一种导电MOFs均匀包覆的Ti:Fe2O3复合光阳极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115739186A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211247425.3

    申请日:2022-10-12

    申请人: 湖南大学

    摘要: 本发明公开了一种导电MOFs均匀包覆的Ti:Fe2O3复合光阳极及其制备方法和应用,具有“核壳结构”,“核”为表面阴离子化的Ti:Fe2O3纳米片阵列,“壳”为导电MOFs,是将Ti:Fe2O3纳米片阵列置于阴离子表面活性剂的醇溶液中进行表面阴离子化处理后,再通过溶剂热法将导电MOFs包覆到Ti:Fe2O3表面即可。本发明通过溶剂热法将导电MOFs包覆在经表面阴离子化处理后的Ti:Fe2O3的表面,导电MOFs的表面包覆一方面可以调控Ti:Fe2O3的表面态,快速转移其与Ti:Fe2O3界面的空穴,实现高效的电荷分离;另外,导电MOFs的水氧化过电势更低,更有利于水氧化过程。

    一种MOFs包覆的OV-BiVO4复合光阳极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110983362B

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN201911315325.8

    申请日:2019-12-19

    申请人: 湖南大学

    摘要: 本发明公开了一种MOFs均匀包覆的OV‑BiVO4复合光阳极的制备方法,包括如下步骤:(1)通过电化学沉积‑热处理的方法制备BiVO4纳米阵列;(2)将步骤(1)得到的BiVO4纳米片阵列置于含氢气气氛中灼烧得到OV‑BiVO4;(3)将步骤(2)得到的OV‑BiVO4进行表面阴离子化处理后,通过水热法将MOFs包覆到OV‑BiVO4表面。本发明通过溶剂热法将MOFs包覆在经表面阴离子化处理后的OV‑BiVO4的表面,MOFs的表面包覆一方面可以快速转移其与OV‑BiVO4界面的空穴,实现高效的电荷分离;另外,可以保护氧空位,增强稳定性。

    一种MOFs包覆的OV-BiVO4复合光阳极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110983362A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911315325.8

    申请日:2019-12-19

    申请人: 湖南大学

    摘要: 本发明公开了一种MOFs均匀包覆的OV-BiVO4复合光阳极的制备方法,包括如下步骤:(1)通过电化学沉积-热处理的方法制备BiVO4纳米阵列;(2)将步骤(1)得到的BiVO4纳米片阵列置于含氢气气氛中灼烧得到OV-BiVO4;(3)将步骤(2)得到的OV-BiVO4进行表面阴离子化处理后,通过水热法将MOFs包覆到OV-BiVO4表面。本发明通过溶剂热法将MOFs包覆在经表面阴离子化处理后的OV-BiVO4的表面,MOFs的表面包覆一方面可以快速转移其与OV-BiVO4界面的空穴,实现高效的电荷分离;另外,可以保护氧空位,增强稳定性。

    一种过渡金属掺杂富缺陷的二硫化钼及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112844420A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110034606.7

    申请日:2021-01-11

    申请人: 湖南大学

    IPC分类号: B01J27/051 C01C1/02

    摘要: 本发明公开了一种过渡金属掺杂富缺陷的二硫化钼及其制备方法和应用,所述过渡金属掺杂富缺陷的二硫化钼的分子式为M/MoS2‑x,具有纳米花状结构,式中M为Mn、Co、Fe和W中的一种。本发明以富缺陷的二硫化钼作为基体材料,通过引入过渡金属,二硫化钼结构中的S空位浓度急剧增加,而高浓度的S空位,作为一个电子陷阱中心,有利于氮气的吸附和活化,明显的提升了光催化固氮的活性,例如Mn掺杂的MoS2‑x催化剂,在可见光下不加任何牺牲剂,氨的生成速率达到了148.3μmol/g/h,这大约是纯MoS2‑x的4.85倍。

    一种单分散金属负载氧化钨纳米线及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114669307A

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202210308285.X

    申请日:2022-03-25

    申请人: 湖南大学

    IPC分类号: B01J23/888 B01J35/02 C01C1/04

    摘要: 本发明公开了一种单分散金属负载氧化钨纳米线及其制备方法和应用,将氧化钨纳米线通过浸渍法和可溶性金属盐混合均匀,然后置于H2/Ar气氛下进行灼烧得到单分散金属/氧化钨;所述金属为Fe、Cu、Co中的至少一种。该催化剂中具有丰富的氧空位,作为电子陷阱中心,有利于氮气的吸附和活化,明显的提升了光催化固氮的活性;同时负载的单分散的金属作为新的氮气吸附位点和活性位点,有利于NRR反应进行,明显提升了光催化固氮性能。