一种逆向设计的超构表面器件及其制备、设计方法

    公开(公告)号:CN115857067A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211739816.7

    申请日:2022-12-30

    IPC分类号: G02B1/00 G02B27/00 G03F7/00

    摘要: 本发明公开了一种逆向设计的超构表面器件及其制备、设计方法,包括从下至上依次设置的透明介质衬底与第一层电介质微纳单元结构、HSQ分隔层和第二层电介质微纳单元结构,根据层数不同可追加更多层数的微纳单元结构。本发明逆向设计的超构表面器件通过在现有数据库的基础上,采用逆向设计的方法,训练优化网络后获得了其他结构参数以及自由形状结构的光学响应,为正向设计方法中难以获得的高自由度形状提供了全新的设计思路。本发明利用GPU的并行计算能力提高计算性能,而且将多种算法相互融合,避免了局部最优解、难以收敛等问题,计算资源损耗低,计算结果优秀。采用套刻工艺进行多层的制备,工艺简单,层间对准精度高。

    一种基于紫外固化薄膜的金属转移工艺及其应用

    公开(公告)号:CN118630109A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410839895.1

    申请日:2024-06-26

    摘要: 本发明公开了一种基于紫外固化薄膜的金属转移工艺及其应用。提供硬质硅基晶圆衬底,在光刻胶薄膜上曝光出设计的结构;在光刻胶显影液中进行显影,用氮气吹干,得到设计的光刻胶薄膜结构;在有设计结构的光刻胶薄膜结构表面进行金属化;在去除光刻胶溶液中浸泡,得到金属结构;将紫外固化树脂旋涂或滴涂在设计的金属结构上;使用LED紫外灯辐照金属结构上的液态紫外固化树脂原位固化,在液态的紫外固化树脂固化后,得到干净的紫外固化薄膜;将紫外固化薄膜进行剥离,得到嵌入式金属结构的紫外固化薄膜柔性衬底。本发明增强了金属结构与柔性衬底的界面稳定性,解决了金属结构与柔性衬底机械性能不匹配的问题以及转移过程中化学试剂的污染问题。

    一种全斯托克斯偏振探测的超构透镜及其全斯托克斯参量恢复方法

    公开(公告)号:CN117631098A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311722460.0

    申请日:2023-12-14

    IPC分类号: G02B1/00 G02B3/00 G02B27/00

    摘要: 本发明公开了一种全斯托克斯偏振探测的超构透镜及其全斯托克斯参量恢复方法,超构透镜包括超构透镜衬底和纳米结构单元;纳米结构单元交错排布或者随机交错排布在超构透镜衬底上;超构透镜被配置为:复色光光源照射所述超构透镜后,多个纳米结构单元将不同偏振态的偏振光聚焦到不同位置,在聚焦平面形成不同的聚焦焦点;设计方法包括超构透镜的交错排布设计或者随机交错排布设计步骤及全斯托克斯参量恢复步骤。偏振恢复方法能够针对交错排布或随机交错排布来进行,对任意排布的斯托克斯参量超构透镜进行偏振恢复,提高了成像质量,便于图片的后处理,其易于编程实现,可以在任意波长下使用,如紫外、可见光、红外等,应用场景广泛、可拓展性强。

    一种基于折叠式超构表面的全光图像识别探测器及方法

    公开(公告)号:CN115985927A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211736132.1

    申请日:2022-12-30

    摘要: 本方法公开了一种基于折叠式超构表面的全光图像识别探测器及方法,由多层折叠式超构表面通过衍射方式与反射方式堆叠后,并与CMOS图像处理芯片集成;所述的折叠式超构表面与CMOS图像处理芯片之间通过光学胶粘合。每一层折叠式超构表面由透明电介质基底、银制反射层、超构单元阵列组成,所述银制反射层设置于透明电介质基底上,银制反射层上阵列布置有超构单元阵列;各所述超构单元阵列之间通过光衍射、光反射连接,各层所述折叠式超构表面基于光衍射连接,采用光衍射、光反射综合实现各层折叠式超构表面之间的互连;所述的超构单元阵列由电介质纳米柱结构单元阵列布置组成,本发明可以极大的提高此神经网络的鲁棒性及图像识别的准确率。

    一种高粘附比的转印印章及干式转印方法

    公开(公告)号:CN118818894A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410839896.6

    申请日:2024-06-26

    摘要: 本发明公开了一种高粘附比的转印印章及干式转印方法,属于微纳制造领域;在衬底上制备无粘附层金属微纳结构;衬底疏水修饰,在衬底上旋涂薄膜前体溶液退火得到纳米薄膜;将可变粘附的转印印章共形贴附在薄膜的上表面,冷却至室温后剥离薄膜,实现薄膜与硅基晶圆衬底的分离;将可变粘附的转印印章和薄膜共形贴附于受体衬底上;再次加热使得印章变软并匀速剥离印章,将薄膜释放在受体衬底上,完成薄膜的转印,去除薄膜,得到受体衬底上的金属微纳结构。光固化热响应印章采用可光固化的复合相变材料进行制备,在低温热刺激下展现出高可切换粘附比和高刚度力学性能切换。本发明方法可用于在曲面及柔性衬底上制造从纳米级到晶圆级的功能元件。