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公开(公告)号：CN112757154B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202110087557.3
申请日：2021-01-22
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 长鑫存储技术有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: B24B37/26
Abstract: 本发明公开一种抛光垫，包括抛光层，所述抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，所述抛光单元至少为一个，抛光单元组成抛光单元群，抛光单元群的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触，每个抛光单元在接触表面投影为平行四边形；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本发明抛光垫的结构与限定的抛光单元面积比，有效面积比、有效通道体积比以及有效通道的宽度比等参数相结合时，具有优异的综合性能。
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公开(公告)号：CN112809550B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011617011.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 长江存储科技有限责任公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种抛光垫，包括研磨层，所述研磨层包括至少两个同心圆沟槽，定义最内侧的同心圆沟槽为第一同心圆，最外侧的同心圆沟槽为第二同心圆；第一同心圆和第二同心圆界定多个研磨区域，由圆心到研磨层边缘三个研磨区的宽度依次为W1,W2,W3，本发明通过对抛光垫的不同研磨区及其沟槽的相关参数以及研磨层，缓冲层物性参数进行综合设计，使得本发明的抛光垫具有优异的综合性能。
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公开(公告)号：CN113524022A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202111089592.5
申请日：2021-09-17
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: B24B37/22 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24B37/005 , B24B49/00 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括使用具有特定图案的抛光垫对半导体晶片表面进行研磨的工序；本发明还公开了一种抛光垫，所述抛光垫包括抛光层，抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，抛光单元的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一个方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一个方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光层还具有凹坑，且包括第一部分凹坑和第二部分凹坑；本发明抛光垫限定抛光单元面积比，凹坑面积占比，体积比等参数在合适范围时，具有优异的综合性能。
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公开(公告)号：CN112720282A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011614266.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 长江存储科技有限责任公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: B24D7/00
Abstract: 本发明公开一种抛光垫，包括研磨层，研磨层与直径为Dw的被研磨材料直接接触，所述研磨层包括至少两个同心圆沟槽，定义最内侧的同心圆沟槽为第一同心圆，最外侧的同心圆沟槽为第二同心圆；第一同心圆和第二同心圆界定多个研磨区域，由圆心到研磨层边缘三个研磨区的宽度依次为W1,W2,W3，其中第二研磨区宽度W2满足：W2＝0.8Dw‑0.995Dw；本发明通过对抛光垫的不同研磨区及其沟槽的相关参数以及研磨层，缓冲层物性参数进行综合设计，使得本发明的抛光垫具有优异的综合性能。
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公开(公告)号：CN112405337B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202110086051.0
申请日：2021-01-22
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: B24B37/26 , B24B1/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开一种抛光垫及半导体器件的制造方法，该方法包括使用具有特定图案及物性参数的抛光垫对半导体晶片表面进行研磨的工序；本发明还公开了一种抛光垫，所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层硬度为40‑70D，密度为0.6‑0.9g/cm3，并且抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，抛光单元的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一个方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一个方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本发明抛光垫限定的抛光单元面积比，有效面积比等参数与限定的抛光层物性参数相结合时，具有优异的综合性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113547450A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202111103638.4
申请日：2021-09-22
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: B24B37/22 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24B37/005 , B24B49/00 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了涉及半导体的化学机械抛光技术领域的抛光垫、研磨设备及半导体器件的制造方法。所述抛光垫具有抛光面，在抛光面上至少设置：一条以上的环形沟槽和一条以上的放射状沟槽，所述环形沟槽与放射状沟槽连通，所述环形沟槽两两不相交；沿抛光面中心向外周缘方向，环形沟槽的深度逐渐减小，放射状沟槽的深度逐渐减小。利用本发明所提供抛光垫，抛光液利用率高、抛光速率高，且研磨速率不均一性小；同时能保证抛光过程产生的废屑和废液等的及时排出以及新抛光液的及时进入。
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公开(公告)号：CN112720282B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011614266.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 长江存储科技有限责任公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: B24D7/00
Abstract: 本发明公开一种抛光垫，包括研磨层，研磨层与直径为Dw的被研磨材料直接接触，所述研磨层包括至少两个同心圆沟槽，定义最内侧的同心圆沟槽为第一同心圆，最外侧的同心圆沟槽为第二同心圆；第一同心圆和第二同心圆界定多个研磨区域，由圆心到研磨层边缘三个研磨区的宽度依次为W1,W2,W3，其中第二研磨区宽度W2满足：W2＝0.8Dw‑0.995Dw；本发明通过对抛光垫的不同研磨区及其沟槽的相关参数以及研磨层，缓冲层物性参数进行综合设计，使得本发明的抛光垫具有优异的综合性能。
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公开(公告)号：CN113547450B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111103638.4
申请日：2021-09-22
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: B24B37/22 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24B37/005 , B24B49/00 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了涉及半导体的化学机械抛光技术领域的抛光垫、研磨设备及半导体器件的制造方法。所述抛光垫具有抛光面，在抛光面上至少设置：一条以上的环形沟槽和一条以上的放射状沟槽，所述环形沟槽与放射状沟槽连通，所述环形沟槽两两不相交；沿抛光面中心向外周缘方向，环形沟槽的深度逐渐减小，放射状沟槽的深度逐渐减小。利用本发明所提供抛光垫，抛光液利用率高、抛光速率高，且研磨速率不均一性小；同时能保证抛光过程产生的废屑和废液等的及时排出以及新抛光液的及时进入。
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公开(公告)号：CN113524022B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111089592.5
申请日：2021-09-17
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: B24B37/22 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24B37/005 , B24B49/00 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括使用具有特定图案的抛光垫对半导体晶片表面进行研磨的工序；本发明还公开了一种抛光垫，所述抛光垫包括抛光层，抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，抛光单元的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一个方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一个方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光层还具有凹坑，且包括第一部分凹坑和第二部分凹坑；本发明抛光垫限定抛光单元面积比，凹坑面积占比，体积比等参数在合适范围时，具有优异的综合性能。
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公开(公告)号：CN112809550A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011617011.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 长江存储科技有限责任公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种抛光垫，包括研磨层，所述研磨层包括至少两个同心圆沟槽，定义最内侧的同心圆沟槽为第一同心圆，最外侧的同心圆沟槽为第二同心圆；第一同心圆和第二同心圆界定多个研磨区域，由圆心到研磨层边缘三个研磨区的宽度依次为W1,W2,W3，本发明通过对抛光垫的不同研磨区及其沟槽的相关参数以及研磨层，缓冲层物性参数进行综合设计，使得本发明的抛光垫具有优异的综合性能。
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