻璃；S5、镀膜；S6、丝网印刷。本发明提供了一种新型太阳能电池片的制造工艺，简化了生产流程，易于实现，且能够有效提高生产效率，有助于太阳能产业发展。
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公开(公告)号：CN107936673A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711376907.8
申请日：2017-12-19
申请人： 温州海旭科技有限公司
发明人： 陈德榜
IPC分类号： C09D7/61 , C09D169/00 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池片技术领域，尤其是一种太阳能电池片，包括硅基层，所述硅基层的底面设有铝硅层，所述硅基层的上表面设有氮化硅层，所述氮化硅层的上表面开设有若干个细栅线，所述氮化硅层的上表面的上表面安装有主栅线，所述细栅线和主栅线上均涂抹有耐磨涂层。本发明通过在太阳能电池片的表面涂抹耐磨涂层，从而减少外界环境对太阳能电池片的损坏，不仅延长太阳能电池片的使用寿命，还能提高太阳能电池片在长时间使用下的工作效率。
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