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公开(公告)号：CN113130744B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110395190.1
申请日：2021-04-13
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的选通器件及其制备方法，该选通器件包括底电极；转变层，位于底电极一侧表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为m，0.1％≤m＜1.5％。本发明的基于铝掺杂氧化铌的选通器件，转变层为铝掺杂氧化铌薄膜，通过铝掺杂提升了氧化铌高阻态的势垒，增加高阻态电阻，相比传统的转换层为氧化铌的选通管具有更高的选通比。
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公开(公告)号：CN113113538A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110395182.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的抗串扰阻变器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转变层，位于底电极表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为1.5～5％。本发明的抗串扰阻变器件，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，通过高浓度铝掺杂提升抗串扰阻变器件的稳定性，铝原子可以起到固定五氧化二铌区域导电丝的作用，极大增加抗串扰阻变器件的耐受性；相比传统的1S1R器件，可减少集成中的光刻及刻蚀步骤，降低工艺复杂度，节约成本；相比纯氧化铌阻变器件，本申请的的抗串扰阻变器件，耐受性有极大提升，并且抗串扰阻变器件的阈值电压和电阻稳定性均有提升。
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公开(公告)号：CN112952088A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110212580.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳布生长的金属掺杂碳酸锰电极材料及其制备方法和应用，属于水系锌离子电池阴极储能材料技术领域。本发明以碳布为基底，将碳布预处理后置于配有适当比例的金属盐、锰盐和尿素的反应釜内胆的混合溶液中，并将碳布用聚四氟乙烯板固定，最后将反应釜装置放入干燥箱中进行水热反应，其中：反应温度设置为100～180℃，反应时间设置为16～24h，反应完成后清洗干净并干燥即可。本发明的金属掺杂碳酸锰后，形貌发生改变，在提高结构的稳定性同时，增大了反应过程的表面积，也提升了其能量密度。此外，本发明制备的电极材料在电池充放电过程中对进入阴极材料内部嵌入脱嵌的锌离子的静电作用力减少，电导率增大，提升了电池的电化学性能。
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公开(公告)号：CN112885869A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110150113.X
申请日：2021-02-03
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于金属性插层的1S1R器件及其制备方法，该器件其包括：底电极、转换层、金属性插层、阻变层和顶电极；其中，金属性插层的材料为Ti薄膜、ITO薄膜和TiN薄膜中的一种。本申请的1S1R器件，通过在1S1R器件中引入金属性插层，金属性插层作为中间电极连接两功能层，更重要地是使得选通管单元和阻变存储器单元的氧空位在工作过程中互相不干扰，保证了两个单元的独立正常工作，增强了其稳定性，与现有技术相比，具有稳定的直流耐受性、十分稳定的SET电压、RESET电压、阈值电压和保持电压等相关电压，较为明显的存储窗口和选通比，能够有效地减小漏电流，抗串扰能力强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116306857B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310558303.4
申请日：2023-05-18
Abstract: 本发明公开了一种基于神经元膜高低电位采样的脉冲电路，提出膜电位高低位同步采样，在高低膜电位出现的时刻分别在对应端口输出一个指示脉冲；根据两个膜电位检测信号发放时间及相对位置综合判断神经元激活状态并发放脉冲。由于神经元阈值激活电压和保持电压相距较远，且触发脉冲发放需要两个检测脉冲按先后顺序在一定时间内成对出现，可以有效避免由于干扰或膜电位在所设置的基准电压附近波动而导致的脉冲少发或误发现象。该神经元激活状态识别和激活脉冲发放电路能够即时、准确地发放标准脉冲激活信号，为大规模多层脉冲神经网络的层间信号匹配与脉冲神经网络和各功能模块间的信号交互提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN116382624A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310390694.3
申请日：2023-04-13
Abstract: 本申请属于加法器技术领域，提供了一种有限域加法器电路及集成电路，采用高频小信号作为激励，利用忆阻低通滤波器实现信号相位的调制，通过级联即可实现各个忆阻器的阻值映射到相位上的加法。由于相位本身的周期性，基于相位的加法可自然实现有限域的循环特性，而无需在相加之后判断其大小再做减法，这使得其电路结构更为简化，可应用于计算机编码、密码学以及神经元电路等相关领域的应用研究，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116306857A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310558303.4
申请日：2023-05-18
Abstract: 本发明公开了一种基于神经元膜高低电位采样的脉冲电路，提出膜电位高低位同步采样，在高低膜电位出现的时刻分别在对应端口输出一个指示脉冲；根据两个膜电位检测信号发放时间及相对位置综合判断神经元激活状态并发放脉冲。由于神经元阈值激活电压和保持电压相距较远，且触发脉冲发放需要两个检测脉冲按先后顺序在一定时间内成对出现，可以有效避免由于干扰或膜电位在所设置的基准电压附近波动而导致的脉冲少发或误发现象。该神经元激活状态识别和激活脉冲发放电路能够即时、准确地发放标准脉冲激活信号，为大规模多层脉冲神经网络的层间信号匹配与脉冲神经网络和各功能模块间的信号交互提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN112397648B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011442707.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 湖北大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明提供了一种基于钛掺杂的氧化铌选通管及其制备方法，该选通管包括：底电极；转换层，位于所述底电极一侧表面；顶电极，位于所述转换层远离所述底电极一侧表面；其中，所述转换层的材料为钛掺杂的氧化铌。未掺杂钛的氧化铌选通管相比于本发明，需要在选通管上外加‑5.15V的Forming电压，只有经过Forming过程选通管才能表现出阈值转变的性能。本发明的基于钛掺杂的氧化铌选通管，不需要Forming过程就可以直接表现出阈值转变的性能，具有Forming‑free的特性，可以极大地缓解外围电路的设计压力，并保护器件免受大电压的破坏。
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公开(公告)号：CN112952088B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110212580.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳布生长的金属掺杂碳酸锰电极材料及其制备方法和应用，属于水系锌离子电池阴极储能材料技术领域。本发明以碳布为基底，将碳布预处理后置于配有适当比例的金属盐、锰盐和尿素的反应釜内胆的混合溶液中，并将碳布用聚四氟乙烯板固定，最后将反应釜装置放入干燥箱中进行水热反应，其中：反应温度设置为100～180℃，反应时间设置为16～24h，反应完成后清洗干净并干燥即可。本发明的金属掺杂碳酸锰后，形貌发生改变，在提高结构的稳定性同时，增大了反应过程的表面积，也提升了其能量密度。此外，本发明制备的电极材料在电池充放电过程中对进入阴极材料内部嵌入脱嵌的锌离子的静电作用力减少，电导率增大，提升了电池的电化学性能。
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