公开(公告)号：CN112757154B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202110087557.3

申请日：2021-01-22

Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 ,  长鑫存储技术有限公司 ,  湖北鼎龙控股股份有限公司

Inventor： 黄学良 ,  蔡长益 ,  刘敏 ,  桂辉辉 ,  罗乙杰 ,  杨佳佳 ,  邱瑞英 ,  张季平

IPC: B24B37/26

Abstract: 本发明公开一种抛光垫，包括抛光层，所述抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，所述抛光单元至少为一个，抛光单元组成抛光单元群，抛光单元群的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触，每个抛光单元在接触表面投影为平行四边形；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本发明抛光垫的结构与限定的抛光单元面积比，有效面积比、有效通道体积比以及有效通道的宽度比等参数相结合时，具有优异的综合性能。

公开(公告)号：CN112757154A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202110087557.3

申请日：2021-01-22

Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 ,  湖北鼎龙控股股份有限公司

Inventor： 黄学良 ,  蔡长益 ,  刘敏 ,  桂辉辉 ,  罗乙杰 ,  杨佳佳 ,  邱瑞英 ,  张季平

IPC: B24B37/26

Abstract: 本发明公开一种抛光垫，包括抛光层，所述抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，所述抛光单元至少为一个，抛光单元组成抛光单元群，抛光单元群的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触，每个抛光单元在接触表面投影为平行四边形；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本发明抛光垫的结构与限定的抛光单元面积比，有效面积比、有效通道体积比以及有效通道的宽度比等参数相结合时，具有优异的综合性能。

公开(公告)号：CN112405337B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202110086051.0

申请日：2021-01-22

Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 ,  湖北鼎龙控股股份有限公司

Inventor： 黄学良 ,  蔡长益 ,  邱瑞英 ,  桂辉辉 ,  刘敏 ,  罗乙杰 ,  杨佳佳 ,  张季平

IPC: B24B37/26 ,  B24B1/00 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开一种抛光垫及半导体器件的制造方法，该方法包括使用具有特定图案及物性参数的抛光垫对半导体晶片表面进行研磨的工序；本发明还公开了一种抛光垫，所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层硬度为40‑70D，密度为0.6‑0.9g/cm3，并且抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，抛光单元的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一个方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一个方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本发明抛光垫限定的抛光单元面积比，有效面积比等参数与限定的抛光层物性参数相结合时，具有优异的综合性能。

公开(公告)号：CN112405337A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202110086051.0

申请日：2021-01-22

Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 ,  湖北鼎龙控股股份有限公司

Inventor： 黄学良 ,  蔡长益 ,  邱瑞英 ,  桂辉辉 ,  刘敏 ,  罗乙杰 ,  杨佳佳 ,  张季平

IPC: B24B37/26 ,  B24B1/00 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开一种抛光垫及半导体器件的制造方法，该方法包括使用具有特定图案及物性参数的抛光垫对半导体晶片表面进行研磨的工序；本发明还公开了一种抛光垫，所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层硬度为40‑70D，密度为0.6‑0.9g/cm3，并且抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，抛光单元的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一个方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一个方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本发明抛光垫限定的抛光单元面积比，有效面积比等参数与限定的抛光层物性参数相结合时，具有优异的综合性能。

公开(公告)号：CN214322989U

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202120177695.6

申请日：2021-01-22

Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 ,  湖北鼎龙控股股份有限公司

Inventor： 黄学良 ,  蔡长益 ,  罗乙杰 ,  桂辉辉 ,  刘敏 ,  杨佳佳 ,  邱瑞英 ,  张季平

IPC: B24B37/26

Abstract: 本实用新型公开一种抛光垫，包括抛光层，所述抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，所述抛光单元至少为一个，抛光单元组成抛光单元群，抛光单元群的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触，每个抛光单元在接触表面投影为平行四边形；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本实用新型抛光垫的结构与限定的抛光单元面积比，有效面积比、有效通道体积比以及有效通道的宽度比等参数相结合时，具有优异的综合性能。

公开(公告)号：CN109794855B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201711148498.6

申请日：2017-11-17

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 蔡长益

IPC: B24B49/16 ,  B24B37/34 ,  B24B37/005 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种对作用于基底上的压力的测量方法，提供一基底，在基底上设置一压力感测器以及一信号接收器，采用一压力装置作用于基底上，向基底施加压力，压力感测器感测基底受到的压力并获得相应的压力数据，信号接收器接收压力数据并传输至一终端设备，终端设备根据压力数据得到基底上的压力分布，通过压力分布调整压力装置向基底施加的压力，从而改善向基底施加的压力的均匀度，通过该方法可以改善化学机械研磨的均匀度，并避免由此产生缺陷。

公开(公告)号：CN111571446A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201910124374.7

申请日：2019-02-19

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 王盼 ,  蔡长益

IPC: B24B55/00

Abstract: 本发明提供了一种金刚石研磨盘上风险金刚石的确定方法，包括：建立数据库，所述数据库包括金刚石的第一尺寸数据和模拟图像；基于所述数据库确定出风险金刚石的判断条件；以及，基于所述风险金刚石的判断条件确定所述金刚石研磨盘上是否存在风险金刚石。本发明提供的金刚石研磨盘上风险金刚石的确定方法，可以提高金刚石研磨盘的工作良率。

公开(公告)号：CN110549239A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201810547536.3

申请日：2018-05-31

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 蔡长益

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B53/017

Abstract: 本发明涉及一种化学机械研磨装置及研磨垫表面修整方法，装置包括研磨台，用于设置研磨垫；温控水机，具有进水口和出水口，进水口与去离子水供应装置连接，温控水机用于将经进水口流入的去离子水加热到预设温度范围；喷雾器，设置在研磨台上方，喷雾器与温控水机的出水口连接，喷雾器具有喷头，喷头相对研磨垫表面倾斜设置；调节头，设置在研磨台上方，用于调节修整研磨垫表面的粗糙度。方法包括将完成表面处理的晶圆移出；将加温后的去离子水通过喷雾器的喷头持续喷射到研磨垫表面，以对研磨垫表面进行加热；通过调节头对研磨垫表面进行修整。本发明通过加热的去离子水对研磨垫进行软化，因此提高了研磨垫与晶圆的接触面积。

公开(公告)号：CN109962015A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201711409038.4

申请日：2017-12-22

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 蔡长益

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明属于铜金属线制程领域，具体涉及用于改善铜线短路的制程工艺，采用研磨液对第一氧化层进行第一次化学机械研磨，所述研磨液包括研磨粒子，所述研磨粒子具有胶体态，所述研磨粒子在所述研磨液中的磨料固态含量介于0.17～0.5％体积百分比；在第一次化学机械研磨后，以清洗液清洁所述第一氧化层的第一次化学机械研磨后表面；进行第一次金属沉积，沉积第一金属层于所述第一氧化层的第一次化学机械研磨后表面上，通过改变研磨液特性，变更清洁液种类来改善氧化层刮伤缺陷，以利金属层的平坦沉积。在更具体的实施例中，后续的钨金属化学机械研磨与铜金属化学机械研磨采用研磨液也能进一步修补前程的刮伤缺陷，有效改善铜金属线短路情况。

公开(公告)号：CN113533446B

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202110791898.9

申请日：2021-07-13

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 曾柏章 ,  蔡长益

IPC: G01N27/06 ,  G01L11/00 ,  G01F1/00 ,  B08B3/00 ,  B01F35/82 ,  B01F35/213 ,  B01F101/24

Abstract: 本公开提供一种化学清洗液配置系统和方法。化学清洗液配置系统设置在化学机械抛光设备内，包括：第一混合系统，被配置为将第一化学溶液和第一稀释液混合，得到第一混合液；第二混合系统，被配置为第二化学溶液和第二稀释液混合，得到第二混合液；第三混合系统，被配置为将所述第一混合液、所述第二混合液和第三稀释液混合，得到第三混合液；输出系统，被配置为输出所述第三混合液至所述化学机械抛光设备的喷淋装置；采样系统，被配置为采样所述输出系统中输出的所述第三混合液，其中所述采样系统为与所述输出系统相连通的支路系统；监测系统，被配置为监测所述第一混合液、所述第二混合液，以及所述第三混合液的状态。