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公开(公告)号：CN117402615A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311347311.0
申请日：2023-10-18
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供一种圆偏振发光碳量子点薄膜复合材料及其制备方法和应用，制备方法包括：(1)将CNCs和去离子水混合，分散，加热并搅拌，得到CNCs悬浊液；(2)将FeCl3·6H2O和FeSO4·7H2O溶于蒸馏水中，而后将其加入CNCs悬浊液中，反应，然后加入NH3·H2O水溶液，继续反应，后处理，得到Fe3O4/CNC复合材料；(3)将碳量子点水溶液、Fe3O4/CNC复合材料水溶液以及CNCs悬浊液混合，分散，得到胶体悬浮液，将其置于磁场下，蒸发浓缩，得到所述圆偏振发光碳量子点薄膜复合材料。本发明基于磁场调控自组装合成手性的且具有圆偏振荧光活性的复合材料。
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公开(公告)号：CN115073792A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210464273.6
申请日：2022-04-29
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米线与二维锑烯复合导电薄膜及其柔性透明超级电容器，它是通过溶液相化学合成的方法采用不同配体制备得到尺寸形貌可控二维锑烯纳米片。再将银纳米线与二维锑烯复合起来，旋涂在PET衬底上形成高质量的二维锑烯纳米片与银纳米线复合的导电薄膜。将两个相同导电薄膜的PET衬底以凝胶电解质为中间层面对面组装，得到透光率高，可弯折的柔性透明超级电容器。本发明得到的超级电容器透光率高、可弯折、制备工艺简单，单片FTCE的透明度可达90％，用其制备柔性透明超级电容器可得到良好的透明度，比电容可达0.08mF·cm‑2。本发明的方法原材料简单，稳定性好，适合大规模化生产，在未来可穿戴设备及柔性显示器等领域，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109337674B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810997580.4
申请日：2018-08-29
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种二元配体修饰钙钛矿CsPbX3量子点的制备方法，本发明的特点是：将铯、铅、溴以离子的形式溶解在溶剂内，加入适量的二元羧酸类和二元胺类作为稳定剂；采用室温重结晶法形成带有二元配体修饰的CsPbX3钙钛矿量子点。该发明的优点是，采用二元配体修饰的量子点使量子点之间形成类似聚合的结构形式，将量子点彼此之间连接起来，能减少量子点成膜后彼此之间的距离，相比一元配体还可以将量子点之间的距离较少一半，增加了载流子的迁移率。可提高钙钛矿量子点在器件中载流子的传输速率，同时，获得的钙钛矿量子点溶液具有较高的粘度，使之更适合应用于喷墨打印的墨水制备。
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公开(公告)号：CN110194952A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910401523.X
申请日：2019-05-15
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种锰离子掺杂的橙黄色发光碳量子点的合成方法。其制备方法是：先将锰源和碳源按照摩尔比例1:20～1:5称量，溶解在极性溶剂N,N-二甲基甲酰胺中，然后加入氮源，搅拌至完全溶解得到前驱体溶液；再将前驱体溶液转移至聚四氟乙烯水热反应釜中，在温度160℃～200℃，时间4h～12h，保温碳化处理得到悬浊液；再加入无水乙醇后离心、洗涤、干燥得到橙黄色发光锰离子掺杂碳量子点。本发明制备工艺简单、荧光量子产率较高，重复性强，原料便宜，锰离子掺杂量少，适合大规模批量生产。同时制备的锰离子掺杂的碳量子点在510～570nm激发光下发射波长在590nm左右的橙黄光，在制备橙黄光LED方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109052341A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811273421.6
申请日：2018-10-30
Applicant: 湖北大学
IPC: C01B19/04
CPC classification number: C01B19/007 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/10 , C01P2004/61 , C01P2004/62
Abstract: 本发明涉及一种GaSe纳米杆的制备方法，其核心原理在于：将GaSe粉末溶于异丙醇和去离子水的溶液中，避免引入难以挥发和去除的有机溶剂和杂质；通过剪切搅拌将溶液充分混合并进行初步层间剥离；利用水浴超声和插入式探针超声制备纳米杆。本发明的有益效果在可以制备杆状GaSe纳米结构，且纯度高，市场前景广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104831241B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201510147291.1
申请日：2015-03-31
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：采用ZnS作为溅射靶材，采用m面蓝宝石作为衬底；清洗靶材和衬底，将靶材和衬底分别固定在靶台和样品台上装入真空室，并抽真空至真空度为5×10‑4Pa以下；设定衬底温度为400‑700℃；开启氧气阀，使真空室内的氧压稳定在0.02‑5Pa；设定激光器的激光脉冲能量、激光脉冲频率和激光脉冲个数；启动靶台和样品台的自转，开启激光器，激光预溅射靶材2‑3分钟后开始沉积，沉积完成后关闭激光器；让沉积的薄膜自然冷却至室温后再取出真空室。本发明的有益效果：制备工艺简单，所需设备要求低，且制备方法易于控制。
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公开(公告)号：CN104388898B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410570903.3
申请日：2014-10-23
Applicant: 湖北大学
IPC: C23C14/28 , C23C14/06 , H01L31/0296 , H01L33/28
Abstract: 本发明公开一种MgZnOS四元ZnO合金半导体材料及其制备方法，通过Mg与S同时掺杂ZnO，调节MgZnOS中Mg与Zn、O与S的比例形成全新的MgZnOS四元ZnO合金半导体材料，使得该类宽禁带半导体的带隙在更宽范围内(2.94eV～3.95eV)可调，可用于紫外发光器件或光探测器件。本发明MgZnOS单晶材料为世界上首次成功合成，制备MgZnOS四元ZnO合金半导体材料对于开发波长可调的紫外光电器件具有非常重要的意义。此MgZnOS四元ZnO合金半导体材料可采用常规脉冲激光烧蚀沉积、磁控溅射、电子束蒸发等多种方法进行生长，设备和操作工艺简单，易于控制。
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公开(公告)号：CN118599751A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410887652.5
申请日：2024-07-03
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本申请涉及大肠杆菌的技术领域，具体涉及大肠杆菌的重组菌株、方法及应用。该重组菌株为含有携带木糖还原酶基因与木糖转移酶基因的操纵子的大肠杆菌重组菌株。该重组菌株具有高于其内源木糖转运系统的木糖转运效率，并获得了稳定的木糖醇产量，在木糖醇的合成以及相关领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117625177A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311355889.0
申请日：2023-10-18
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供一种三重态‑三重态湮灭上转换圆偏振发光材料及其制备方法和应用，所述三重态‑三重态湮灭上转换圆偏振发光材料的制备原料包括如下组分：非手性向列相液晶、手性掺杂剂、湮灭剂、敏化剂。在本发明中，非手性向列相液晶在手性掺杂剂掺杂下被诱导成手性向列相液晶，整个液晶体系会发生向列相(非手性)向胆甾相(手性)的转变，然后手性向列相液晶与非手性的三重态‑三重态湮灭发光分子对(即敏化剂和湮灭剂)进行超分子共组装，从而使得整个体系实现三重态‑三重态湮灭上转换圆偏振发光。
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公开(公告)号：CN115073792B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210464273.6
申请日：2022-04-29
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米线与二维锑烯复合导电薄膜及其柔性透明超级电容器。它是通过溶液相化学合成的方法采用不同配体制备得到尺寸形貌可控二维锑烯纳米片。再将银纳米线与二维锑烯复合起来，旋涂在PET衬底上形成高质量的二维锑烯纳米片与银纳米线复合的导电薄膜。将两个相同导电薄膜的PET衬底以凝胶电解质为中间层面对面组装，得到透光率高，可弯折的柔性透明超级电容器。本发明得到的超级电容器透光率高、可弯折、制备工艺简单，单片FTCE的透明度可达90％，用其制备柔性透明超级电容器可得到良好的透明度，比电容可达0.08mF·cm‑2。本发明的方法原材料简单，稳定性好，适合大规模化生产，在未来可穿戴设备及柔性显示器等领域，具有广阔的应用前景。
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